模拟集成电路基础知识整理.docx

本文格式为Word版，下载可任意编辑模拟集成电路基础知识整理 当VGS恒定时，gm与VDS之间的关系 gm ………………….. 饱和区的跨导 VGS?VTH VDS 当VDS恒定时，gm、IDS与VGS之间的关系 通过比较可以察觉，VDS恒定时的弱反型区、强反型区、速度饱和区分别对应于当VGS恒定时的亚阈值区、饱和区、线性区（三极管区） 跨导gm性区（三极管区）与VDS成正比，饱和区与VGS?VTH成正比 NMOS 1、截止区条件：VGS?VTH 2、三极管区（线性区）条件：VTH?VGD 1?2?电压电流特性：IDS??nCoxW VGS?VTH?VDS?VDS ???L?2?3、饱和区条件：VTH?VGD 1W2?nCox ?VGS?VTH?(1??VDS) 2LdID4、跨导: 就是小信号分析中的电流增益，gm? dVGSWgm??nCox ?VGS?VTH? L电压电流特性：IDS?gm?2?nCoxWIDS Lgm?2IDS VGS?VTH1 ?IDS5、输出电阻就是小信号分析中的r0：r0?PMOS 1、截止区VGS?VTHp 2、三极管区（线性区）条件：VTHP?VDG 1?2?电压电流特性：IDS??pCoxW VGS?VTH?VDS?VDS ???L?2?3、饱和区条件：VTHP?VDG 电压电流特性：IDS?1W2?pCox ?VGS?VTH?(1??VDS) 2L4、跨导和输出电阻与NMOS管一样 对于MOSFET的分析，第一步就是通过大信号分析来确定MOSFET的工作范围，并通过不同工作范围下的电压电流特性来确定小信号分析下的电流增益。

MOSFET有三个工作范围：截止区、线性区、饱和区当MOSFET作为开关使用的时候，要操纵性区（三极管区）；当MOSFET作为放大器使用的时候，要操纵在饱和区 CGD和CGS随VGS的变化曲线： MOS管交流小信号特性 线性区时： 饱和区输出电阻： LEVEL1 模型 — 3 —。