光刻工艺概述.docx

本文格式为Word版，下载可任意编辑光刻工艺概述 光刻工艺流程图 步骤 １、前处理 ２、匀胶 ３、前烘 4、光刻 5、显影 6、坚膜 7、腐蚀 8、去胶 一前处理（OAP） 通常在150~200℃对基片举行烘考以去除外观水份，以巩固光刻胶与硅片的粘附性亲水外观与光刻胶的粘附性差，SI的亲水性最小，其次SIO2，结果PSI玻璃和BSI玻璃） OAP的主要成分为六甲基二硅烷，在提升光刻胶的粘附性工艺中，它起到的作用不是增粘剂，而是变更SiO2的界面布局，变亲水外观为疏水外观OAP通常采用蒸汽涂布的方式，简朴评 价粘附性的好坏，可在前处理过的硅片上滴一滴水，通过测量水与硅片的接触角，角度越大，粘附性越好，说明疏水性越强 接触角 水 SI 二、匀胶 光刻胶通常采用旋涂方式，在硅片上得到一层厚度平匀的胶层影响胶厚的最主要因素：光刻胶的粘度及旋转速度次要因素：排风；回吸；胶泵压力；胶盘；温度 胶厚的简朴算法：光刻胶理论的最小胶厚的平方乘以理论的转速=目标光刻胶的胶厚的平方乘以目标转速 例如：光刻胶理论厚度1微米需要转速3000转/分，那需要光刻胶厚度1.15微米时转速应为 12 *3000/1.152 三、前烘 前烘的目的是为了驱除胶膜中剩余的溶剂，消释胶膜的机械应力。

前烘的作用： 1）巩固胶层的沾附才能；2）在接触式曝光中可以提高胶层与掩模板接触时的耐磨性能；3）可以提高 和稳定胶层的感光灵敏度前烘是热处理过程，前烘通常的温度和时间： 烘箱90~115℃ 30分钟 热板90~120℃ 60~90秒 四、光刻 光刻胶经过前烘后，原来液态光刻胶在硅片外观上固化光刻的目的就是将掩膜版上的图形转移到硅片上曝光的设备分类接触式、接近式、投影式、步进式/扫描式、电子束曝光、软X射线曝光 五、显影 经过显影，正胶的曝光区域和负胶的非曝光区域被溶解，正胶的非曝光区域和负胶的曝光区域被留存下来，从而完成图形的转移工作正胶曝光区域经过曝光后，生成羧酸与碱性的显影液中和回响从而被溶解负胶的曝光区域经过曝光后产生胶联现象，不被显影液溶解而未曝光的区域那么被显影液溶解掉定影液的作用是漂洗显影过程中产生的碎片，挤出剩余的显影液，另外还可以起到收缩图形，提高图形的质量 — 2 —。