模电第二章-课件
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1、1,1、结构与符号,第 2 章 晶体三极管,2,VEE：I1 I VCC：I2 I1 = I+I2 IE = IB+IC 发射结： 基区： 集电结：,空穴与自由电子共同导电双极型三极管 实际中考虑其他因素 发射结：空穴的扩散、集电结：反向饱和电流,3,2、内部载流子传输过程,IEn,IEp,IBB,ICn,ICBO,IE,IC,IB,IB=,4,集电极到发射极的穿透电流,共发射极电流放大系数 共基极电流放大系数,方程,5,3、输入特性与输出特性 三极管实际电路的三种接法 三个极：输入、输出、公用,6,伏安特性曲线,共发射极,IB= f ( VBE ),VCE = 常数,IC= f ( VCE ),IB = 常数,输入特性：,输出特性：,7,输入特性,VBE(on) 发射结导通电压,基区宽度调制效应,VCE =VCB + VBE VCE WB IB IC ,输入特性,25 C,8,输出特性,发射结 集电结 截止区 反偏（VBEVBE(ON)） 反偏 (IC 0) 放大区 正偏（VBEVBE(ON) ） 反偏(IC IC) 饱和区 正偏 （VBEVBE(ON) ） 正偏 （Si:VCE 0
2、.3V/Ge:VCE 0.1V ）,输出特性,9,基区宽度调制效应,基区宽度调制效应,VCE =VCB + VBE VCE WB IB IC ,10,三极管安全工作区,VCE V(BR)CEO,PC PCM,IC ICM,11,三极管主要参数 直流参数：、ICBO、ICEO 交流参数：、 极限参数：ICM、VCEO、PCM,三极管参数的温度特性(温度每升高 1C )： / 增大 0.5% 1% VBE(on) 减小 (2 2.5) mV ICBO 增大一倍,12,4、晶体三极管的模型,数学模型 埃伯尔斯摩尔模型 小信号模型（放大模式）,混合模型,13,VCE IB IC ,14,15,忽略结电容 忽略基区体电阻（阻值较小） 忽略rce （阻值较大）,模型,16,小信号模型参数,发射结电阻,跨导,参数,17,小信号模型参数,基调参数,交流性能分析以直流工作点为基础,参数,18,5、晶体三极管电路的分析方法,交流小信号叠加在直流工作点上，先直流分析，后交流分析。 直流工作点估算 方法一：,19,方法二（I1IB）：,20,图解分析法 直流分析：,VBE = VBB - IBRB,VCE = VCC - ICRC,Q,VBEQ,IBQ,IB = IBQ,Q,ICQ,VCEQ,图解分析法,21,IBQ,ICQ,VCEQ,交流分析：,22,小信号等效电路分析(微变等效电路法) (a)原理电路 (b)交流电路 (c)等效电路,23,6、晶体三极管应用,电流源,放大器,
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