LLC谐振半桥电路分析与设计[综合材料].doc

LLC谐振半桥电路分析与设计一、 简介在传统的开关电源中，通常采用磁性元件实现滤波，能量储存和传输开关器件的工作频率越高，磁性元件的尺寸就可以越小，电源装置的小型化、轻量化和低成本化就越容易实现但是，开关频率提高会相应的提升开关器件的开关损耗，因此软开关技术应运而生 要实现理想的软开关，最好的情况是使开关在电压和电流同时为零时关断和开通(ZVS，ZCS)，这样损耗才会真正为零要实现这个目标，必须采用谐振技术二、 LLC串联谐振电路根据电路原理，电感电容串联或并联可以构成谐振电路，使得在电源为直流电源时，电路中得电流按照正弦规律变化由于电流或电压按正弦规律变化，存在过零点，如果此时开关器件开通或关断，产生的损耗就为零下边就分析目前所使用的LLC谐振半桥电路基本电路如下图所示： A图2.1 LLC谐振半桥电路 其中Cr，Lr，Lm构成谐振腔（Resonant tank），即所谓的LLC，Cr起隔直电容的作用，同时平衡变压器磁通，防止饱和 2.1 LLC电路特征 （1）变频控制 （2）固定占空比50％ （3）在开关管轮替导通之间存在死区时间（Dead Time），因此Mosfet可以零电压开通（ZVS）,二次侧Diode可以零点流关断，因此二极管恢复损耗很小 （4）高效率，可以达到92％+ （5）较小的输出涟波，较好的EMI2.2 方波的傅立叶展开对于图2.1的半桥控制电路，Q1,Q2在一个周期内交替导通，即占空比为50％。

所以VA为方波，幅值等于Vin，其傅立叶级数展开为 公式1其基波分量为 公式2其中fsw为开关频率，Vi.FHA（t）为谐振腔输入方波电压的基波分量相应地，谐振腔输出电压（即理想变压器输出）也为方波 公式3其基波分量为 公式4其中为输出电压相对输入电压的相移，实际上为零2.3 FHA 电路模型 将图2.1所示电路的非线性电路做等效变换，可以得到下图：图2.2 FHA 谐振电路双端口模型FHA（First harmonic approximation）：一次谐波近似原理该原理是假设能量的传输只与谐振回路中电压和电流傅立叶表达式中的基波分量有关，因此，如果忽略开关频率的影响，则谐振腔被正弦输入电流Irt激励，其表达式为： 公式5 其中为输入电流相对输入电压的相移 相应地，谐振腔输出电流irect为 公式6 由于Vo.FHA（t）与irect（t）同相位，所以谐振电路的输出阻抗为 公式7 其中Rout为负载阻抗，该阻抗折算到变压器原边的反射阻抗Rac为 公式8所以，谐振腔的输入阻抗Zin（s）为 公式9变压器增益传递函数H(S)为 公式10 电压增益M(fsw)为 公式112.4 电压增益M（fn，λ，Q)分析对电压增益M（fsw）表达式中的变量进行替换，得到关于fn，λ，Q三个参量的函数，新的表达式为 公式12式中参数定义如下：谐振频率（Lr与Cr谐振） 公式13特征阻抗 公式14品质因数 公式15Lr与Lm电感值比 公式16归一化频率 公式17作出λ=0.2时M（fn，λ，Q)曲线簇如下图：（横轴为fn，纵轴为M）图2.3 LLC电压增益曲线其中红色曲线为空载时（Q=0）的电压增益曲线MOL，随着fn趋向于无穷，MOL逐渐趋向于M∞。

公式从图中可以看到，对于不同的Q值曲线，都会经过Load－independent point（fr，unity gain），且该点所有曲线的切线斜率-2λ很幸运，load－independent point出现在电压增益特征曲线的感性区域，这里谐振腔电流滞后于输入电压方波（这个是ZVS的必要条件）通过改变输入谐振回路的方波电压频率可以稳定转换器的输出电压：由于工作区域为电压增益特性的感性部分，所以，当输出功率减小或者输入电压增加时，通过提高工作频率来稳定输出电压考虑到这个问题，如果转换器工作点与load-independent point很接近，那么输出电压的稳定将会与宽负载变化相逆，相应地开关频率变化范围也会很小明显地，输入电压范围越宽，则工作频率范围也会相应地变的更宽，因此，很难对电路进行优化设计这也是目前所有的谐振拓扑结构中普遍存在的缺点一般来说，大功率场合一般都有一级PFC电路对于宽电压输入（85Vac～264Vac），经过PFC之后都会升压到400V，且变化范围不大（10％～15％）所以对于前端有PFC的LLC电路来讲，LLC输入电压的波动很小，因此上述问题不是很严重。

工作电压变化范围是：最小工作电压由PFC pre-regulator 持续能力决定（hold－up capability）during mains dips；最大工作电压由OVP线路的门限值决定因此，当输入电压在正常值时，谐振转换器可以在load-independent point优化设计，而最小输入电压during mains dips交给谐振腔自身的提升能力处理比如工作点低于谐振点）另外，还可以得到一个空载时（二次侧Diode不导通）的谐振频率fo 公式182.4.1 Mmin和fmax的选取当输入电压Vdc最大，输出负载最小时，电压最小增益Mmin须大于M∞ 公式19此时最大归一化频率为 公式202.4.1 Mmax和fmin的选取当输入电压Vdc最小，输出负载最大时，电压最小增益Mmax 公式21此时最小归一化频率为 公式22关于λ的分析，λ增加相应的变化为：（1）M-fn平面上的增益曲线向着谐振频率fnr收缩，这同时意味着空载谐振频率fno增加；（2）空载增益特性渐近线M∞逐渐减小；（3）每一条增益曲线的最大增益增加。

2.4 归一化阻抗Zn（fn，λ，Q)分析 公式23作出λ=0.2时Zn（fn，λ，Q)曲线簇如下图：（横轴为fn，纵轴为Zn）其中，红色和蓝色曲线分别为空载和短路时的归一化阻抗特性曲线，所有的Zn以两个归一化谐振频率fno和fnr为渐近线，且不同Q值的曲线相交于一点，该点的归一化频率fn.cross： 公式24当工作频率大于交叉频率fcross时，输入阻抗随输出电流的增大而减小，当工作频率小于交叉频率时，输入阻抗随输出电流的增大而增大输出阻抗一直减小根据fn可以将整个图分为三个区间fnfnr 感性工作区fno

同时，可以得到最大品质因数 公式29 公式30最大品质因数Qmax：当小于Qmax时，对于相同的fn－λ时，谐振腔阻抗呈感性，因此，最大的电压增益Mmax 公式31将Qz（fn，λ）带入M（fn，λ，Q）中，得到如Mz (fn, λ)的表达式 公式32因此，在fnr和fno之间的部分可以画出Mz (fn，λ)以确定感性和容性的分界线borderline，如下图，从图中还可以看到，对于单一Q值曲线来讲，最大的增益点总是落在容性区域三、 ZVS约束条件（Qmax的选择）3.1 概述假设工作在感性区域只是半桥MOSFET ZVS的必要条件（necessary condition），并不是充分条件(sufficient condition)，因为半桥中点的并联电容（在FHA分析中被忽略）在转换过程中需要充电（charged）和消耗（depleted）。

为了了解ZVS的工作情况，参照下图 其中存在两个电容，分别为POWER MOSFET的等效漏源极电容（输出电容）Coss和谐振腔阻抗杂散（stray）电容Cstray，因此节点N处的总电容Czvs为 公式33 转换过程如下图 3.2 ZVS充分条件 为了达到ZVS,在两个MOSFET轮换开通之间存在死区时间TD由于工作在感性区域，因此输入电流滞后于输入电压，当半周期结束时，谐振腔的电流Irt仍然在流入，这个电流可以消耗储存在Czvs上的电荷，从而使节点N的电压降为零，所以在另一个开关开启时为零电压开通 在半周期结束时，谐振电流腔中的电流必须可以保证在TD时间内，将Czvs的电荷消耗完，这就是ZVS的充分条件，临界电流Izvs为 公式34 这个电流等于流过谐振腔。