用p-cap技术设计便携工业设备.docx

Word版本下载可任意编辑】 用p-cap技术设计便携工业设备 表1:投射式电容技术取代电阻式技术成为的触摸传感器技术 ITO具有一定的电气与光学特性，因而极为适用于触摸感应功能，并且在沉积较薄时，具有相对低的电阻率且近乎透明因此，这种材料已在显示器行业广泛使用多年，并且现已转移到触控传感器的生产之中--首先用于电阻式触摸屏内，然后是表面电容式触摸屏（s-cap），近则是在p-cap系统之中由于这种材料已经在电子制造业内长期广泛使用，因此OEM可对现有设备开展改造和安装新的电容，以满足消费者对小型触摸屏的巨大需求 尽管基于ITO的互电容p-cap传感器已经在消费品设计中广泛应用，但是这种技术却有其自身的缺点：反应能力依赖于薄玻璃覆盖层（<2mm）的使用这一缺点尽管可以承受（甚至为精巧的个人消费类设备所向往），但是在遇到许多工业类环境的严苛条件时会出现问题从主流的互电容式p-cap触摸感应技术（测量两层电极之间的电容）转向另一种基于自电容的方法（测量单个电极对地的电容，此时用户产生的电场会引起传感器基体周围的电场发生微小变化）有可能大幅提高灵敏度，并通过更薄的覆盖层支持运作。

自电容式ITO 当采用自电容方法时，内嵌在触摸屏内的ITO传感器基体将人体电容与自由振荡的RC振荡器的电容元件开展耦合然后通过引入一个与RC振荡器的电容元件和振荡器的对地自然寄生电容并联的从玻璃到手指再到地的电容，便可检测到触摸动作参加并联电容，接近基体的手指将会增大整个电路的电容，从而降低振荡器的频率由接近的手指产生的电容变化可表示为以下的百分比： ΔC%=Cf/Cp+Cc.其中：Cf是手指电容；Cp是电路的寄生电容；Cc是振荡器的电容值 当手指更加靠近屏幕的表面时，用户的人体电容会导致RC振荡频率发生变化通过沿着传感器基体相邻X轴与Y轴测量频率变化的峰值，可以准确定位触摸所在位置（图1） 图1:通过测量已调信号中的X与Y峰值变化定位触摸事件 图2为触摸传感器辅助电子元器件的电路原理图，其中RC振荡器为电极提供调频信号多路复用器从传感器基体内的各个电极采集频率变化数据，并将其传送至处理器IC.图3与图4所示为当用户手指接近时，其中一个电极的频率变化 图2:基于调频自电容式技术的p-cap触摸传感器内使用的重要元器件 图3:正常状态--手指远离传感器基体。

图4:触摸状态--接近传感器基体的手指改变波形 通过3mm厚的玻璃覆盖层耦合至传感器的手指耦合电容通常在1pF与3pF之间随着覆盖层厚度的增加，耦合电容会下降，这将对信噪比产生影响为了解决这一问题，需要整合更多的精细的辅助电子元器件到系统设计中当供电电压为4.7V时，传感器基体拥有性能在此电压下，拉出的电流将约为2.8mA. 使用ITO作为导电介质的自电容式p-cap传感器与互电容式p-cap传感器相比，具有高得多的Z轴灵敏度这意味着可将其放置在更加厚的防护覆盖层后面（即使通过6mm厚的覆盖玻璃操作依然具有强劲的性能），并允许戴手套操作因此，采用自电容式方法可以提高触摸屏的抗冲击、防跌落和防刮伤等性能，从而极为适用于工业、医疗、白色家电和其他***求的应用，同时仍然具有诸如手势识别之类的卓越功能此外，还可通过驱动程序软件访问触摸控制器固件，增加双重触摸功能 3 / 3。