晶体生长设备项目风险规划管理（范文）

1、泓域/晶体生长设备项目风险规划管理晶体生长设备项目风险规划管理目录一、 产业环境分析3二、 CMP：半导体平坦化核心技术，国内龙头放量在即4三、 必要性分析7四、 风险规划的过程活动7五、 风险规划过程目标10六、 风险规划的任务11七、 风险规划的需求与目的12八、 公司概况13公司合并资产负债表主要数据13公司合并利润表主要数据14九、 项目规划进度14项目实施进度计划一览表14十、 投资方案15建设投资估算表17建设期利息估算表18流动资金估算表20总投资及构成一览表21项目投资计划与资金筹措一览表22一、 产业环境分析西安，简称镐，古称长安、镐京，是陕西省省会、副省级市、特大城市、关中平原城市群核心城市，国务院批复确定的中国西部地区重要的中心城市，国家重要的科研、教育、工业基地。截至2018年，全市下辖11个区、2个县，总面积10752平方千米，建成区面积700.27平方千米，常住人口1000.37万人，城镇人口740.37万人，城镇化率74.01%。西安地处中国西北地区、关中平原中部、北濒渭河、南依秦岭，八水润长安，是中华文明和中华民族重要发祥地之一，丝绸之路的起点，历史上先

2、后有十多个王朝在此建都，地处联合国教科文组织于1981年确定的世界历史名城。丰镐都城、秦阿房宫、兵马俑，汉未央宫、长乐宫，隋大兴城，唐大明宫、兴庆宫等勾勒出长安情结。西安是中国最佳旅游目的地、中国国际形象最佳城市之一，有两项六处遗产被列入世界遗产名录，分别是：秦始皇陵及兵马俑、大雁塔、小雁塔、唐长安城大明宫遗址、汉长安城未央宫遗址、兴教寺塔。另有西安城墙、钟鼓楼、华清池、终南山、大唐芙蓉园、陕西历史博物馆、碑林等景点。西安拥有西安交通大学、西北工业大学、西安电子科技大学等7所双一流建设高校。2018年2月，国家发展和改革委员会、住房和城乡建设部发布关中平原城市群发展规划支持西安建设国家中心城市、国际性综合交通枢纽、建成具有历史文化特色的国际化大都市。2019年11月25日，入选中国最具幸福感城市。二、 CMP：半导体平坦化核心技术，国内龙头放量在即CMP，又名化学机械抛光，是半导体硅片表面加工的关键技术之一。CMP是半导体先进制程中的关键技术，伴随制程节点的不断突破，CMP已成为035m及以下制程不可或缺的平坦化工艺，关乎着后续工艺良率。CMP采用机械摩擦和化学腐蚀相结合的工艺，与普通

3、的机械抛光相比，具有加工成本低、方法简单、良率高、可同时兼顾全局和局部平坦化等特点。其中化学腐蚀的主要耗材为抛光液，机械摩擦的主要耗材为抛光垫，两者共同决定了CMP工艺的性能及良率。（一）CMP系统复杂，抛光液和抛光垫为核心CMP系统主要耗材可分为抛光液和抛光垫，分别占据抛光材料成本的49%和33%。其他抛光材料还包括抛光头、研磨盘、检测设备、清洗设备等。抛光液是一种由去离子水、磨料、PH值调节剂、氧化剂以及分散剂等添加剂组成的水溶性试剂。在抛光的过程中，抛光液中的氧化剂等成分与硅片表面材料产生化学反应，在表面产生一层化学反应薄膜，后由抛光液中的磨粒在压力和摩擦的作用下将其去除，最终实现抛光。抛光液可根据应用工艺环节、配方中磨粒、PH值的不同进行分类。根据配方中磨粒的不同，可分为二氧化硅、氧化铈、氧化铝磨粒等三大类。二氧化硅磨粒活性强、易于清洗且分散性及选择性好，多用于硅、SiO2层间介电层的抛光。缺点是硬度大，容易对硅片表面造成损伤，且抛光效率较低。氧化铝磨粒抛光效率高，但硬度强、选择性低且团聚严重，因此抛光液中常需加入各类稳定剂和分散剂，导致成本相对较高。氧化铈磨粒硬度低，抛光效率

4、高，平坦度高，清洁无污染，但团聚严重，也需加入各类稳定剂和分散剂，且铈属于稀有金属，成本较高。根据PH值的不同，可分为酸性抛光液和碱性抛光液。酸性抛光液具有抛光效率高、可溶性强等优点，多用于对铜、钨、铝、钛等金属材料进行抛光。其缺点是腐蚀性较大，对抛光设备要求高，所以常选择向抛光液中添加抗蚀剂（BTA）提高选择性，但BTA的添加容易降低抛光液的稳定性。不同于酸性抛光液，碱性抛光液具有腐蚀性小、选择性高等优点，多数用于抛光硅、氧化物及光阻材料等非金属材料。碱性抛光液的缺点也较为明显，因为不容易找到在弱碱性中氧化势高的氧化剂，所以抛光效率较低。抛光垫是负责输送和容纳抛光液的关键部件。在抛光的过程中，抛光垫具有把抛光液有效均匀地输送到抛光垫的不同区域、清除抛光后的反应物、碎屑等、维持抛光垫表面的抛光液薄膜，以便化学反应充分进行、保持抛光过程的平稳、和晶圆片表面不变形等功能。（二）工艺制程持续升级，CMP市场稳定增长半导体行业高景气带动CMP市场稳定增长。伴随半导体材料行业景气度向上，CMP材料市场有望受下游市场驱动，保持稳健增速。2020年全球抛光液和抛光垫全球市场规模分别为134和82亿美

5、元。中国CMP材料市场涨幅趋势与国际一致，2021年抛光液和抛光垫市场规模分别为22和13亿元。中国正全面发展半导体材料产业，CMP抛光产业未来增长空间广阔。先进制程为CMP材料市场扩容提供动力。随着芯片制程不断微型化，IC芯片互联结构变得更加复杂，所需抛光次数和抛光材料的种类也逐渐变多。在芯片制造过程中，需要将电路以堆叠的方式组合起来，制程越精细，所堆叠的层数就越多。在堆叠的过程中，需要使用到氧化层、介质层、阻挡层、互连层等多个薄膜层交错排列，且每个薄膜层所用到的抛光材料也不相同。此外，随着NAND存储芯片结构逐渐由2D转向3D，CMP抛光层数和所用到的抛光材料种类也在不断增加。根据美国陶氏杜邦公司公开数据，5nm制程中抛光次数将达25-34次，64层3DNAND芯片中的抛光次数将达到17-32次，抛光次数均较前一代制程大幅增加。伴随制程工艺的发展，CMP材料市场有望不断扩容，成长空间较大。三、 必要性分析1、提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发

6、展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。四、 风险规划的过程活动风险规划的过程活动是将按优先级排列的风险列表转变为风险应对计划所需的任务，是一种系统活动过程。风险规划的早期工作是确定项目风险管理目的和目标，明确具体区域的职责，明确需要补充的技术专业，规定评估过程和需要考虑的区域，规定选择处理方案的程序，规定评级图，确定报告和文档需求，规定报告要求和监控衡量标准等。风险规划过程活动包括以下内容：（1）设定可能出现的严重风险；（2）制定风险应对备用方案；（3）选择风险应对途径；（4）制订风险行动计划；（5）确定风险模板；（6）确定风险数据库模式。下面简要分析风险规划的过程活动，这些步骤可以重复使用，也可同时使用。1、设定可能出现的严重风险风险设想是对可能导致风险发生的事件和情况的设想。应针对所有对项目成功有关键作用的风险来进行风险设想。确定风险设想一般有三个步骤（1）假设风险已经发生，考虑如何应对风险；（2）假设风险将要发生，说明风险设想（3）列出风险发生之前的事件和情况。2、制定风险应对备用方案风险应对备用方案是指，应对风险的

7、一套选择方案。风险应对策略用接受、避免、保护、减少、研究、储备和转移来制定风险应对备用方案。每种策略应包括目标、约束和备用方案。风险应对策略的定义和示例具体参见第6章。3、选择风险应对途径风险应对途径缩小了选择范围，并将选择集中在应对风险的最佳备用方案上。可将几种风险应对策略结合为一条综合途径。例如，你可能决定通过市场调查来获得统计数据，根据调查结果，可能会将风险转移到第三方，也可能使用风险储备，开发新的内部技术。选择标准有助于确定应对风险的最佳备用方案。4、制订风险管理计划风险管理计划详细说明了所选择的风险应对途径，它将途径、所需的资源和批准权力编写为文档，一般应包含下列因素：（1）批准权力；（2）负责人；（3）所需资源；（4）开始日期；（5）活动；（6）预计结束日期；（7）采取的行动；（8）取得的结果。5、建立风险管理模板风险管理模板规定了风险管理的基本程序、风险的量化目标、风险告警级别、风险的控制标准等，从而使风险管理标准化、程序化和科学化。6、确定项目风险数据库模式项目风险数据库设计一般包括数据库结构和数据文件两部分，包含了项目生命周期过程所有的相关活动。一个项目风险数据库至少

8、应包括下列数据字段：存入号码项目风险应对日期阶段决策状态功能风险行动计划识别者WBS元素定量的目标风险类型风险陈述指标风险标题风险场景阈值可能性风险分析触发器后果现在的优先级成本时间框架以前的优先级节省的成本五、 风险规划过程目标当风险规划过程满足下列目标时，就说明它是充分的：（1）能看出主要事件和风险演化为问题的条件；（2）重用成功的风险应对策略；（3）优化选择标准（如风险倍率或风险多样化）；（4）能理解为每一个严重的风险采取的下一步行动；（5）建立自动触发机制。六、 风险规划的任务风险规划是指确定一套系统全面的、有机配合的、协调一致的策略和方法并将其形成文件的过程，这套策略和方法可用于辨识和跟踪风险区，拟定风险缓解方案，进行持续的风险评估，从而确定风险变化情况并配置充足的资源。风险规划阶段主要考虑的问题有：第一，风险管理策略是否正确、可行？第二，实施的管理策略和手段是否符合总目标？因此，风险规划主要工作包括以下两方面：一是决策者针对项目面对的形势选定行动方案。一经选定，就要制定执行这一行动方案的计划。为了使计划切实可行，常常还需要进行再分析，特别是要检查计划是否与其他已做出的或将要

9、做出的决策冲突，为以后留出灵活余地。一般只有在获得了关于将来潜在风险以及防止其他风险足够多的信息之后才能做出决策，应当避免过早的决策。二是选择适合于已选定行动路线的风险规避策略。选定的风险规避策略要写入风险管理计划和风险规避策略计划中。七、 风险规划的需求与目的在人类的大多数活动中，风险都以不同形式和程度出现。风险一般有下列基本特征：（1）一般至少是部分未知的；（2）随时间而变化；（3）是可管理的，即可以通过人为活动来改变它的形式和程度。风险管理规划就是通过下述活动过程，提出风险管理行动的详细计划：（1）制定一份结构完备、内容全面且相互协调的风险管理策略并形成文件；（2）确定项目实施风险管理策略方法；（3）规划资源。风险规划是一个迭代过程，包括评估、控制、监控和记录项目风险的各种活动，其结果就是风险管理计划（RMP）。通过制定风险规划，实现下列目的：（1）尽可能消除风险；（2）隔离风险并使之尽量降低；（3）制定若干备选行动方案；（4）建立时间和经费储备以应付不可避免的风险。风险管理规划的目的，简单地说，就是强化有组织、有目的的风险管理思路和途径，以消除、尽量减轻或遏制不希望发生事件的不良影响。八、 公司概况（一）公司基本信息1、公司名称：xx有限责任公司2、法定代表人：方xx3、注册资本：1490万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2011-8-257、营业期限：2011-8-25至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx（二）公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年

《晶体生长设备项目风险规划管理（范文）》由会员m****分享，可在线阅读，更多相关《晶体生长设备项目风险规划管理（范文）》请在金锄头文库上搜索。