低频陷阱的封面材料.docx

为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划低频陷阱的封面材料　　附件　　XX-3-3101:58制作圆柱形低频陷阱骨架　　-圆柱形低频陷阱那个骨架.jpg(KB)　　XX-3-3101:58　　制作圆柱形低频陷阱骨架-圆柱形低频陷阱那个骨架(KB)　　XX-3-3101:58　　有一批吸音棉到货和圆筒陷阱可爱　　-圆柱陷阱和客厅器材.jpg　　(KB)　　XX-3-3101:58　　往圆柱形低频陷阱塞棉塞进去.jpg(KB)　　XX-3-3101:58　　制作圆筒形低频陷阱　　-封帽-1打玻璃胶水.jpg(KB)　　XX-3-3101:58　　制作圆筒形低频陷阱　　-蒙皮.jpg(KB)　　XX-3-3101:58　　铺好地毯安置好角落低频陷阱的后墙角　　.jpg(KB)　　驻波原理　　驻波，是由墙壁的反射引起的，当声音通过空气传递到墙壁时，会反射回来某些频率的声音的反射声的声波正好与源声音是相同的振动方向，那么这个频率的声音就会被加强，于是这个频率的声音就变大了，也有些频率的反射声正好与源声音是相反的振动方向，于是这个频率的声音就减弱了。

　　几乎任何房间都有驻波问题，但程度有轻有重墙壁相互平行、天花板和地板相互平行、室内没有大型障碍物房间，通常都有严重的驻波而室内不同的位置，又有不同的驻波，下面来看一张实测图片，在一间很小的空的长主形的房间内，用音箱播放一段扫频信号，分别在录音师位置和室内后部角落里用测量话筒录音，测出游同的驻波情况　　房屋大小不同，驻波的情况也不同理论上，大房间的驻波现象要比小房间平缓，实际中也是如此下图给出的是两个不同大小的房间的声音反射造成的驻波情况上面是大房间所引起的声波干涉，下面是小房间引起的相对而言大房间的声音干涉要平缓得多这就是为什么大录音棚的声学状况要比小录音棚好的原因之一　　国外声学专家建议每一个房间至少要有70立方米才能保证高质量的声音再现，这样的房间的长宽高差不多是4**3米的样子直角型房屋的长宽高的比例，也会带来不同的驻波情况最糟糕的是长宽高都一样或者成整数倍，这样声音在三个方向上的干涉都一样，会引发更剧烈的驻波最好的情况是长宽高都不一样，让声音在三个方向上的驻波互相抵消下图中就给出了在两个不同空间里的共鸣曲线，两个空间的容积都一样大，但上面的是在长宽高的比例比较理想情况正气，下面是在比例不理想的情况下的。

　　感谢声学专家，他们已经替我们计算好了直角型房屋的最佳的长宽高的比例如下：　　低频的波长很长，而高频的波长短，根据物理知识可以测算出，驻波问题主要发生在频区越往高频，驻波越来越轻从这张图可以看得一清二楚　　通常，我们的工作室的低频区的驻波是非常严重的，严重到完全影响我们对音乐的判断，你觉得某个贝司音太重了，面实际上它并不重，是驻波使你误以为这个音很重，你又觉得某个音太轻了，而实际上它并不轻，是因为反射声与直达声相互抵消了，使你误以为它很轻　　对于我们多数人来说，从根本上解决驻波的方法有两个：　　1、改变声音反射的方向，可以通过改变房屋室内墙体形状，或增加反射板来实现　　2、消除反射声前面我已经说过，驻波问题主要发生在低频区，只要解决了低频驻波，整个问题基本上就解决了因此解决驻波的方法实际就变成了：　　改变低频声音反射的方向　　解决方法：改变低频声音反射的方向　　有人说了，我拿一个吃饭用的盘子斜着装在墙上，不就能改变声音的方向了吗？错！这只能改变高频声音的反射，而改变不了低频声音的反射低频的波长很长，从一两米到几米，甚至十几米，低频声音会轻易地绕过这个盘子根据前人的物理研究成果我们得知，只有大型的障碍物才能影响低频的方向，因此我们就不能拿小东西来试图影响低频的传播路线，而必须用大的东西。

什么样的东西才是“大”的东西呢？　　1、大块的墙壁、天花板；　　2、大型的反射板　　直接把墙壁和天花板做成特殊的形状，是专业录音棚一致的做法，我们来对比一下专业录音棚和普通房间，就会明白了下面是两个不同房间的俯视图，左图是专业录音棚控制室里的声音反射情况，无论怎样反射，都不会有一次反射声根本不会达到录音师的位置，从而极大地避免了驻波现象而在普通房间里，会有各个角度的许多一次反射声能达到录音师的位置，有严重的驻波现象　　下面是一张典型的大型录音棚的规划图，可以看到，所在控制室和录音室全都是不规则形状的　　天花板也是不规则的，通常控制室的前端会设计成这样，避免声音在天地之间形成驻波　　再来一张天花板的特写　　也可以利用巨型的挡板,这个录音室里的所有墙壁全是歪斜的，天花板也是斜的　　录音室里的所有墙壁都是不平行的，一个Mastering工作室的圆弧形的墙壁，防止驻波采用不(转载于:写论文网:低频陷阱的封面材料)规则角度和形状，避免驻波　　下面这几个录音室，天花板的巨大的挡板，可以有效地消除驻波　　消除低频放射声　　解决方法：消除低频反射声　　低频反仅仅会带来驻波问题，还会事来难以根除的低频混响。

很多朋友可能会发现，你房间的低频是那样的混浊和沉重，这就是低频混响低频混响在空旷的小房间里尤其严重　　有人说了，这个容易，用吸音海绵或者棉絮呗好，那我们就通过实验来看看这些吸音材料对于低频的吸收能力到底如何下图是不同厚度的岩棉对于不同频率声音的吸收情况，我们可以看到，无论这些纤维棉有多么好的中高频吸收能力，到了低于150Hz的低频时，几乎没有任何吸音能力　　这还是吸音能力最好的岩棉而海绵、鸡蛋盒等物品会怎样呢？它们对于低于150Hz的低频的吸收能力几乎是零　　低频的波长很长，在前面我已经强调过，设想一下：两三米、六七米长的声波在你房子里“飞来飞去”，无人能挡因此能吸收低频的东西，也必须是“大”的东西，需要占用大量的空间　　板的大小决定了它能吸收多少频率的声音，越大，所能吸收的频率越低通常,1800*500mm大小的板能够吸收较低的低频，1200*300mm大小的板能吸收较高频率的低频　　在有的录音棚，会有这种做法：　　………密………封………线………以………内………答………题………无………效……　　电子科技大学二零九至二零一零学年第一学期期末考试　　考试形式：考试日期日　　课程成绩构成：平时10分，期中5分，实验15分，期末70分　　一、填空题:　　1.简并半导体一般是忽略。

　　2.处在饱和电离区的N型Si半导体在温度升高后，电子迁移率会，电阻　　3.　　4.随温度的增加，P型半导体的霍尔系数的符号　　5.在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，它们具有的作用，在制　　造各种半导体器件时，往往利用这种作用改变半导体的导电性能　　6.ZnO是一种宽禁带半导体，真空制备过程中通常会导致材料缺氧形成氧空位，存在　　氧空位的ZnO半导体为N/电子型半导体　　7.相对Si而言，InSb是制作霍尔器件的较好材料，是因为其电子迁移率较8.掺金工艺通常用于制造高频器件金掺入半导体Si中是一种　　9.概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过回旋共振实验来测量10.某N型Si半导体的功函数WS是，金属Al的功函数Wm是eV，该半导　　………密………封………线………以………内………答………题………无………效……　　体和金属接触时的界面将会形成反阻挡层接触/欧姆接触11.　　12.MIS结构中半导体表面处于临界强反型时，表面少子浓度等于内部多子浓度，表面　　13.金属和n型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正向偏压于金属，则半导体表面电　　二、选择题　　1.如果对半导体进行重掺杂，会出现的现象是A.B.C.D.　　禁带变宽　　少子迁移率增大多子浓度减小简并化　　2.已知室温下Si的本征载流子浓度为ni??1010cm?3。

处于稳态的某掺杂Si半导体　　中电子浓度n??1015cm?3，空穴浓度为p??1012cm?3，则该半导体A.　　B.C.D.A.B.C.D.　　存在小注入的非平衡载流子存在大注入的非平衡载流子处于热平衡态是简并半导体　　若半导体导带中发现电子的几率为0，则该半导体必定处于绝对零度计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计处于低温弱电离区的半导体，其迁移率和电导率都随温度升高而增大半导体中，导带电子都处于导带底Ec能级位置　　3.下面说法错误的是　　4.下面说法正确的是　　A.空穴是一种真实存在的微观粒子　　B.MIS结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联C.稳态和热平衡态的物理含义是一样的　　………密………封………线………以………内………答………题………无………效……　　D.同一种半导体材料中，电子迁移率比空穴迁移率高　　5.空间实验室中失重状态下生长的GaAs与地面生长的GaAs相比，载流子迁移率要　　A.B.C.D.A.B.C.D.A.B.C.D.A.B.C.D.　　无杂质污染晶体生长更完整化学配比更合理宇宙射线的照射作用复合机构散射机构禁带宽度晶体结构本征半导体杂质半导体金属导体简并半导体　　上升下降不变　　经过一极值后趋近Ei　　6.半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于　　7.若某材料电阻率随温度升高而单调下降，该材料是　　8.对于只含一种杂质的非简并ｐ型半导体，费米能级随温度上升而　　9.GaAs具有微分负电导现象，原因在于在强电场作用下，。

　　A.B.C.D.　　载流子发生能谷间散射载流子迁移率增大载流子寿命变大载流子浓度变小　　10.以下4种不同掺杂情况的N　　型Ge半导体中，室温下电子迁移率由大到小的顺序是a)b)c)d)A.B.C.　　掺入浓度1014cm-3的P原子；掺入浓度1015cm-3的P原子；　　掺入浓度2×1014cm-3的P原子，浓度为1014cm-3的B原子；掺入浓度3×1015cm-3的P原子，浓度为2×1015cm-3的B原子abcdbcdaacbd　　………密………封………线………以………内………答………题………无………效……　　D.dcba　　11.以下4种Si半导体，室温下功函数由大到小的顺序是a)b)c)d)A.B.C.D.　　12.以下4种不同掺杂情况的半导体，热平衡时室温下少子浓度最高的是A.B.C.D.　　掺入浓度1015cm-3P原子的Si半导体；掺入浓度1014cm-3B原子的Si半导体；掺入浓度1015cm-3P原子Ge半导体；掺入浓度1014cm-3B原子Ge半导体　　掺入浓度1016cm-3的B原子；掺入浓度1016cm-3的P原子；　　掺入浓度1016cm-3的P原子，浓度为1015cm-3的B原子；纯净硅。

abcdcdbaadcbdabc　　13.直接复合时，小注入的P型半导体的非平衡载流子寿命?d决定于B　　A.　　1　　rdn0　　1　　rd?p　　B.　　1　　rdp0　　C.D.其它　　在金属-SiO2-p型Si构成的MIS结构中，SiO2中分布的可动正电荷不会影响　　A.B.C.D.　　半导体表面势平带电压平带电容器件的稳定性　　15.不考虑表面态的影响，如需在n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最适合的是A.In(Wm=eV)　　………密………封………线………以………内………答………题………无………效……　　B.Cr(Wm=eV)C.Au(Wm=eV)D.Al(Wm=eV)　　三、问答题　　1.写出下面能带图代表的半导体类型，掺杂。