专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》试卷答案

1、8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。（2分）rH-（2分）电路的等效输入电阻为（）。RA.H.标准答案：C专升本CMOS模拟集成电路分析与设计一、（共75题，共150分）1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2 分）A. 12B.18C.20D.24.标准答案：B2. MOS管的小信号输出电阻几是由MOS管的（）效应产生的。（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。（2分）A.亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区 D.饱和区 .标准答案：D4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。（2分）A. 夹断B.反型C.导电 D.耗尽.标准答案：A5. （）表征了 MOS器件的灵敏度。（2分）ATB. aC. 因D. 厂.标准答案：C6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。（2分）A. FB. 3C. 曽D. 厂.标准答案：B7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。（2分）.标准答

2、案：C9. 镜像电流源一般要求相同的（）。（2分）A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度W D.器件长度L.标准答案：D10. 某一恒流源电流镜如图所示。忽略M3的体效应。要使和严格相等，应取为（）。wC2D.%皿.标准答案：A11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：A12. 下图中，其中电压放大器的增益为-A,假定该放大器为理想放大器。请计算该.标准答案：AB. 1C A（l+4）D .标准答案：A13. 对电路进行直流工作点分析的Hspice命令是（）。（2分）A.DC B.AC C.OP D.IC.标准答案：C14. 模拟集成电路设计中的第一步是（）。（2分）A.电路设计B.版图设计C. 规格定义D.电路结构选择.标准答案：C16. 模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（）。（2分）A.增益B.输出电阻C.输出摆幅 D.输入电阻.标准答案：C17. 模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是（）。（2分）A.增益B.电压净空C.输出摆幅 D.输入偏置.标准答案：A18. 在NMOS

3、中，若会使阈值电压（）（2分）A.增大 B.不变C.减小D.可大可小.标准答案：A19. NMOS管中，如果VB变得更负，则耗尽层（）。（2分）A.不变B.变得更窄 C.变得更宽D.几乎不变.标准答案：C20. 随着微电子工艺水平提高，特征尺寸不断减小，这时电路的工作电压会（）（2 分）A.不断提高B.不变C.可大可小D.不断降低.标准答案：D21. MOS管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是（）。（2分）A.电导 B.电阻C.跨导D.跨阻.标准答案：C22. 工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个（）。（2分）A.恒压源B.电压控制电流源C.恒流源D.电流控制电压源.标准答案：B23. 密勒效应最明显的放大器是（）。（2分）A.共源极放大器B.源极跟随器C.共栅极放大器D.共基极放大器.标准答案：A24. 不能直接工作的共源极放大器是（）共源极放大器。（2分）A.电阻负载B.二极管连接负载C.电流源负载D.二极管和电流源并联负载.标准答案：C25. 模拟集成电路设计中的最后一步是（）。（2分）A.电路设计B.版图设计C.规格定义D.电路结构选择.标准答案：B26. 在当今的集成电

4、路制造工艺中，（）工艺制造的IC在功耗方面具有最大的优 势。（2分）27. MOS器件小信号模型中的gmb是由MOS管的（）效应引起。（2分）A.二级B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：BA.亚阈值区B.深三极管区 C.三极管区D.饱和区.标准答案：B 35.下图的共源共栅放大器中，选择合适的偏置电压VB,让输入电压Vin从0逐28. PMOS管的导电沟道中依靠（）导电。（2分） A.电子B.空穴C.正电荷D.负电荷.标准答案：B29.当MOS管的宽长比是定值时，其跨导与漏源电流的关系曲线是（）。A.见图 B.见图C.见图D.见图.标准答案：D渐增加，则先从饱和区进入线性区的MOS管是（）。（2分）A.M1C.两个同时进入.标准答案：DB.M2D.都有可能30. 如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越（），输出电流越理想。（2分）A.大B.小 C.近似于WD.精确.标准答案：A31. MOS电容中对电容值贡献最大的是（）。（2分）A. C GSB.CGD36.下面放大器的小信号增益为（）。：（2分）C. CDBD CD. SB.标准答案：AA.B.g rm o1 + g Rm

5、 s32. 下面几种电路中增益线性度最好的是（）。（2分）A.电阻负载共源级放大器B.电流源负载共源级放大器C. 二极管负载共源级放大器 D.源极负反馈共源级放大器.标准答案：C33. 电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是（）。 （2分）.标准答案：A 37.下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是（）。（2分） A.为放大器管提供固定偏置 B.为放大管提供电流通路C.减小放大器的共模增益D.提高放大器的增益.标准答案：D34. 电阻负载共源级放大器中，让输入信号从VDD下降，NMOS管首先进入（） 区。（2分）38.下图电流镜的输出电压最小值为()。A 2V +2VA. ODthB 2V + VB OD thC 2VC OD2V + 2VD. OD GS.标准答案：C（2分）40.（）可提高图中放大器的增益。 分）(239.下图中，其中电压放大器的增益为-A,假定该放大器为理想放大器。请计算该电路的等效输出电阻为()RA. i+RB. 1 * 1AR Q + A1a)（2分）(W )I亍IL1,2(W )1,2W1,2标准答案:41. MOS管的端电压变化时，

6、源极和漏极（）互换。（2分）A.能B.不能C.不知道能不能D.在特殊的极限情况下能.标准答案：AC.R1+D.标准答案：B42. CMOS工艺里不容易加工的器件为（）。（2分）A.电阻 B.电容 C.电感 D.MOS管.标准答案：C43. MOS管的特征尺寸通常是指（）。（2分）.标准答案：B44. MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是（）。（2分）A.反型 B.夹断C.耗尽D.导通.标准答案：C45. 源极跟随器通常不能用作（）。（2分）46.能较大范围提高阈值电压的方法是（）。（2分）A.增大MOS管尺寸B.提高过驱动电压C.制造时向沟道区域注入杂质D.增大衬底偏置效应 .标准答案：C47. PMOS管导电，依靠的是沟道中的（）。（2分）A.电子 B.空穴 C.电荷D.电子空穴对.标准答案：B48. 为了让MOS管对外表现出受控电流源的特性，我们通常让其工作在（）区。 （2分）A.截止 B.三极管 C.线性 D.饱和 .标准答案：D49. MOS管中最大的电容是（）。（2分）A.氧化层电容B.耗尽层电容C.交叠电容D.结电容.标准答案：A50. MOS器件小信号模型中的:是由

7、MOS管的（）效应引起。（2分）A.体 B.衬偏C.沟长调制 D.亚阈值导通.标准答案：C51. 在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC最容易实现尺寸的按比例缩 小。（2分）A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS .标准答案：B52. （）在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每18个月翻一番（2分）A.比尔盖茨B.摩尔C.乔布斯D.贝尔.标准答案：B53. 最常见的集成电路通常采用（）工艺制造。（2分）A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS .标准答案：B54. 工作在（）区的MOS管，可以被看作为电流源。（2分）A.截止 B.三极管C.深三极管D.饱和.标准答案：D55. 工作在（）区的MOS管，其跨导是恒定值。（2分）57. 形成（）的栅源电压叫阈值电压（）。（2分） A.夹断层 B.反型层 C.导电层 D.耗尽层 .标准答案：B58. NMOS管中，如果VBS变得更小，则耗尽层（）。（2分）A.不变B.变得更窄C.变得更宽 D.几乎不变.标准答案：C59. NMOS管的导电沟道中依靠（）导电。（2分）A.电子 B.空穴

8、C.正电荷D.负电荷.标准答案：A60.当MOS管的宽长比是定值时，其跨导与过驱动电源的关系曲线是（）。A.见图B.见图C.见图D.见图.标准答案：C61. MOS管的漏源电流受栅源过驱动电压控制，我们定义（）来表示电压转换电流 的能力。（2分）A.跨导B.受控电流源C.跨阻D.小信号增益.标准答案：A62. 为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，入值（）（2分）A.较大B.较小C.不变D.不定.标准答案：B63. 共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗（）。（2分）A.低B.般C.高D.很高.标准答案：D64. NMOS管中，对阈值电压影响最大的是（）。（2分）.标准答案：A56. 载流子沟道就在栅氧层下形成（），源和漏之间“导通”。（2分）A.夹断层B.反型层C.导电层 D.耗尽层65. Cascode放大器中两个尺寸相同的NMOS具有相同的（）效应。（2分） A.沟长调制B.体C.背栅D.衬底偏置66. 小信号输出电阻相对最小的放大器是（）。（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：B67. 差分放大器中，共模输入电平的变化不会引起差动输出的改变的因素是（）。 （2分）A.尾电流源输出阻抗为有限值B.输入MOS管不完全对称C.负载不完全对称D.输入对管工作在饱和区.标准答案：Da 2V + 2VA. ODthB 2V + VB OD thC 2VC. ODd 2V + 2VD. ODGS.标准答案：B71.下图中，其中电压放大器的增益为-A,假定该放大器为理想放大器。请计算该68.下列不是基本差

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