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成稿单相半控桥式晶闸管整流电路课程设计

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  • 卖家[上传人]:cl****1
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  • 上传时间:2023-06-20
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    • 1、 电力电子 课 程 设 计 单相半控桥式晶闸管整流电路设计 (带续流二极管、反电势 电阻负载) 院 别: 机械与电子工程学院 专业年级: 电气工程自动化姓 名: 学 号: 指导老师: 起止日期: 1.设计任务书一、设计题目单相半控桥式晶闸管整流电路设计(带续流二极管、反电势、电阻负载)二、设计目的 通过电力电子变流技术的课程设计达到以下几个目的: 1、培养学生文献检索的能力,特别是如何利用Internet检索需要的文献资料。2培养学生综合分析问题、发现问题和解决问题的能力。3、培养学生运用知识的能力和工程设计的能力。4、培养学生运用仿真工具的能力和方法。5、提高学生课程设计报告撰写水平。三、设计数据: 1、电源电压:交流100V/50Hz 2、输出功率:500W 3、移相范围30150 4、反电势:E=70V四、设计内容: 单相半控桥式晶闸管整流电路的设计 (带续流二极管)(反电势、电阻负载)五、设计要求(1)画出电路原理图(2)完成参数计算六、课程设计报告要求课程设计用纸和格式统一,要求图表规范,文字通顺,逻辑性强。设计报告不少于20页。1、设计的基本要求(给出所要设计的装置的主要技

      2、术数据和设计装置要达到的要求(包括性能指标),最好剑术所设计装置的主要用途)2、总体方案的确定(包括调制方式,pwm控制方法,主电路形式确定等)3、具体电路设计(主电路设控制电路设计以及参数计算等)4、附录(电路图,仿真结果图等)5、参考文献前 言电力电子学,又称功率电子学(Power Electronics)。它主要研究各种电力电子器件,以及由这些电力电子器件所构成的各式各样的电路或装置,以完成对电能的变换和控制。它既是电子学在强电(高电压、大电流)或电工领域的一个分支,又是电工学在弱电(低电压、小电流)或电子领域的一个分支,或者说是强弱电相结合的新科学。电力电子学是横跨“电子”、“电力”和“控制”三个领域的一个新兴工程技术学科。随着科学技术的日益发展,人们对电路的要求也越来越高,由于在生产实际中需要大小可调的直流电源,而相控整流电路结构简单、控制方便、性能稳定,利用它可以方便地得到大中、小各种容量的直流电能,是目前获得直流电能的主要方法,得到了广泛应用。在电能的生产和传输上,目前是以交流电为主。电力网供给用户的是交流电,而在许多场合,例如电解、蓄电池的充电、直流电动机等,需要用直流

      3、电。要得到直流电,除了直流发电机外,最普遍应用的是利用各种半导体元件产生直流电。这个方法中,整流是最基础的一步。整流,即利用具有单向导电特性的器件,把方向和大小交变的电流变换为直流电。整流的基础是整流电路。由于电力电子技术是将电子技术和控制技术引入传统的电力技术领域,利用半导体电力开关器件组成各种电力变换电路实现电能和变换和控制,而构成的一门完整的学科。故其学习方法与电子技术和控制技术有很多相似之处,因此要学好这门课就必须做好课程设计,因而我们进行了此次课程设计。 我们知道,单相整流器的电路形式是各种各样的,整流的结构也是比较多的。单相桥式半控整流电路,对每个导电回路进行控制,相对于全控桥而言少了一个控制器件,用二极管代替,有利于降低损耗!故我们将单结晶体管触发的单相晶闸管半控整流电路这一课题作为这一课程的课程设计的课题。第一章 单相半控桥式整流电路供电方案的选择1.1 具体供电方案电源电压:交流100V/50Hz第二章 单相半控桥式(反电动势、电阻负载)整流电路主电路设计2.1主电路原理图波 形 图:2.2变压器二次侧电压的计算电源电压:交流100V/50Hz,输出功率:500KW,

      4、移相范围30150,反电势:E=70V。设R=52.3变压器一 、二次侧电流的计算P=Ud/R Ud=50v。P=IdR, Id=10AU1/U2=220/100=11/5, N1/N2=11/5I2=5id /6=25/3A2.4变压器容量的计算S=U1i1=10025/3=833.33kv.A2.5变压器型号的选择N1:N2=11/5, S=833.33kv.A第三章 电路元件的选择3.1整流元件的选择由于单相桥式半控反电动势、电阻负载电路主要器件是晶闸管,所以选取元件时主要考虑晶闸管的参数及其选取原则。3.1.1晶闸管的结构晶闸管是大功率的半导体器件,从总体结构上看,可区分为管芯及散热器两大部分,分别如图1-6及图1-7所示。 a) 螺栓型 b)平板型 c)符号图晶闸管管芯及电路符号表示管芯是晶闸管的本体部分,由半导体材料构成,具有三个与外电路可以连接的电极:阳极,阴极和门极(或称控制极),其电路图中符号表示如图1-6c)所示。散热器则是为了将管芯在工作时由损耗产生的热量带走而设置的冷却器。按照晶闸管管芯与散热器间的安装方式,晶闸管可分为螺栓型与平板型两种。螺栓型(图1-6a)依

      5、靠螺栓将管芯与散热器紧密连接在一起,并靠相互接触的一个面传递热量。a)自冷 b)风冷 c)水冷 图晶闸管的散热器晶闸管管芯的内部结构如图1-3所示,是一个四层(P1N1P2N2)三端(A、K、G)的功率半导体器件。它是在N型的硅基片(N1)的两边扩散型半导体杂质层(P1、P2),形成了两个PN结J1、J2。再在P2层内扩散型半导体杂质层N2又形成另一个PN结J3。然后在相应位置放置钼片作电极,引出阳极A,阴极K及门极G,形成了一个四层三端的大功率电子元件。这个四层半导体器件由于三个PN结的存在,决定了它的可控导通特性。3.1.2晶闸管的工作原理通过理论分析和实验验证表明:1) 只有当晶闸管同时承受正向阳极电压和正向门极电压时晶闸管才能导通,两者不可缺一。2) 晶闸管一旦导通后门极将失去控制作用,门极电压对管子随后的导通或关断均不起作用,故使晶闸管导通的门极电压不必是一个持续的直流电压,只要是一个具有一定宽度的正向脉冲电压即可,脉冲的宽度与晶闸管的开通特性及负载性质有关。这个脉冲常称之为触发脉冲。3) 要使已导通的晶闸管关断,必须使阳极电流降低到某一数值之下(约几十毫安)。这可以通过增大

      6、负载电阻,降低阳极电压至接近于零或施加反向阳极电压来实现。这个能保持晶闸管导通的最小电流称为维持电流,是晶闸管的一个重要参数。晶闸管为什么会有以上导通和关断的特性,这与晶闸管内部发生的物理过程有关。晶闸管是一个具有P1N1P2N2四层半导体的器件,内部形成有三个PN结J1、J2、J3,晶闸管承受正向阳极电压时,其中J1、J3承受反向阻断电压,J2承受正向阻断电压。这三个PN结的功能可以看作是一个PNP型三极管VT1(P1N1P2)和一个NPN型三极管VT2(N1P2N2)构成的复合作用,如图1-9所示。图晶闸管的等效复合三极管效应可以看出,两个晶体管连接的特点是一个晶体管的集电极电流就是另一个晶体管的基极电流,当有足够的门极电流Ig流入时,两个相互复合的晶体管电路就会形成强烈的正反馈,导致两个晶体管饱和导通,也即晶闸管的导通。如果晶闸管承受的是反向阳极电压,由于等效晶体管VT1、VT2均处于反压状态,无论有无门极电流Ig,晶闸管都不能导通。3.13晶闸管的基本特性1静态特性静态特性又称伏安特性,指的是器件端电压与电流的关系。这里介绍阳极伏安特性和门极伏安特性。(1) 阳极伏安特性晶闸管

      7、的阳极伏安特性表示晶闸管阳极与阴极之间的电压Uak与阳极电流ia之间的关系曲线,如图1-10所示。图6.5 晶闸管阳极伏安特性正向阻断高阻区;负阻区;正向导通低阻区;反向阻断高阻区阳极伏安特性可以划分为两个区域:第象限为正向特性区,第象限为反向特性区。第象限的正向特性又可分为正向阻断状态及正向导通状态。(2) 门极伏安特性晶闸管的门极与阴极间存在着一个PN结J3,门极伏安特性就是指这个PN结上正向门极电压Ug与门极电流Ig间的关系。由于这个结的伏安特性很分散,无法找到一条典型的代表曲线,只能用一条极限高阻门极特性和一条极限低阻门极特性之间的一片区域来代表所有元件的门极伏安特性,如图1-11阴影区域所示。 图6.6 晶闸管门极伏安特性2动态特性晶闸管常应用于低频的相控电力电子电路时,有时也在高频电力电子电路中得到应用,如逆变器等。在高频电路应用时,需要严格地考虑晶闸管的开关特性,即开通特性和关断特性。(1)开通特性晶闸管由截止转为导通的过程为开通过程。图1-12给出了晶闸管的开关特性。在晶闸管处在正向阻断的条件下突加门极触发电流,由于晶闸管内部正反馈过程及外电路电感的影响,阳极电流的增长需要一定的时间。从突加门极电流时刻到阳极电流上升到稳定值IT的10%所需的时间称为延迟时间td,而阳

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