半导体设备及所用材料
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1、半导体设备及所用材料1、氧化炉设备功能：为半导体材料进行氧化处理，提供要求的氧化氛围，实现半导体预期设计的氧化处理过程，是半导体加工过程的不可缺少的一个环节。所用材料：硅片、氧气、惰性气体等。2、PVD（物理气相沉积）设备功能：通过二极溅射中一个平行于靶表面的封闭磁场，和靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域，实现高离子密度和高能量的电离，把靶原子或分子高速率溅射沉积在基片上形成薄膜。所用材料：靶材、惰性气体等。3、PECVD设备功能：在沉积室利用辉光放电，使反应气体电离后在衬底上进行化学反应，沉积半导体薄膜材料。所用材料：特种气体（前驱物、惰性气体等）。4、MOCVD设备功能：以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种-V族、-族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。所用材料：特种气体（MO源、惰性气体等）。5、光刻机设备功能：将掩膜版上的图形转移到涂有光刻胶的衬底（硅片）上，致使光刻发生反应，为下一步加工（刻蚀或离子注入）做准备。所需材料：光刻胶等6、涂胶显影机设备功能：与光刻机联合作业，首先将光刻胶均匀地涂到晶圆上，满足光刻机的工作要求；然后，处理
2、光刻机曝光后的晶圆，将曝光后的光刻胶中与紫外光发生化学反应的部分除去或保留下来。所用材料：光刻胶、显影液等。7、检测设备（CDSEM、OVL、AOI、膜厚等）设备功能：通过表征半导体加工中的形貌与结构、检测缺陷，以达到监控半导体加工过程，提高生产良率的目的。所用材料：特种气体等。8、 干法刻蚀机设备功能：平板电极间施加高频电压，产生数百微米厚的离子层，放入式样，离子高速撞击式样，实现化学反应刻蚀和物理撞击，实现半导体的加工成型。所用材料：特种气体等。9、 CMP（化学机械研磨）设备功能：通过机械研磨和化学液体溶解“腐蚀”的综合作用，对被研磨体（半导体）进行研磨抛光。所用材料：抛光液、抛光垫等。10、晶圆键合机设备功能：将两片晶圆互相结合，并使表面原子互相反应，产生共价键合，合二为一，是实现3D晶圆堆叠的重要设备。所用材料：键合胶等。11、 湿制程设备（电镀、清洗、湿法刻蚀等）设备功能：1）电镀设备：将电镀液中的金属离子电镀到晶圆表面，以形成金属互连；2）清洗设备：去除晶圆表面的残余物、污染物等；3）湿法刻蚀设备：通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的化学反应将被刻蚀物质剥离下来。所用材料：电镀液、清洗液、刻蚀液等。12、 离子注入设备功能：对半导体材料表面附近区域进行掺杂。所用材料：特种气体等。13、晶圆测试（CP）系统设备功能：通过探针与半导体器件的pad接触，进行电学测试，检测半导体的性能指标是否符合设计性能要求。所用材料：NA。14、 晶圆减薄机设备功能：通过抛磨，把晶圆厚度减薄。所用材料：研磨液等。15、晶圆划片机设备功能：把晶圆切割成小片的Die。所用材料：划片刀、划片液等。16、引线键合机设备功能：把半导体芯片上的Pad与管脚上的Pad，用导电金属线（金丝）链接起来。所用材料：金属丝等。
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