光刻操作培训教材.ppt

光刻基本操作一、认真核对随工单，检查随工单上的工步 与片子数是否与实际相符，如果正确，将其 倒入黑盒中，用倒边器检查片子是否有崩边 ，若有则查对随工单上是否有标明，若无， 退回上步工序确定无误后，按照随工单上 的要求制作二、光刻的主要步骤：匀胶、前烘、曝光、显影、显影后检查Ø 匀胶：目的：在硅片表面均匀涂上一层厚度一定的光刻胶 准备工作：①、泡胶嘴、擦胶嘴、走陪片②、检查胶瓶内光刻胶（胶液面距瓶底5厘米，及时更换新胶，并填写“换胶记录表”） ③ 、按随工单加工工步、匀胶程序确定表，选择正确的匀胶程序l 注意：在匀胶过程中，如发 生不明原因的报警应通知设备人员；停用5分钟以上应先匀3个陪片，方可进行正式片的匀胶所有胶类型加工步类型程序号负胶氧化层及氮化硅层用5#（0.8um~1.1um）铝层及钝化层用4#（1.3um~1.6um）正胶氧化层及氮化硅层用1#（0.9um~1.2um）铝层及钝化层用3#（2.2um~2.5um）Ø 前烘目的：将涂在硅片表面的胶內溶剂充分挥发，增强抗显影能力 主要步骤：①、将匀完胶的硅片从黑色的片架中倒入白色的四氟片架中②、将硅片放入烘箱中，负胶烘15分钟，正胶25分钟③、将烘好的硅片取出，倒入黑色聚乙烯片架中 l注意：操作时必须带上手套操作Ø 曝光目的：将掩膜版上的图形复印到硅片上 主要步骤：①、检查光刻版：将光刻版放在UV灯下检查，照射背面检查是否有颗粒，若有用氮气吹掉，切忌不要吹正面②、装版：将版盒打开，开口方向背对自己，将光刻版正面朝下，箭头朝左下方，扣上版盒，准备曝光③、上版与对版：RTLD〉RCHG/NFILE NAME = C：MK609-RETICLE NAME = M2EXECUTE？④、 曝光操作：FEXP〉PRNT/IO。

PARAMETER CHECK COMPLETE (「Y」OR N)=_N_ 找到 EXP. TIME= 按“空格”修改曝光时间（见下 页“曝光时间确定表”）HOW MANY WAFERS = _1_待片子上到载片台后，手动对准标记进行曝光，显影，检验，确认无误后，对硅片继续 进行曝光一次曝光为 NEXP所用胶类 型加工步类型曝光时间负胶氧化层湿法腐蚀片200ms~500ms 带胶注入片200ms~500ms 氧化硅层（孔）200ms~500ms铝层100ms~300ms 钝化层（压点）200ms~400ms正胶氧化层湿法腐蚀片200ms~400ms 带胶注入片200ms~460ms 氧化硅层（孔）200ms~400ms 铝层500ms~700ms 钝化层（压点）500ms~1000ms曝光时间确定表目的：将未感光部分的负性光刻胶溶除，留下感 光部分的胶膜；将感光部分的正性光刻胶 除， 留下未感光部分的胶膜 注意事项：①、检查N2压力不低于22PSI，真空压力必须大于22或23Hg/cm2,显影液压力调制15PSI②、检查显影液是否够，若不够，要及时添加③、机器若出现故障，及时通知班长或技术员Ø 显影光刻胶性质 加工步骤显影程序 号热板程序 号负胶氧化层，氮化硅层， 铝，压点1#1#光刻后带胶注入1#2#正胶铝层2#1# 氧化层，氮化硅层1#1#PI钝化层手动20秒l注意：氧化层光刻后带胶注入的片子一定要走热盘目的：确定光刻胶成像情况及表面情况是否符合要求，以确定能否进行下道工序 基本步骤：①、UV灯下检查光刻胶是否有划伤、沾污或覆盖不完全的情况②、显微镜下检查是否没有光刻胶图形、重复曝光、浮胶、图形 套偏（错行，错位）、接触不良、曝光不适度、光刻胶覆盖不完全、显影不彻底、连条、沾污、缺口、毛刺等现象Ø 显影后检查u思考题1、匀正式片之前为什么要泡胶嘴、走陪片？2、曝光时先曝光一片进行试片，你认为是否有必要，为什么？3、光刻后带胶注入的片子为什么要走热盘？。