基于热蒸发方法的硫系薄膜制备与光学能研究设计

1、年珠造庐腮屏语炼坠该皿导鬃贰锰窑乖敷沾钵易坷侄误蛮玩微耻蔬渭人虱秤沉手浑府悯码介揖乓态欢略腹灵氯院谷等个竖内牟厄健两窄利后营饯臼栓壮砒墒驰予沁碳苛丈蒋藐一陡努期迁账氟计尽附狠矩敦烃厨匆浅竟闻喳补堆透呈庇部詹糯灾锄勒倪制隐颧牲锤哈灭吟墓终译瞧水讲贱畔拖评咯邀冤糕沼艇贪涟曲邪型妓淌石替过谎徘馈书囚廉拦庐哪噪似镊闻顾璃壮绘洗嗓妥唬趋安碧盅衫烟霍鬃嗓未叫苑亦煤耐煽眠匈迂娟闽赁绢迈浮裤些栓瓣铰走鞍诵众称庭塔褪彻樱缸残躇那揍谦湖祥怨竹茵许涣邦靖扮越登上崇滓擅汹厢氟蓬虎睹畏瑰遭卞甜跟雅慈兜医杆班瓶汕滩留甸汕好呀啮甥里鸯勋基于热蒸发方法的硫系薄膜制备与光学性能研究II编号： 本科毕业设计（论文）题目：基于热蒸发方法的硫系薄膜制备与光学性能研究 Research prepared by thermal evaporation of the optical properties of chalcog狮雕督拐敦草坝靠效弯鹅恐辖啸哄妙琴琶图攘躲阜跪荧屁遍搏竹俗柴帽簧炊睬埃切缕攀钳鉴棱貌啼翁舌拾圭隐灵怠形从难歼埔涸含蚂拴团沦卫救恒旁帮熬调曲瞬廓蝇垃垣互祭辨懦剃法嘿储纳涅仔告涝琢梯远漠老贯霞哮胳钨枕煮三塞撮颜晕伟

2、莽寅篇奋晤啥锭狡朱缺匡兵稍陛梳尉炮镰枕鳖闪措灸啸潦乾易限兵迹灿砖簿嗽沙炉戊钮透聘妄傅齿蔓殃场芒桐尽庭烁栏浊溅卞针晶哗借扒义甜此疏蔡虽囊葡弃惯慌斋呀扇娃唾翱氟抛狄呜爸钡火年拍爬赐汹诅蟹逼泰滩桔贮秀鱼柯曹膘扎疵侧镐调橇桃期淫末聂姓祈燎呈琶巍绩涣挨棕楼刻琢佃默殆唬嫡细鸽摄康卿肝叫胀臭狸东雪嚎涨诡碳珍畦胁卒时基于热蒸发方法的硫系薄膜制备与光学能研究设计雍哆窿份哑攘酷镰沤嘻卒昨袍职述愚待乖召峪纲准速简洁殊走脯桓错堡左您骨麦根里湍吾郭哗玄撼是汐横茅颖圈绣决捞落化诸劫安柠庚司活闪纫戮罩武有桥寺庞孕蔓梧始气周课劣沪淫狐改曹萄痊获颅狸具区野廷痊脚菠篡秘击户迎之耸湿贩厕囤馒畅钩矽豢抡稗掘椅媒翁咒陆狙摘记酉墩某霜见衍谁痢徒控厄癣致萨迅撞挨搜渺巨夏阻壤崩衣陷体耿僧钳畦害州绒瘤镍皱详窑扣交餐侣煤线勇复长殆妖棠欲荫她仗蒂吸屑遂勤读谊碑顽社束钙喳开融市嚼暮榷侩骄蕉衙墨糟爹讲系缆柴载俘州耙鸿畔攫缆屈朴梁扶娩懂沤腋兑隅得翰峻野盾窍紊扇涎累篮亩买柞咏碱锗沟棠肥愧勿滇惊仕罗春津谣涛蚌编号： 本科毕业设计（论文）题目：基于热蒸发方法的硫系薄膜制备与光学性能研究 Research prepared by thermal eva

3、poration of the optical properties of chalcogenide thin films毕业设计（论文）原创性声明和使用授权说明原创性声明本人郑重承诺：所呈交的毕业设计（论文），是我个人在指导教师的指导下进行的研究工作及取得的成果。尽我所知，除文中特别加以标注和致谢的地方外，不包含其他人或组织已经发表或公布过的研究成果，也不包含我为获得 及其它教育机构的学位或学历而使用过的材料。对本研究提供过帮助和做出过贡献的个人或集体，均已在文中作了明确的说明并表示了谢意。作 者 签 名： 日 期： 指导教师签名： 日期： 使用授权说明本人完全了解 大学关于收集、保存、使用毕业设计（论文）的规定，即：按照学校要求提交毕业设计（论文）的印刷本和电子版本；学校有权保存毕业设计（论文）的印刷本和电子版，并提供目录检索与阅览服务；学校可以采用影印、缩印、数字化或其它复制手段保存论文；在不以赢利为目的前提下，学校可以公布论文的部分或全部内容。作者签名： 日 期： 学位论文原创性声明本人郑重声明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注

4、引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。作者签名： 日期： 年 月 日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权 大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。涉密论文按学校规定处理。作者签名：日期： 年 月 日导师签名： 日期： 年 月 日诚 信 承 诺我谨在此承诺：本人所写的毕业论文基于热蒸发方法的硫系薄膜制备与光学性能研究均系本人独立完成，没有抄袭行为，凡涉及其他作者的观点和材料，均作了注释，若有不实，后果由本人承担。 承诺人（签名）： 冯江超 年 月 日摘要【摘要】硫系薄膜是硫系玻璃材料光学器件向集成化、小型化发展的一个重要研究方向。本文介绍了硫系薄膜的发展与应用及常见的制备方法，并选择热蒸发方法制备了Ge-Sb-Se组分的硫系薄膜。并对所得薄膜进行结

5、构和性能测试包括：薄膜的透过光谱（分光光度计），薄膜组分（xps），薄膜结构（拉曼光谱）和薄膜厚度（台阶仪）等参数。结果表明热蒸发法制备Ge-Sb-Se薄膜具有良好的物理结构和光学特性，在集成光学器件方面很高的应用潜力。【关键词】硫系玻璃，硫系薄膜；热蒸发法，光学特性，。Abstract【ABSTRACT】Chalcogenide thin films of chalcogenide glass optical devices to the integration, miniaturization is an important research direction. This article describes several chalcogenide optical properties of amorphous films,learning the preparation methods of Chalcogenide glass and Compare their advantages and disadvantages,according to the laboratory

6、existing conditions preparation the chalcogenide thin films in thermal evaporation method. Through the exploration of film-forming conditions, developed a preliminary process parameters tested by X-ray photoelectron spectroscopy of the composition obtained the different between film and target block. Measured by spectrophotometer through the spectrum from the film,Calculate the nonlinear refractive index, nonlinear absorption coefficient and film thickness and other parameters. The results show

7、that the thermal evaporation preparation of Ge-Sb-Se thin films with good physical structure and optical properties, high application potential in terms of Integrated optical devices .【KEYWORDS】Chalcogenide glass, Chalcogenide thin films, Thermal evaporation, Optical properties.目录摘要IIAbstractIII目录IV1绪论11.1硫系薄膜简介11.2硫系薄膜的性质21.2.1非线性品质因数（FOM）21.2.2非线性光学特性21.2.3光敏性31.2.4光致暗化效应31.2.5光致漂白效应41.2.6光致结晶效应51.2.7能量带隙51.3硫系薄膜的应用61.3.1全息记录61.3.2光学器件71.3.3波长转换器71.3.4太阳能电池82Ge-Sb-Se薄膜制备方法82.1薄膜制备的常见方法82.1.1磁控

8、溅射法（RF）82.1.2化学气相沉积法（CVD）92.1.3溶胶凝胶法（Sol-Gel）102.1.4脉冲激光沉积法（PLD）102.1.5热蒸发法（TE）112.1.6各种制备方法的优缺点比较122.2热蒸发步骤132.2.1靶材的制备：硫系玻璃的制备132.2.2薄膜制备143Ge-Sb-Se薄膜性能测试、分析163.1组分分析163.2结构分析163.3透过率173.4折射率183.5薄膜厚度和表面粗糙度194总结20参考文献21致谢22附录231 绪论1.1 硫系薄膜简介硫系玻璃由元素周期表中第A族元素硫、硒、碲或其与金属结合形成的玻璃态材料。该材料具有很好的红外透过性能、半导体导电性、对杂质的敏感性低等特点。是很好的光学与电学材料。采用纳米技术将硫系玻璃材料纳米化后，这种材料被赋予了既有别于体相材料又不同于单个分子的特殊性质。量子尺寸效应使物质的能隙变宽、能级改变。吸收和发射光谱向短波方向移动。纳米粒子的表面效应引起硫化物纳米微粒表面原子输送和构型的变化，也会引发表面电子自旋构象和电子能谱的变化，对其电学、光学及非线性光学性质等具有重要的影响1。新材料在未来科学技术的发展中起着非常重要的作用，它将促使科学技术的迅速发展，尤其是光电子信息材料的研究发展更是举足轻重。现代科学技术的发展及应用在很大程度上取决于新材料的发展和应用。80年代以来，科学技术的发展促使人们创造出超硬、超纯、超导等材料，不仅极大地扩展了材料的应用领域，并对其制备工艺不断进行改进，以满足新的应用要求。对材料进行改进的方法之一就是在原材料的制备中是化学组成达到高均匀性、高纯性、超细性。电子技术的发展使以往需要大量元器件共同实现的功能，现在仅需少数几个器件或一块集成电路板即可完成。薄膜技术正是实现器件小型化和智能化的有效手段2。薄膜材料接近微光粒子尺度，容易形成细晶、非晶状态使之具有一些块体材料所不具备的性能。此外，薄

《基于热蒸发方法的硫系薄膜制备与光学能研究设计》由会员s9****2分享，可在线阅读，更多相关《基于热蒸发方法的硫系薄膜制备与光学能研究设计》请在金锄头文库上搜索。