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半导体二极管的伏安特性曲线.doc

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半导体二极管的伏安特性曲线半导体二极管的伏安特性曲线如图1所示处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线图1 二极管的伏安特性曲线1. 正向特性当V＞0，即处于正向特性区域正向区又分为两段：当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长硅二极管的死区电压Vth＝0.5 V左右，锗二极管的死区电压Vth＝0.1 V左右 2. 反向特性当V＜0时，即处于反向特性区域反向区也分两个区域：当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7V时，主要是雪崩击穿；若VBR≤4V则主要是齐纳击穿，当在4V～7V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。

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