半导体物理学第7版习题及答案
9页1、第五章习题 1. 在一个 n 型半导体样品中,过剩空穴浓度为10 13cm-3, 空穴的寿命为 100us。计算空穴的复合率。 2. 用强光照射 n 型样品,假定光被均匀地吸收,产生过剩载流子,产生率为, 空穴寿命为。 (1)写出光照下过剩载流子所满足的方程; (2)求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。 3. 有一块 n 型硅样品,寿命是1us,无光照时电阻率是10cm 。今用光照射该样品,光被半导体均 匀的吸收,电子 - 空穴对的产生率是10 22cm-3s-1 , 试计算光照下样品的电阻率,并求电导中少数在流子 的贡献占多大比例? 4. 一块半导体材料的寿命=10us,光照在材料中会产生非平衡载流子,试求光照突然停止20us 后, scm p U scmp U p 317 10100 10 313 /10 U 100,/10 6 13 得: 解:根据 ?求: 已知: gp g p dt pd gAetp g p dt pd L L t L . 0 0)2( )( 达到稳定状态时, 方程的通解: 梯度,无飘移。解:均匀吸收,无浓度 cms pqnqqpqnpqnp cm qpqn
2、 cmgnp g p pnpnpn pn L /06.396.21.0 500106.1101350106 .11010.0 : 10 1 : 101010 0. 19161916 00 00 0 316622 光照后 光照前 光照达到稳定态后 %26 06.3 8 .0 06.3 500106 .110 9 .,. .32.0 1 1916 1 0 p up ppp cm 的贡献主要是所以少子对电导的贡献 献少数载流子对电导的贡 其中非平衡载流子将衰减到原来的百分之几? 5. n 型硅中,掺杂浓度 ND=10 16cm-3, 光注入的非平衡载流子浓度 n=p=10 14cm-3。计算无光照和有光照 的电导率。 6. 画出 p型半导体在光照(小注入)前后的能带图,标出原来的的费米能级和光照时的准费米能级。 Ec Ei Ev Ec EF Ei Ev EFp EFn 光照前 光照后 。后,减为原来的光照停止%5.1320 %5 .13 )0( )20( )0()( 10 20 s e p p eptp t cms qnqupqn pppnnn cmpcmn cmpncmnKT npn i
3、/16.21350106 .110 : , /1025. 2,10 /10.105.1,300 1916 0000 00 34 0 316 0 314310 无光照 则 设 半导体的迁移率) 本征空穴的迁移率近似等于 的半导体中电子、注:掺杂 有光照 1316 1914 00 10( /19.20296.016.2 )5001350(106 .11016.2 )( : cm cms nqqpqn pqnq pnpn pn 7. 掺施主浓度 ND=10 15cm-3 的 n 型硅,由于光的照射产生了非平衡载流子n=p=10 14cm-3 。试计算这种 情况下的准费米能级位置,并和原来的费米能级作比较。 8. 在一块 p 型半导体中,有一种复合 - 产生中心,小注入时,被这些中心俘获的电子发射回导带的过 程和它与空穴复合的过程具有相同的概率。试求这种复合- 产生中心的能级位置,并说明它能否成为 有效的复合中心? Tk EE enp Tk EE enn cm N n ppp cm nnn FPi i o iFn i D i 0 1414 15 210 14 2 0 315 1415 0 3
4、/1010 10 )105 .1( 10 /101.1 1010 度强电离情况,载流子浓 0.0517eV P F E F E 0.0025eV F E n F E 0.289eV 10 101.5 14 10 Tln 0 k i n D N Tln o k i E F E平衡时 0.229eV 10 101.5 14 10 Tln 0 k i E FP E i P P Tln 0 k i E FP E 0.291eV 10 101.5 15 101.1 Tln 0 k i E Fn E i n n Tln 0 k i E Fn E n Tk EE enrnnrns nN t o it intntn tt 1 ,.向导带发射电子被电子占据复合中心 接复合理论:解:根据复合中心的间 9. 把一种复合中心杂质掺入本征硅内,如果它的能级位置在禁带中央,试证明小注入时的寿命=n+ p。 10. 一块 n 型硅内掺有 10 16cm-3 的金原子,试求它在小注入时的寿命。若一块p 型硅内也掺有 10 16cm-3 的金原子,它在小注入时的寿命又是多少? 不是有效的复合中心。 代入公式很小。 ,
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