ict-测试原理.ppt

2018/12/22,版权所有, 2000 (c) TRI 德律泰电子（苏州）有限公司.,测试仪应用原理篇,制作 Winchl Cheng Training(R) for TR-518F Series Date:12/01/2000,应用教程（二）,Http:// E-Mail:winchl@,2018/12/22,電阻測試,系统依标准值（STD_V）选取相应大小的电流源被測電阻愈大, 測試電流須更小, 以確保量回被測電阻兩端的電壓VO在規定的範圍(0.15~1.5V)之內.,2018/12/22,GUARDING原理,（隔離點的選擇,通過按F7或ALT+F7,或者加適當延時等修改後再按F7或ALT+F7由系統自動完成,絕大多數可達到效果. 經驗表明,隔離點太多,測量值可能不穩定. 一般選擇0~2個隔離點可以滿足要求,並且隔離點的選擇一般僅隔離一面. 如果按F7或ALT+F7後,系統選擇的隔離點太多,則要重新作自動隔離,以找到一種隔離點較少且測量效果最好的方案.）,2018/12/22,RX // R,量回的阻值 Rm = Rx * R / (Rx + R) ≠ Rx . 量回的阻值 Rm = Rx * R / (Rx + R) ≠ Rx .,2018/12/22,Rx // C,,2018/12/22,Rx // C,測試順序是: [放電], 充電和電壓測試. 如FIGURE 4示 .,考慮到電容的分流, 要先對其充電, 經過T2以后, Ic→0. 此時可量回准確的阻值. 故遇到R//C的情形, 釆用定電流源測試時, 須加DELAY TIME.且電容越大,延遲要更久,才能得到准確值.,2018/12/22,當C較大(μ級以上)時,,當C較大(μ級以上)時, 若仍釆用定電流源方式, 則電容會將電流源分流,直至電容充飽時才成斷路, 這樣會消耗太久測量時間. 此時改以電壓源(0.2VDC)對電容充電, 迅速將電容加至0.2VDC (斷路), 再量回電流Ix值, 即可求得Rx,( RX = 0.2VDC/IX ),在TR-518F系列测试仪中,選擇MODE2: HIGH SPEED FOR R//C , 再加适量延時即可。

2018/12/22,EXAMPLE：,◎ 如果在被測電阻RX的相關電路中有電容存在 , 如FIGURE 10示 . 通過設置虛地隔離點,可以提高測試速度, 見FIGURE 11, 12 .,2018/12/22,Comparation：,,2018/12/22,RX // D ( FIGURE 6 ),推而廣之,電阻與帶PN結的零件并聯.( 包括D, ZEN, TR, FET, IC , etc ).,2018/12/22,MODE 0 → MODE 1,假設 RX = 2kΩ 若 IS = 500μA 則 VR = IS * R = 500 * 10-6(A) * 2 * 103(Ω) = 1(V) 此時D已導通, 將Rx兩端限壓至約0.7V. 那么RM = 0.7(V) / (500 * 10-6(A)) = 1.4 * 103(Ω) = 1.4kΩ ≠ Rx .,此時, 要改以低一檔電流源測試. 在TR-518F系列测试仪中為MODE1. 若 IS = 50μA 則 VR = IS * R = 50 * 10-6(A) * 2 * 103(Ω) =0.1(V) 此時D仍處于截止狀態, 故可量得正確的Rx值. 即 R M = 0.1(V) / (50 * 10-6(A)) = 2 * 103(Ω) = 2(KΩ) = Rx .,结论：釆用低一檔電流源,可避免D的“限壓”.,2018/12/22,另外,互換高低點(HI-PIN←→LO-PIN). 即IS從DIODE的陰極注入, 亦可避免D的“限壓”. 互換高低點不可行的情況可能出現在以下連接電路.,,2018/12/22,RX//D//C,而對于RX//D//C, 見FIGURE 7 .在TR-518F系列测试仪中,選擇MODE2: HIGH SPEED FOR R//C ,因電壓源為0.2VDC, 故D仍處于截止狀態, 亦可避開D的“限壓”.,2018/12/22,RX // L ( FIGURE 13 ),2018/12/22,RX // L,若仍以電流源量測Rx. 由于L的暫態為由“OPEN”至“SHORT”,其暫態時間不易控制, 而穩態時電感相當于“SHORT”,將電流源完全分流, 致Vx­→0, 此時, 須以AC來測量, 使得L呈現一阻抗值(愈大愈好). 再利用相位差即可計算出Rx, 見 FIGURE 14 .,2018/12/22,四點測量,適用于小電阻的精確測量. ( 如為兩點測量,則RM = RAB RX ),2018/12/22,電容測試,由OSC分別產生1kHZ / 10kHZ / 100kHZ / 1MHZ 的AC輸出信號, 其振幅均為固定(40mVrms) (FIGURE 16 ) ∵ VS / IX = XC =∣1 / ( jωCX )∣= 1 / ( 2πf CX ) ∴量回IX 的振幅, 即可求得CX .,2018/12/22,DC法 (3μF以上),對于大電容, 若使用上述AC電壓源模式測試時, 將需要較低頻率來測試,從而增加ICT的測試時間. 另外,大電容交流阻抗很小, 如此無法判斷電容內部是否有短路發生.,2018/12/22,此時須以DC測量, 見FIGURE 17 . 測試順序 (FIGURE 18 ):,在被測電容上加載定電流, 然后通過測量其積分電壓, 計算其電容值.,2018/12/22,CX // C,CM = CX + C ≠ CX,2018/12/22,CX // R ( FIGURE 19 ),,釆用AC常規法, 則因R的分流會使CM CX .,,相位分離法 ( FIGURE 20 ),2018/12/22,電感測試,※ AC法 ( FIGURE 21 ) FIGURE 21 AC信號源與電容同. VS / IX = XL =∣jωLX∣= 2πf LX 量回IX振幅, 即可求得LX,2018/12/22,※ DC法,此時, 電感相當于一個非常小的電阻, 在TR-518F系列测试仪中, 將TYPE設為R,即將其當作小電阻測試, 這樣亦可測出電感的漏件和斷路情形, 但對于內部短接則不可測出, 比如TRANSFORMER內部相鄰的兩匝線圈因絕緣不良而短接或者線圈匝數改變, 如仍以R方式, 則無法測試, 此時仍須用L方式較為有效. R方式可作為電感的一種輔助測試方式.,2018/12/22,LX // R ( FIGURE 22 ),相位分離法 ( FIGURE 23 ),2018/12/22,DIODE,D ( 各種零件的PN結, 包括D, ZEN,LED,TR, FET, SCR,TRIAC, PHOTO COUPLER, IC , etc ).,測試範圍:,2018/12/22,齊納二極體(ZENER)的齊納電壓.,對于大于10V的齊納電壓, 當錯成齊納電壓為10V以下的齊納二極體時,應在可測之列. TR-518FR的最大测试电压则为48V。

對于TR-518F，TR-518FE测试仪, 由于系統最大僅提供10V以下電壓, 故齊納電壓的測試範圍為0.0~10V.,2018/12/22,LED,此時, 將ACT_V及STD_V均設為2V或更高, 這樣可看到LED發光. 不然, 要適當延時, 亦可看見發光.,,2018/12/22,◎ 電容極性測試,測試方式: 以可程式電壓源, 對電容充電,直至充飽后, 再測量正向漏電流. 正常情況下,反向漏電流會很大.據此可測插反情形. 但實際中, 由于大量主,被動元件對電流的分流作用, 對電容的極性測試比較有限, 須小心試之 電容極性測試的另一方法是三端測試, 須在上方加一探針觸及殼體. 在電容的正負極加載直流電壓, 至充飽后測量殼體電壓. 由于正負極與殼體間的阻抗差異, 故對于插反的電容所測量到的殼體電壓會與正確時不同. 據此可判別電容的極性.,2018/12/22,DX // D,如FIGURE 24示, 兩個二極體(推而廣之,指PN結)異向并聯, 這時正,反兩方向所測量到的電壓均約為0.7V. 如以單步測試, 則可能出現其中一顆DIODE漏件(或開路)或插反不可測的情況,故須釆用正,反向雙步測試.這樣,如有一顆漏件或插反, 則兩步當中必有一步測量結果遠大于0.7V. 而對于同向并聯,雖然漏件(或開路)必不可測,但增加一步反向測試,則插反必可以測.,請注意: 釆用正,反向雙步測試有時甚至可偵出D錯件或元件不良.因此,建議在編制測試資料時,所有二極體均釆用正,反向雙步測試.方法如下: 按CTRL+ENTER插入一步後,分別將Stand_V設置為9.9V, MODE為1, RPT為5/D, 如并聯大電容,則要足夠延時. 再按F8得Meas_V,然后以Meas_V修改Stand_V,設+/-Lm%為20~30(不提倡使用-1),2018/12/22,DX // D,2018/12/22,DX // C ( FIGURE 25 ),測試方式: 以可程式電壓源加載電流, 對電容進行充電,在充飽后測量其電壓. TR-518F系列测试仪提供MODE0 ( 3mA ); MODE1 (20mA).,2018/12/22,如FIGURE 26示, 按MODE1測試, 則因加載電流較大而提高充電速度.,2018/12/22,DX // R,假設 R = 35Ω，IS = 20mA 則 VO = IS * R = 20 * 10-3(A) * 35(Ω) = 700 * 10-3(V) = 0.7(V) 這時D既便漏件也無法測試. 所以: ◆ 當遇到DX //R之情形, 如果R為小電阻, 盡量釆用大電流測試; 由于TR-518F系列测试仪最大僅提供20 mA, 故當R約為50Ω以下時, D無法測試.,2018/12/22,DX // L或DX // J,同并聯小電阻, DX無法測試.,,2018/12/22,TRANSISTOR,,2018/12/22,,它是由兩個PN結的三層半導體制成的. 以NPN型三極體為例, 如FIGURE28, 29 示: 1. 除可將發射結,集電結看成DIODE測試外; 亦可作三點測試, 即令其導通, 再測量c,e兩腳間的飽和壓降.,,2018/12/22,以下是NPN型三極體結電壓的典型數據.,以下是NPN型三極體結電壓的典型數據.,2018/12/22,PHOTO COUPLER ( FIGURE 30 ),1) 1,2腳看作DIODE測試; 2) 測量PC 3,4腳的飽和電壓, 即在1,2腳加一電壓使PC導通, 再量回3,4 腳的壓降約在0.2V左右.,2018/12/22,FET,以N型溝道增強型絕緣柵場效應管(MOSFET)為例. ( FIGURE 31 ) 7.1 由于柵極(g)處于不導電(絕緣)狀態, 通常, 源極(s)與襯底連在一起,故在漏極(d), 源極(s)存在一PN結, 可將其當作D來測. 7.2 三點測試, 類似三極體的三點測試方式.,2018/12/22,SCR ( FIGURE 32 ),SCR由PNPN四層半導體構成. 8.1 k,g之間有一PN結,可作D來測; 8.2 三點測試, 類似三極體的三點測試方式. 在FET的g-k腳及a-k腳各施加一可程式電壓源(最高為5V), 使之導通, 再測量陽極電流Iak . 晶閘管的導通條件為: 除在陽-陰極間加上一定大小的正向電壓外, 還要在控制極-陰極間加正向觸發電壓.,2018/12/22,晶振 ( OSC, XTL ),例如: 一個4MHZ的石英晶體的典型參數為: L=100mH, C=0.015pF, C0=5pF, R=100Ω, Q=25000 . 可將其當作電容進行測試. 。