材料科学基础复习题及答案
21页1、单项选择题:(每一道题1分)第1章原子结构与键合1. 高分子材料中的C-H化学键属于。(A)氢键(B)离子键(C)共价键2. 属于物理键的是。(A)共价键(B)范德华力(C)氢键3. 化学键中通过共用电子对形成的是 。(A)共价键(B)离子键(C)金属键第2章固体结构4. 面心立方晶体的致密度为C 。(A)100%( B) 68%( C) 74%5. 体心立方晶体的致密度为B。(A)100%( B) 68%( C) 74%6. 密排六方晶体的致密度为C 。(A)100%( B) 68%( C) 74%7. 以下不具有多晶型性的金属是 。(A)铜(B )锰(C)铁8. 面心立方晶体的孪晶面是。(A) 112( B) 110( C) 1119. fee、bee、hep三种单晶材料中,形变时各向异性行为最显著的是 (A) fee( B) bee( C) hep10. 在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒不属于一下哪种强化方式?(A )复合强化(B )弥散强化(C)细晶强化第3章晶体缺陷11. 刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系?(A)垂直(B)平行 (C)交叉12. 能进行攀移的位错必然是
2、。(A)刃型位错(B)螺型位错(C)混合位错13. 在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷称为 (A)肖特基缺陷(B)弗仑克尔缺陷(C)线缺陷14. 原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为(A)肖脱基缺陷(B) Frank缺陷(C)堆垛层错15. 以下材料中既存在晶界、又存在相界的是(A)孪晶铜(B)中碳钢(C)亚共晶铝硅合金16. 大角度晶界具有自由度。(A) 3( B) 4( C) 5第4章固体中原子及分子的运动17. 菲克第一定律描述了稳态扩散的特征,即浓度不随 变化(A)距离(B)时间(C)温度18. 在置换型固溶体中,原子扩散的方式一般为 (A)原子互换机制(B)间隙机制(C)空位机制19. 原子扩散的驱动力是 。(A)组元的浓度梯度(B)组元的化学势梯度(C)温度梯度20. A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应,测得界面向A试样方向移动,则。(A)A组元的扩散速率大于B组元(B)B组元的扩散速率大于A组元(C)A、B两组元的扩散速率相同21. 下述有关自扩散的描述中正确的为 。(A)自扩散系数由浓度梯度引起(B)自扩散又称为化学扩散(C)自扩散系数随温度升高
3、而增加22. 固体中原子和分子迁移运动的各种机制中,得到实验充分验证的是(A)间隙机制(B)空位机制(C)交换机制第5章材料的形变和再结晶23. 在弹性极限ce范围内,应变滞后于外加应力,并和时间有关的现象称为(A)包申格效应(B)弹性后效(C)弹性滞后24. 塑性变形产生的滑移面和滑移方向是(A)晶体中原子密度最大的面和原子间距最短方向(B)晶体中原子密度最大的面和原子间距最长方向(C)晶体中原子密度最小的面和原子间距最短方向25. bcc、fee、hep三种典型晶体结构中, 有最少的滑移系,因此具有这种晶体结构的材料塑性最差。(A) bee( B) fee( C) hep26. ,位错滑移的派-纳力越小。(A)位错宽度越大(B)滑移方向上的原子间距越大(C)相邻位错的距离越大27. 已知Cu的Tm=1083 C,则Cu的最低再结晶温度约为 。(A) 200 C( B) 270 C( C) 350 C28. 已知Fe的Tm=1538 C,则Fe的最低再结晶温度约为 。(A) 350 C( B) 450 C( C) 550 C29. Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是:(A
4、)溶质原子再扩散到位错周围(B)位错增殖的结果(C)位错密度降低的结果30. 位错缠结的多边化发生在形变合金加热的 段。(A)回复(B)再结晶(C)晶粒长大31. 再结晶晶粒长大的过程中,晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因,晶界总是向着向移动(A)曲率中心(B)曲率中心相反(C)曲率中心垂直32. 纯金属材料的再结晶过程中,最有可能在以下位置首先发生再结晶形核(A)小角度晶界(B)孪晶界(C)外表面33. 形变后的材料再升温时发生回复与再结晶现象,则点缺陷浓度下降明显发生在。(A)回复阶段(B)再结晶阶段(C)晶粒长大阶段34. 形变后的材料在低温回复阶段时其内部组织发生显著变化的是.(A)点缺陷的明显下降(B)形成亚晶界(C)位错重新运动和分布35. 对于变形程度较小的金属,其再结晶形核机制为 。(A)晶界合并(B)晶界迁移(C)晶界弓出36. 开始发生再结晶的标志是:(A)产生多变化(B)新的无畸变等轴小晶粒代替变形组织(C)晶粒尺寸显著增大37. 由于晶核产生于咼畸变能区域,再结晶在 E位不易形核。(A)大角度晶界和孪晶界(B)相界面(C)外表面第6章单组元相图及纯晶体的
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