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国产存储芯片格局发展分析

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卖家[上传人]：Baige****0346

文档编号：265404712

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1、国产存储芯片新格局2020年真正实现大规模量产全文字数：2279字，精读时间：5分钟2020年国产存储芯片有望迎来新拐点存储器芯片是集成电路价值量最大的产品之一，存储芯片产业是国家战略产业，直接关系到电子信息产业的发展，中国正逐渐在全产业链各个环节中实现对进口产品的替代。2019年，由于市场低迷及产能过剩，存储芯片价格一路走跌，2019年底稍有回暖迹象。国产存储芯片在刚刚过去的2019年成长显著，兆易创新受益于TWS业绩一路攀升，长江存储64层256 GB 3D NAND量产，长鑫存储10纳米级8Gb DDR4宣布投产。随着5G、物联网、可穿戴设备等市场需求强劲，预计2020年NOR、NAND和DRAM将会迎来不同幅度的需求增长及价格上浮。在市场需求推动和自身力量积蓄下，2020年国产存储芯片有望迎来新拐点。三大存储器应用，难以相互代替，市场自成体系存储器芯片是半导体存储产品的核心，是电子系统中负责数据存储的核心硬件单元，其存储量与读取速度直接影响电子设备性能。半导体存储按照掉电后是否保存数据，分为易失性存储和非易失性存储。易失性存储主要以随机存取器RAM为主，使用量最大的为动态随

2、机存储DRAM。非易失性存储中最常见的为NOR Flash与NAND Flash，其中NOR Flash因其读取速度快且可擦除写入，被作为代码存储的主要器件，NAND Flash在高容量时具有成本优势，且读写速度比传统的光学、磁性存储器快，是现在主流的大容量数据存储器件。中国在DRAM、NAND Flash芯片领域，仍落后于国际领先水平DRAM制程发展到1x，1y，1z（20nm-10nm之间）阶段很难再进一步缩小，因为随着制程工艺的提高，在到达一定水平后，存储芯片的稳定性会下降，而一般认为10nm是临界点。DRAM目前还在1x、1y水平，有望在2020年进入1z阶段，中国DRAM厂商与国际领先水平仍有不小的差距。NAND制程目前基本已达到极限，近年来开始从2D转向3D发展，使中国的技术与国际大厂的差距有望逐渐缩小。目前国际上通用3D NAND为96层，而中国长江存储已实现64层，差距只有一代。5G、物联网技术赋能，未来市场规模将进一步扩大近五年来，受PC及移动端电子设备内存容量不断扩大，以TWS为代表的可穿戴设备新型消费级市场快速扩张，以及大数据云计算技术不断释放对企业级存储的需求等

3、多方因素的影响，中国存储器芯片行业整体不断发展，市场规模（以销售额计）从2015年的45.2亿美元增长到了2019年123.8亿美元，年复合增长率高达28.6%。由于当前存储器芯片应用广泛，同时下游消费电子市场份额逐年扩大，且未来5G及物联网技术将进一步为中国存储器芯片的整体发展赋能，预计未来中国存储器芯片还将继续保持稳定增长的态势。存储器芯片品牌化程度较弱，国产芯片有望弯道超车存储器芯片产品具有典型的大宗商品属性，差异化竞争较小，不同企业生产的产品技术指标基本相同，标准化程度较高，因此品牌化程度较弱，用户粘性低。从电子整机下游消费者角度考量：消费者通常只考虑存储芯片的容量，如手机存储量是64G还是128G，对存储器芯片品牌不会有过多关注。从存储器芯片厂角度考量：行业壁垒高，头部企业通常体量大、投资高、规模庞大，下游整机厂在选配存储器芯片时，在产品性能、物理属性等技术性能接近的情况下，报价通常作为第一考量因素。从电子整机厂角度考量：尤其是消费类电子整机出货量通常以亿为计量单位，存储器芯片作为核心存储硬件单元，需求量与其倍数相关，巨量需求下，性价比直接决定品牌的市场份额。因此，对于存储

4、器芯片行业，只要技术参数上达到产品需求，不同品牌的可替代率很高，这为中国存储器芯片品牌的发展提供了弯道超车的可能。物联网技术发展对存储器芯片行业推动作用物联网技术的发展使近年来NOR Flash呈现市场复苏。通常，物联网接入设备的系统与手机、计算机等相比更简单，处理数据更少，对存储空间的要求较少，一般在几兆到几百兆之间，NOR Flash作为物联网接入设备存储单元最优解决方案，迎来市场复苏。深度见解：存储器芯片未来将逐步实现国产替代全球内存及闪存产品国际竞争市场上，均基本被韩国、日本、美国等国垄断。在DRAM领域，中国大陆是全球DRAM最大市场，但自给率几乎为0。现阶段，半导体产业中心已转移到中国大陆，中国大陆作为最大市场，销售额全球占比约为43%，已是全球最大和增速最快的市场，但由于起步晚，几乎完全依赖于进口，自给率远低于半导体全行业水平。在NAND领域，三星、海力士、东芝、西部数据、美光、英特尔等巨头在产能上持续投入。2018年，64层、72层的3D NAND闪存已成业界主力产品，2019年开始量产92层、96层的产品，到2020年，大厂们即将进入128层3D NAND闪存的量产。长江存储64层三维闪存产品的量产有望使中国存储芯片自产率从8%提升至40%。在美日韩大厂垄断下，长江存储的64层3D NAND闪存量产消息具有特殊意义。当前，中国已初步完成在存储器芯片领域的战略布局，但由于起步晚，且受到技术封锁，市场份额较少，距离全面国产替代还有较大的发展空间。-全文完-

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