2020-华南理工-数字逻辑-随堂作业.doc

1、第一章 微电子器件基础 1.1 半导体的基础知识随堂练习提交截止时间：2020-06-14 23:59:59当前页有10题，你已做10题，已提交10题，其中答对10题。1.(单选题) 一般而言，自然界中的物质按其导电性能可分为（ ） A 导体 B 绝缘体 C 半导体 D 以上都是答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：D问题解析：2.(单选题) 下列属于半导体的是（ ）答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：C问题解析：3.(单选题) 半导体材料具有的独特性能有（ ） A 热敏性和光敏性 B 光敏性和掺杂性 C热敏性和掺杂性 D 热敏性、光敏性和掺杂性答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：D问题解析：4.(单选题) 下列各项中（ ）是本征半导体 A P型半导体 B N型半导体 C PN结 D 纯净的半导体答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：D问题解析：5.(单选题) N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ ）A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：D问题解析：6.(单选题) P型半导体是在本征半导体中加入（ ）

2、物质后形成的A电子 B.空穴 C.三价硼元素 D.五价磷元答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：C问题解析：7.(单选题) 按掺入杂质的不同，杂质半导体分为（）。 A 电流型和电压型半导体 B 电子型和空穴型半导体 C 空穴型和电流型半导体 D 电压型和电子型半导体答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：B问题解析：8.(单选题) P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈 （ ）性 A 负电 B 正电 C 电中 D 弱负电答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：C问题解析：9.(单选题) 在N型半导体中，具有的载流子的特性为（ ） A 电子为多子，空穴为少子 B 空穴是多子 电子为少子 C 电子和空穴同样多 D 电子和空穴都比较少答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：A问题解析：10.(单选题) PN结具有（ ）特性 A 正偏 B 反偏 C 单向 D 双向答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：C问题解析：11.(单选题) 半导体受光照，导电性能（ ）。A增强 B 减弱 C不变 D 先增强后减弱答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：A问题解析：12.(单

3、选题) 半导体中传导电流的载流子是（ ）。 A电子 B空穴 C电子和空穴 D 以上都不对答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：C问题解析：13.(单选题) 交通信号灯采用的是 （ ）管。A发光二极管 B光电二极管 C变容二极管 D整流二极管答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：A问题解析：14.(单选题) 关于PN结下列说法正确的是：（）。 A PN结是P型，N型半导体混合制成的B PN结是P型，N型半导体相接触形成的C PN结是P型半导体中掺入少量N型半导体形成的D PN结是N型半导体中掺入少量P型半导体形成的答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：B问题解析：15.(单选题) 半导体的导电能力（ ） A 与导体相同 B 与绝缘体相同 C 介于导体和绝缘体之间 D 比导体好答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：C问题解析：16.(单选题) PN结外加正向电压时，其耗尽层（）。 A不变 B变宽 C变窄 D无法确定答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：C问题解析：17.(单选题) PN结反向偏置时，其内电场被（ ） A.削弱 B 增强 C 不变 D 不确定答题：A.B.

4、C.D.（已提交）参考答案：B问题解析：18.(单选题) PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ ）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：A问题解析：第一章 微电子器件基础 1.2 半导体二极管随堂练习提交截止时间：2020-06-14 23:59:59当前页有7题，你已做7题，已提交7题，其中答对6题。1.(单选题) 半导体二极管的主要特点是具有（ ） A 电流放大作用 B 单向导电性 C 电压放大作用 D 双向导电性答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：B问题解析：2.(单选题) 二极管导通的条件是加在二极管两端的电压（ ） A 正向电压大于二极管的死区电压 B 正向电压大于零 C 必须加反向电压 D 以上都不对答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：A问题解析：3.(单选题) 若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（ ） A 正、反向电阻相等 B 正向电阻答，反向电阻小 C 反向电阻比正向电阻大很多 D 正、反向电阻都等于无穷大答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：

5、C问题解析：4.(单选题) 二极管反偏时，以下说法正确的是（ ） A 在达到反向击穿电压之前通过电流很小，称为反向饱和电流； B 在达到死区电压之前，反向电流很小； C 二极管反偏一定截止，电流很小，与外加反偏电压大小无关。 D 电流一直很小答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：A问题解析：5.(单选题) 把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（ ）。A、基本正常 B、将被击穿 C、将被烧坏 D、电流为零答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：A问题解析：6.(单选题) 当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，是因为此时PN结内部（ ） A多数载流子浓度增大 B 少数载流子增大 C多数载流子浓度减小 D 少数载流子减小答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：B问题解析：7.(单选题) 用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1K，说明该二极管（ ）。 A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判断。答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：C问题解析：第一章 微电子器件基础 1.3 双极型晶

6、体管及其开关特性随堂练习提交截止时间：2020-06-14 23:59:59当前页有10题，你已做10题，已提交10题，其中答对7题。1.(单选题) 双极型晶体管是一种（ ）的半导体器件。A电压控制 B电流控制 C既是电压控制又是电流控制 D功率控制答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：A问题解析：2.(单选题) 双极型晶体管要能正常实现放大功能，必须（ ） A 发射结正偏，集电结反偏 B 发射结反偏，集电结正偏 C 发射结和集电结都正偏 D 发射结和集电结都反偏答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：A问题解析：3.(单选题) 双极型晶体管在制作工艺上的具体要求为（ ） A 发射区掺杂浓度最高，集电区掺杂浓度最低 B 发射区掺杂浓度最低，集电区掺杂浓度最高 C 三个区的掺杂浓度相同 D 基区掺杂浓度最高，发射区和集电区掺杂浓度相同答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：A问题解析：4.(单选题) 三级管工作在截止区，要求（） A发射结正偏，集电结正偏B发射结正偏，集电结反偏 C发射结反偏，集电结正偏D发射结反偏，集电结反偏答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：D问题解析：

7、5.(单选题) 三级管工作在截止区，要求（） A发射结正偏，集电结正偏B发射结正偏，集电结反偏 C发射结反偏，集电结正偏D发射结反偏，集电结反偏答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：A问题解析：6.(单选题) 在数字电路中，双极型晶体管一般工作在（ ）状态。 A 截止和饱和 B 放大和截止 C 放大和饱和 D 放大、饱和和截止答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：A问题解析：7.(单选题) 测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE2.1V，VB2.8V，VC4.4V，说明此三极管处在（ ）。 A放大区 B饱和区 C截止区 D反向击穿区答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：A问题解析：8.(单选题) 三极管超过（ ）所示极限参数时，必定被损坏。A集电极最大允许电流ICM； B集射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C集电极最大允许耗散功率PCM； D管子的电流放大倍数。答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：C问题解析：9.(单选题) 下列选项中，不属三极管的参数是（ ）。 A电流放大系数B最大整流电流 C集电极最大允许电流D集电极最大允许耗散功率答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：B问题解析：10.(单选题) 三极管值是反映（B）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A电压控制电压 B电流控制电流 C电压控制电流 D电流控制电压答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：B问题解析：第一章 微电子器件基础 1.4 场效应管及其开关特性随堂练习提交截止时间：2020-06-14 23:59:59当前页有7题，你已做7题，已提交7题，其中答对5题。1.(单选题) 单极型半导体器件是（ ）。 A二极管 B双极型三极管 C场效应管 D稳压管答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：C问题解析：2.(单选题) 绝缘栅型场效应管的输入电流（ ）。 A较大 B较小 C为零 D无法判断答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：C问题解析：3.(单选题) 场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）。 A非饱和区 B饱和区 C截止区 D击穿区答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：B问题解析：4.(单选题) 描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是

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