【精品】模拟电子技术基础PPT课件
192页1、模拟电子技术基础,主要内容,第一章 半导体二极管和三极管 第二章 基本放大电路 第三章 多级放大电路 第四章 集成运算放大电路,第一章 半导体二极管和三极管,1.1 半导体基础知识,1.2 半导体二极管,1.3 晶体三极管,1 半导体基础知识,一、本征半导体,二、杂质半导体,三、PN结的形成及其单向导电性,四、PN结的电容效应,一、本征半导体,导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。,本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。,1、什么是半导体?什么是本征半导体?,导体铁、铝、铜等金属元素等低价元素,其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动,形成电流。,绝缘体惰性气体、橡胶等,其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强,只有在外电场强到一定程度时才可能导电。,半导体硅(Si)、锗(Ge),均为四价元素,它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。,2、本征半导体的结构,由于热运动,具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子,自由电子的产生使共价键中留有一个空位置,称为空穴,自由电子与空穴相碰同时消失,称为复合。,共价键,一定温度下,自由电子与空穴对的浓度一定;温度升
2、高,热运动加剧,挣脱共价键的电子增多,自由电子与空穴对的浓度加大。,外加电场时,带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电,且运动方向相反。由于载流子数目很少,故导电性很差。,为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体?,3、本征半导体中的两种载流子,运载电荷的粒子称为载流子。,温度升高,热运动加剧,载流子浓度增大,导电性增强。 热力学温度0K时不导电。,二、杂质半导体 1. N型半导体,磷(P),杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多,多子浓度越高,导电性越强,实现导电性可控。,多数载流子,空穴比未加杂质时的数目多了?少了?为什么?,2. P型半导体,硼(B),多数载流子,P型半导体主要靠空穴导电,掺入杂质越多,空穴浓度越高,导电性越强,,在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化吗?少子与多子变化的数目相同吗?少子与多子浓度的变化相同吗?,三、PN结的形成及其单向导电性,物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。,P区空穴浓度远高于N区。,N区自由电子浓度远高于P区。,扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低,产生内电场。,
3、PN 结的形成,因电场作用所产生的运动称为漂移运动。,参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同,达到动态平衡,就形成了PN结。,由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子,形成内电场,从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N 区运动。,PN结加正向电压导通: 耗尽层变窄,扩散运动加剧,由于外电源的作用,形成扩散电流,PN结处于导通状态。,PN结加反向电压截止: 耗尽层变宽,阻止扩散运动,有利于漂移运动,形成漂移电流。由于电流很小,故可近似认为其截止。,PN 结的单向导电性,必要吗?,清华大学 华成英 ,四、PN 结的电容效应,1. 势垒电容,PN结外加电压变化时,空间电荷区的宽度将发生变化,有电荷的积累和释放的过程,与电容的充放电相同,其等效电容称为势垒电容Cb。,2. 扩散电容,PN结外加的正向电压变化时,在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化,也有电荷的积累和释放的过程,其等效电容称为扩散电容Cd。,结电容:,结电容不是常量!若PN结外加电压频率高到一定程度,则失去单向导电性!,问题,为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体,导电性能极差
4、,又将其掺杂,改善导电性能? 为什么半导体器件的温度稳定性差?是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素? 为什么半导体器件有最高工作频率?,2 半导体二极管,一、二极管的组成,二、二极管的伏安特性及电流方程,三、二极管的等效电路,四、二极管的主要参数,五、稳压二极管,一、二极管的组成,将PN结封装,引出两个电极,就构成了二极管。,小功率二极管,大功率二极管,稳压 二极管,发光 二极管,一、二极管的组成,点接触型:结面积小,结电容小,故结允许的电流小,最高工作频率高。,面接触型:结面积大,结电容大,故结允许的电流大,最高工作频率低。,平面型:结面积可小、可大,小的工作频率高,大的结允许的电流大。,二、二极管的伏安特性及电流方程,开启电压,反向饱和电流,击穿电压,温度的 电压当量,二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。,利用Multisim测试二极管伏安特性,从二极管的伏安特性可以反映出: 1. 单向导电性,2. 伏安特性受温度影响,T()在电流不变情况下管压降u 反向饱和电流IS,U(BR) T()正向特性左移,反向特性下移,正向特性为指数曲线,反向特性为横轴的平行线,增大1倍/10
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