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无机材料科学基础第八章扩散.docx

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    • 本文格式为Word版,下载可任意编辑无机材料科学基础第八章扩散 第7章 分散 一、名词解释 1.分散: 2.分散系数与分散通量: 3.本征分散与非本征分散: 4.自分散与互分散: 5.稳定分散与不稳定分散: 名词解释答案: 一、分散是指在梯度的作用下,由于热运动而使粒子定向移动的过程 二、分散通量:单位时间内通过单位面积粒子的数目 分散系数:单位浓度梯度下的分散同俩个 三、本征分散:由热缺陷所引起的分散 非本征分散:由于杂质粒子的电引入而引起的分散 四、自分散:原子或粒子在本身布局中的分散 互分散:两种的分散通量大小相等,方向相反的分散 五、稳定分散:单位时间内通过单位面积的粒子数确定 不稳定分散:单位面积内通过单位面积的粒子数不确定 二、填空与选择 1.晶体中质点的分散迁移方式有: 、 、 、 和 2.当分散系数的热力学因子为 时,称为逆分散此类分散的特征为 ,其分散结果为使 或 3.分散推动力是 晶体中原子或离子的迁移机制主要分为两种: 和 。

      4.恒定源条件下,820℃时钢经1小时的渗碳,可得到确定厚度的外观碳层,同样条件下,要得到两倍厚度的渗碳层需 小时. 5.本征分散是由 而引起的质点迁移,本征分散的活化能由 和 两片面组成,分散系数与温度的关系式为 6.菲克第确定律适用于 ,其数学表达式为 ;菲克其次定律适用于 ,其数学表达式为 7.在离子型材料中,影响分散的缺陷来自两个方面:(1)肖特基缺陷和弗仑克尔缺陷(热缺陷),(2)掺杂点缺陷由热缺陷所引起的分散称 ,而掺杂点缺陷引起的分散称为 自分散、互分散、无序分散、非本征分散) 8.在通过玻璃转变区域时,急冷的玻璃中网络变体的分散系数,一般 一致组成但充 1 分退火的玻璃中的分散系数高于、低于、等于) - 9.在UO2晶体中,O2的分散是按 机制举行的空位、间隙、掺杂点缺陷) 填空题答案: 1、易位分散、环形分散、空位分散、间隙分散、准间隙分散 2、1+(δlnγi)/(δlnNi)<0、由低浓度向高浓度分散、偏聚、分相 3、化学位梯度、空位机制、间隙机制 4、4 5、热缺陷、空位形成能、空位迁移能、D?D0e6、稳定分散 、 ?CJ??D?x(?Q)RT ?C?2C?D?x2、不稳定分散、?t7、本征分散、非本征分散 8、高于 9、间隙 四、试分析离子晶体中,阴离子分散系数-般都小于阳离子分散系数的理由。

      阴离子通常作为聚积布局的根基,而阳离子通常填充于空隙之中,阳离子分散相对较轻易,而阴离子若要分散那么需要破坏聚积布局,所需要的能量更多,故阴离子分散系数-般都小于阳离子分散系数 六、碳、氮、氢在体心立方铁中分散的激活能分别为84、75和13kJ/mol,试对此差异举行分析和解释 C-N-O的半径依次减小,C-N-O在间隙中分散的才能逐步增加,故分散的激活能越低 七、MgO、CaO、FeO均具有NaCl布局,在各晶体中,它们的阳离子分散活化能分别为:Na+在NaCl中为41kcal/mol,Mg2+在MgO中为83 kcal/mol,Ca2+在CaO中为77 kcal/mol,Fe3+在FeO中为23 kcal/mol,试解释这种差异的理由 1、由于FeO为非化学计量型氧化物故分散活化能较低 2、NaCl中的Na离子电价较低,故NaCl分散活化能相对较低 3、Ca的半径比Mg离子的半径大,故MgO的分散活化能高 八、已知氢和镍在面心立方铁中的分散系数为: ?64000?4.18?2,试计算1000℃?10300?4.18?2和 DH?0.0063exp???cms?cmsDNi?4.1exp??RTRT???? 2 的分散系数,并对其区别举行解释。

      ?10300?4.18?2?10300?4.18?-4DH?0.0063exp???cms?0.0063exp????1?10 RT.15????8.314?1273 ?64000?4.18?2?64000?4.18?-11DNi?4.1exp???cms?4.1exp????4.33?10 RT.15????8.314?1273其中H的离子半径明显小于Ni的半径,故前者更轻易分散,其分散系数也就越高 九、假定碳在α-Fe(体心立方)和γ-Fe(面心立方)中的分散系数分别为: 2D??0.0079exp??83600RT?cm2s;D??0.21exp??141284RT?cms,计算800℃ 时各自的分散系数,并解释其区别 D??0.0079exp??83600RT?cm2s=6.7×10 -7 D??0.21exp??141284RT?cm2s=2.8×10 -8 α-Fe(体心立方)和γ-Fe(面心立方)相比布局更疏松,粒子在其中更轻易分散、故分散系数越大 十、在制造硅半导体器体中,常使硼分散到硅单品中,若在1600K温度下.保持硼在硅单品外观的浓度恒定(恒定源半无限分散),要求距外观10-3cm深度处硼的浓度是外观浓度的一半,问需要多长时间(已知D1600℃=8×10-12cm2/sec;当erf?x2Dt?0.5x?0.5时,2Dt)? C0?C1C0?C1;起初无浓度,故C?0;C1?0.5C0;?0.5C0?C C0?C -310?0.5;t?125000s-1228×10t 十一、Zn2+在ZnS中分散时,563℃时的分散系数为3×10-14cm2/sec;450℃时的分散系数为1.0×10-14cm2/sec,求:(a)分散的活化能和D0;(b)750℃时的分散系数;(c)根据你对布局的了解,请从运动的观点和缺陷的产生来推断活化能的含义;(d)根据ZnS和ZnO相互类似,预料D随硫的分压而变化的关系。

      3 Q)RT(-Q)8.314?836.15D?D0e3×101?10-14(-?D0e?D0e-14(-Q)8.314?723.15 Q?48827;D0?3.4?10-11D?3.4?10e-11(-48827)8.314?1023.15?1.1?10-13十二、欲使Ca2在CaO中的分散直至CaO的熔点(2600℃)都是非本征分散,要求三价杂质离子有什么样的浓度?试对你在计算中所作的各种特性值的估计作充分说明(已知CaO肖特基缺陷形成能为6eV) + aO?M2O3?C???2MCa?3OO?VCa''''6?1.6?10-19?6.23?1023VCa?exp(-)?3.6?10-62?8.314?2873.15 ''?-6-6M?MCa?2VCa?2?3.6?10?7.2?10 4 — 7 —。

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