自-电力电子技术复习总结(王兆安)13999
18页1、电力电子技术复习题第章 电力电子器件.电力电子器件一般工作在_开关_状态。.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为_通态损耗_,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为_开关损耗_。.电力电子器件组成的系统,一般由_控制电路_、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加保护电路_。按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件 、_双极型器件_ 、_复合型器件_三类。5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。.电力二极管的主要类型有普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。7.肖特基二极管的开关损耗小于_快恢复二极管的开关损耗。.晶闸管的基本工作特性可概括为 _正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止_ 。9.对同一晶闸管,维持电流与擎住电流I在数值大小上有I大于_IH 。10.晶闸管断态不重复电压DSM与转折电压Ub数值大小上应为,DS_大于_Ubo。1逆导晶闸管是将_二极管与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。1.GO的_多元集成_结构是为了便于实现门极控制关
2、断而设计的。13.OSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的_放大区_、前者的非饱和区对应后者的_饱和区_。4.电力MOSFET的通态电阻具有_正_温度系数。5GT 的开启电压UGE(th)随温度升高而略有下降_,开关速度_小于_电力MOSFT。16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和电流驱动型_两类。17.IGBT的通态压降在1/2或额定电流以下区段具有_负_温度系数, 在/2或1/3额定电流以上区段具有正_温度系数。18.在如下器件:电力二极管(Powr iode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(G)、电力场效应管(电力ME)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管_,属于半控型器件的是_晶闸管_,属于全控型器件的是 O 、GTR 、电力MSET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有电力MSFT _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GT 、GTR _,
3、属于复合型电力电子器件得有 _ GT _;在可控的器件中,容量最大的是晶闸管_,工作频率最高的是电力OSFET,属于电压驱动的是电力MOE 、IBT_,属于电流驱动的是晶闸管、T 、GTR _。第2章 整流电路1.电阻负载的特点是电压和电流成正比且波形相同,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角的最大移相范围是_010O_。.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角的最大移相范围是_08O _ ,其承受的最大正反向电压均为_,续流二极管承受的最大反向电压为_(设2为相电压有效值)。3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,角移相范围为_0180O_,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为_和_;带阻感负载时,角移相范围为_00,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为_和_;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角大于不导电角d时,晶闸管的导通角q =_-d_; 当控制角a小于不导电角 d 时,晶闸
4、管的导通角 q =_-2d_。5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压U等于_,晶闸管控制角的最大移相范围是_015o,使负载电流连续的条件为_(2为相电压有效值)。 .三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时,a的移相范围为_0-90 _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高_的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压;这种电路 a 角的移相范围是_010o _,u波形连续的条件是_。 8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值_下降_。 电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中,空载时,输出电压为_,随负载加重d逐渐趋近于_0.9 U2,通常设计时,应取_1.5-2.5_T,此时输出电压为Ud_1.2_U2(U2为相电压有效值,T为交流电源的周期)。 0.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中,电流 i 断续和连续的临界条件是_,电路中的二极管承受的最大反向电压为_2。 11实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的
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