晶体管工作原理.
46页1、2.1 晶体管,晶体管又称半导体三极管,晶体管是最重要的一种半导体器件之一,它的放大作用和开关作用,促使了电子技术的飞跃。,2 晶体管及放大电路基础,晶体管图片,2.1.1 晶体管的结构,1. NPN型晶体管结构示意图和符号,(2) 根据使用的半导体材料分为: 硅管和锗管,(1) 根据结构分为: NPN型和PNP型,晶体管的主要类型,发射区,集电区,基区,发射极E(e),集电极C(c),发射结JE,集电结JC,基极B(b),NPN型晶体管结构示意图,NPN型晶体管符号,2. PNP型晶体管结构示意图和符号,(1) 发射区小,掺杂浓度高。,3. 晶体管的内部结构特点(具有放大作用的内部条件),平面型晶体管的结构示意图,(2) 集电区面积大。,(3) 基区掺杂浓度很低,且很薄。,2.1.2 晶体管的工作原理(以NPN型管为例),依据两个PN结的偏置情况,放大状态,饱和状态,截止状态,倒置状态,1发射结正向偏置、集电结反向偏置放大状态,原理图,电路图,(1) 电流关系,a. 发射区向基区扩散电子,形成发射极电流IE,发射区向基区扩散电子,称扩散到基区的发射区多子为非平衡少子,b. 基区向发射
2、区扩散空穴,基区向发射区扩散空穴,发射区向基区扩散电子,形成空穴电流,因为发射区的掺杂浓度远大于基区浓度,空穴电流可忽略不记。,基区向发射区扩散空穴,发射区向基区扩散电子,c. 基区电子的扩散和复合,非平衡少子在基区复合,形成基极电流IB,非平衡少子向集电结扩散,非平衡少子到达集电区,d. 集电区收集从发射区扩散过来的电子,形成发射极电流IC,少子漂移形成反向饱和电流ICBO,e. 集电区、基区少子相互漂移,集电区少子空穴向基区漂移,基区少子电子向集电区漂移,晶体管的电流分配关系动画演示,发射结回路为输入回路,集电结回路为输出回路。,基极是两个回路的公共端,称这种接法为共基极接法。,输入回路,输出回路,定义,称为共基极直流电流放大系数,各电极电流之间的关系,IE=IC+IB,晶体管共射极接法,原理图,电路图,定义,为共射极直流电流放大系数,当UCEUCB时,集电结正偏,发射结反偏,晶体管仍工作于放大状态。,各电极电流之间的关系,ICEO称为穿透电流,或,一般情况,如果 UBE 0,那么IB 0, IC 0 ,IE 0,当输入回路电压,U BE =UBE+UBE,那么,I B =IB+I
《晶体管工作原理.》由会员suns****4568分享,可在线阅读,更多相关《晶体管工作原理.》请在金锄头文库上搜索。
土地管理与地籍测量---第八章界址点测量
人机工程学案例分析(2)
工程安全培训_201303
第9章房地产投资决策分析
第2章房地产经纪制度
ACM程序设计-东北林业大学acm05
《亲爱的汉修先生》读书交流会
中原_深圳新世界尖岗山项目市场汇报_40P_2012年_别墅_项目分析_量价走势
五年级数学质量分析演示文稿
人工智能小镇-智慧小镇建设20180525
景观基本知识及发展历程
建设工程信息管理(2)
机电驱动技术第二章步进驱动技术
工程力学-第9章圆轴扭转时的应力变形分析与强度刚度设计
第一章第二节幼儿园文化环境建设的原则
第一章检测技术的基础知识
第一章__现代表面工程技术
第六章钢结构工程
第9节项目试运行管理
班主任工作经验交流课件(4)
2024-05-04 36页
2024-05-04 22页
2024-05-04 27页
2024-05-04 27页
2024-05-04 27页
2024-05-04 30页
2024-05-04 27页
2024-05-04 35页
2024-05-04 35页
2024-05-04 26页