《电子技术基础》教案
21页1、电子技术基础教案适用学时:前60(54)学时编写日期:2006年2月1日 绪言学时:1学时教学内容一、 电子技术基础课的性质 电子技术研究怎样通过各种半导体管以及由它们组成的电路将微弱电信号进行放大、变换或重新组合,然后应用到各个领域。 电子技术基础课主要介绍半导体器件的结构、工作原理和功能等,进而说明各种基本电路的应用范围、效率和形式。二、 电子技术基础课程的内容1、半导体器件 二极管、三极管、场效应管等是最常用的半导体器件,本书重点介绍二极管、三极管、场效应管的结构、工作原理、特性和主要参数,以及它们的简单检测方法。2、放大和振荡电路放大电路的放大功能是电子技术的重要理论依据。3、集成运算放大器4、直流电源5、晶闸管电路6、门电路及组合逻辑电路7、触发器和时序电路三、 课程目的和学习方法“电子技术基础”虽然是专业理论基础,但它具有很强的实践性。 第一章 常用半导体器件 第一节 半导体的基本知识学时:1学时教学要求:1 了解半导体的一般概念2 理解半导体的导电机理与导电特性3 理解掺杂半导体的产生及导电类型4 了解PN结的概念5 理解PN结形成的原理及PN结的单向导电性教学内容一、
2、半导体的导电特性空穴自由电子abc444444444共价键的两个价电子价电子4(a)硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生图 1.1硅、锗原子结构模型及共价键结构示意图 二、 N型和P型半导体1、N型半导体在本征半导体中参入微量五价元素的杂质形成的半导体,其共价键结构如图1.2所示。常用的三价元素的杂质有磷、砷和锑等。电子一空穴对磷原子自由电子444454444图1.2 N型半导体的结构2、P型半导体在本征半导体中参入微量三价元素的杂质形成的半导体,其共价键结构如图1.3所示。常用的三价元素的杂质有硼、铟等。空穴硼原子444434444电子一空穴对图1.3 P型半导体的结构三、 PN结及其单向导电性1、PN结的形成在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成P型半导体和N型半导体。此时将在P型半导体和N型半导体的结合面上形成的物理过程示意图如图1.4所示。内电场 P区 N区空间电荷区图1.4 PN结的形成2、PN结的单向导电性正偏与反偏:当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位,称为加正向电压,简称正偏;反之称为加反向电压,简称反偏。 (1) PN
3、结的正向导通特性NP变 厚IR0R外电场内电场电子(少数)空穴(少数)R外电场内电场IR空穴(多数)电子(多数)NP变薄(a) 正向偏置 (b)反向偏置 图1.5 PN结的导电特性 (2) PN结的反向截止特性 第二节 二极管学时:2学时教学要求:1 了解二极管的结构、图形符号、型号类型2 理解二极管的伏安特性及其主要参数3 掌握二极管的简单检测方法教学内容一、 二极管的结构、符号和类型1、结构和符号外壳(阴极)(阳极)P N阳极引线阴极引线VD(阴极)在PN结上加上引线和封装,就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。(a) 结构 (b)电路符号 (c)实物外形图1.6 二极管结构、符号及外形二、三、四、五、 二极管的电压电流特性加到二极管两端的电压和流过二极管的电流两者之间存在一定的关系,这种关系常用二极管的电压、电流特性曲线来描述。如图1.7所示。六、 二极管的主要参数(1) 最大整流电流I(2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VR(3) 反向电流IRuv/V015105Aiv/mAABBA-5IR0.2 0.4 0.6 0.8CDDC-30-UB
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