模电课件第三章
26页1、第三章 场效应管放大器,绝缘栅场效应管 结型场效应管,3.2 场效应管放大电路,效应管放大器的静态偏置 效应管放大器的交流小信号模型 效应管放大电路,3.1 场效应管,3.1 场效应管,BJT是一种电流控制元件(iB iC),工作时,多数载流子和少数载流子都参与运行,所以被称为双极型器件。 场效应管(Field Effect Transistor简称FET)是一种电压控制器件(uGS iD) ,工作时,只有一种载流子参与导电,因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单,功耗小,温度特性好,输入电阻极高等优点,得到了广泛应用。,FET分类:,绝缘栅场效应管,结型场效应管,增强型,耗尽型,N沟道,P沟道,N沟道,P沟道,N沟道,P沟道,一. 绝缘栅场效应管,绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET),简称MOSFET。分为: 增强型 N沟道、P沟道 耗尽型 N沟道、P沟道,1.N沟道增强型MOS管 (1)结构 4个电极:漏极D, 源极S,栅极G和 衬底B。,符号:,当uGS0V时纵向电场 将靠近栅极下方的空穴向下排斥耗尽层。,(2)工作原理,当uG
2、S=0V时,漏源之间相当两个背靠背的 二极管,在d、s之间加上电压也不会形成电流,即管子截止。,再增加uGS纵向电场 将P区少子电子聚集到 P区表面形成导电沟道,如果此时加有漏源电压,就可以形成漏极电流id。,栅源电压uGS的控制作用,定义: 开启电压( UT)刚刚产生沟道所需的 栅源电压UGS。,N沟道增强型MOS管的基本特性: uGS UT,管子截止, uGS UT,管子导通。 uGS 越大,沟道越宽,在相同的漏源电压uDS作用下,漏极电流ID越大。,转移特性曲线: iD=f(uGS)uDS=const,可根据输出特性曲线作出移特性曲线。 例:作uDS=10V的一条转移特性曲线:,UT,一个重要参数跨导gm:,gm=iD/uGS uDS=const (单位mS) gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 在转移特性曲线上, gm为的曲线的斜率。 在输出特性曲线上也可求出gm。,2.N沟道耗尽型MOSFET,特点: 当uGS=0时,就有沟道,加入uDS,就有iD。 当uGS0时,沟道增宽,iD进一步增加。 当uGS0时,沟道变窄,iD减小。,在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的
3、金属正离子。所以当uGS=0时,这些正离子已经感应出反型层,形成了沟道。,定义: 夹断电压( UP)沟道刚刚消失所需的栅源电压uGS。,3、P沟道耗尽型MOSFET,P沟道MOSFET的工作原理与N沟道 MOSFET完全相同,只不过导电的载流子不同,供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。,4. MOS管的主要参数,(1)开启电压UT (2)夹断电压UP (3)跨导gm :gm=iD/uGS uDS=const (4)直流输入电阻RGS 栅源间的等效电阻。由于MOS管栅源间有sio2绝缘层,输入电阻可达1091015。,二. 结型场效应管,1. 结型场效应管的结构(以N沟为例):,两个PN结夹着一个N型沟道。三个电极: g:栅极 d:漏极 s:源极,符号:,N沟道,P沟道,2. 结型场效应管的工作原理,(1)栅源电压对沟道的控制作用,在栅源间加负电压uGS ,令uDS =0 当uGS=0时,为平衡PN结,导电沟道最宽。,当uGS时,PN结反偏,耗尽层变宽,导电沟道变窄,沟道电阻增大。,当uGS到一定值时 ,沟道会完全合拢。,定义: 夹断电压UP使导电沟道完全合
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