MOSFET 设计选型指导
16页1、MOSFET设计选型指导1、目的:2、适用范围:3、背景说明:31制作MOSFET指导书的必要性:3.2 MOSFET的内部结构图及封装图:3.3瑞谷MOSFET类别(简介范围):4、MOSFET知识介绍4.1 MOSFET工作原理图4.2 MOSFET类型和主要特性54.3主要参数介绍及定义54.3.1最大额定参数54.3.2静态电特性104.3.3动态电特性115、运放案例分析:126、器件设计选型注意事项141、目的:提升技术人员对MOSFET器件的了解水准,并通过后续不断升级和完善,可形成具有实际指导性的文件;避免电路设计不匹配,器件选型、器件替代错乱;2、适用范围本指导书适用于对MOSFET知识学习,设计选型号及替代。3、背景说明:3.1制作MOSFET指导书的必要性:在2010年MOSFET出现了两个品牌失效: 客户端IPS品牌失效:2010年,AP54在客户端失效MOSFET超过40PCS,该器件为IPS品牌型号FTA06N65,规格650V 6.5A;生产线AOS品牌失效:2010年九月份,AP54产品在手动OVP测试时,一天时间失效了 10PCS MOSFET,品牌:
2、AOS,型号:AOTF7N65,规格:650V 7A;除了 OVP 工位外,其他测试工位也有零星失效;针对出现的这些问题,我们不仅要立即处理失效品保证正常生产出货,更重要的是怎样做到预防和避免。因此,制定MOSFET设计选型指导书很有必要;3.2 MOSFET的内部结构图及封装图:(举例)封装结构图O DTO-220TO-220FSGO S3.3目前瑞谷MOSFET类别(简单介绍):TO-220: 40V/202A-800V/11A SO-8 : 12V/25A -200V/ 4A DPAK : 30V/90A800V/ 3AD2PAK: 30V/90A-500V/12ATO-3P : 200V/42A900V/11A4、MOSFET知识介绍4.1 MOSFET工作原理图:0IsN+VgsG卩衬底0DSNeeeeee卩衬底G+ + J图1 MOSFET (N沟增强型)结构DN+卩衬底Clo图2 Vgs=0栅极G无感应电荷图3 Vgs0产生电场图4 Vgs增大,形成耗尽层图6 Vgs= Vt衬底电子形成反型层, 反型层即导电沟道e负离子电了图 7 VgsVT Vds0 产生 Id图8 V
3、ds不变,Vgs增加Id增加Vgs不变,Vds增加Id增加图9 Vds大于夹断电压Id饱和, 电流不再随Vds增加而增加4.2 MOSFET类型和主要特性N-MOSET:增强型一0耗尽型-0P-MOSET:增强型-0耗尽型-04.3主要参数介绍及定义4.3.1最大额定参数最大额定参数,所有数值取得条件(Ta=25C)项日符号輙定值单位帛毂/负根电压Vdss60V上翔朝/再撅电压VGSS20V上滴扱电磯b85A 脉冲藕殽电遼bruise)曲340A v辰向诉載电建dr05A v零崩电瓷60A宙崩能虽30&mJ -容许询道损耗Pch觀110W v容许沟道温彦Tch150DC热阻1 14C/W 弋2SK34-?B的侵子(T 自【注】1 一在PWOm$、duty1 %时的容许值2. $Tch = 25nC的容许值 Rg5O!3. 在Tc25nC时的容许值电琨有招互芙系/亜动器件的电压越低此值趣眩 洞摄电建g的理论公戎是Tchmax - Tc咕=ry RDS(onJfTlSX K ft K Och - Clj(pLllSfi)使用瞬态热阻一I但是:25C RDS(on; JS-D间内三二朝笹的额
4、定电濫|Z _ 一 I I 2 灯ER)DS 朋-2AP V(brjdss - VnssFMi的温度降載是Pch(T)t = Pch(25nC K T站喰一 “ Tchmsx-25Tchmax - TcOch-c -Pchi取决于封装和芯片的尺寸)團1功率MOS FET的绝对最大额定佰VDSs最大漏-源电压在栅源短接,漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最 大电压。根据温度的不同,实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详 细描述请参见静电学特性。VGS最大栅源电压VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防 止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压,但是 会随制造工艺的不同而改变,因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。ID -连续漏电流ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下,管表面温度在25C或者更高温度下,可允许的最大连续直流电流。该参数为结与管売之间额定热阻Re JC和管売温度的函数:2YD :DSon_Tjinax_ Tjmax _ 7 C Derated
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