《电力电子技术》教学教案04单结晶体管.doc

第四讲 单结晶体管复习双向晶闸管工作原理掌握单结晶体管导通关断的条件了解单结晶体管触发电路工作原理单结晶体管的结构、伏安特性及主要参数单结晶体管触发电路工作原理双向晶闸管工作原理单结晶体管的结构、伏安特性及主要参数 党智乾复习： 1、晶闸管选用2、双向晶闸管工作原理触发方式：Ⅰ+触发：T1为正，T2为负；门极为正，T2为负Ⅰ-触发：T1为正，T2为负；门极为负，T2为正Ⅲ+触发：T1为负，T2为正；门极为正，T2为负Ⅲ-触发：T1为负，T2为正；门极为负，T2为正常用触发 方式：Ⅰ+ 、Ⅲ- 新知识： 单结晶体管一、单结晶体管1、单结晶体管的结构（a）结构 （b）等效电路 （c）图形符号 （d）外形管脚排列 2、伏安特性当两基极b1和b2间加某一固定直流电压时，发射极电流与发射极正向电压Ue之间的关系曲线称为单结晶体管的伏安特性＝f（Ue）a）单结晶体管实验电路 （b）单结晶体管伏安特性 （c）特性曲线族①截止区——aP段当开关Q闭合，电压Ubb通过单结晶体管等效电路中的rbl和rb2分压，得A点电位UA，可表示为式中:η——分压比，是单结晶体管的主要参数，η一般为0.3～0.9。

②负阻区——PV段当Ue>Up时，等效二极管VD导通，增大，这时大量的空穴载流子从发射极注入A点到b1的硅片，使rbl迅速减小，导致UA下降，因而Ue也下降UA的下降，使PN结承受更大的正偏，引起更多的空穴载流子注入到硅片中，使rbl进一步减小，形成更大的发射极电流，这是一个强烈的增强式正反馈过程当增大到一定程度，硅片中载流子的浓度趋于饱和，rbl已减小至最小值，A点的分压UA最小，因而Ue也最小，得曲线上的V点V点称为谷点，谷点所对应的电压和电流称为谷点电压Uv和谷点电流Iv这一区间称为特性曲线的负阻区③饱和区——VN段当硅片中载流子饱和后，欲使继续增大，必须增大电压Ue，单结晶体管处于饱和导通状态改变，器件由等效电路中的UA和特性曲线中Up也随之改变，从而可获得一族单结晶体管伏安特性曲线，如图（c）所示3、单结晶体管的主要参数有：单结晶体管的主要参数有基极间电阻rbb、分压比η、峰点电流IP、谷点电压UV、谷点电流IV及耗散功率等国产单结晶体管的型号主要有BT31、BT33、BT35等，BT，其主要参数如表1—4所示表1—4 单结晶体管的主要参数课后小结：单结晶体管的结构、伏安特性及主要参数。

板书设计：§1.1单结晶体管的结构、伏安特性及主要参数一、单结晶体管的结构与符号： 二、单结晶体管的伏安特性 ①截止区——aP段②负阻区——PV段③饱和区——VN段；三、单结晶体管的的主要参数基极间电阻rbb分压比η峰点电流IP谷点电压UV谷点电流IV耗散功率等46′15′ 1515重点15重点128。