2CW56硅稳压二极管伏安特性曲线.doc

实验原理1、稳压二极管伏安特性描述2CW56属硅半导体稳压二极管，其正向伏安特性类似于1N4007型二极管，其反向特性变化甚大当2CW56二端电压反向偏置，其电阻值很大，反向电流极小，据手册资料称其值≤0.5随着反向偏置电压的进一步增加，大约到7－8.8V时，出现了反向击穿（有意参杂而成），产生雪崩效应，其电流迅速增加，电压稍许变化，将引起电流巨大变化只要路中，对“雪崩”产生的电流进行有效的限流措施，其电流有小许一些变化，二极管二端电压仍然是稳定的（变化很小）这就是稳压二极管的使用基础，其应用电路见图3－1图中，E—供电电源，如果二极管稳压值为7～8.8V，则要求E为10V左右；R—限流电阻，2CW56，工作电流选择8mA，考虑负载电流2 mA， 通过R的电流为10 mA，计算R值： R===200C—电解电容，对稳压二极管产生的噪声进行平滑滤波VZ—稳压输出电压图3－1 稳压二极管应用电路2、实验设计图3－2 稳压二极管反向伏安特性测试电路1) 2CW56反向偏置0～7V左右时阻抗很大，拟采用电流表内接测试电路为宜；反向偏置电压进入击穿段，稳压二极管内阻较小（估计为R=8/0.008=1K），这时拟采用电流表外接测试电路。

结合图3－1，测试电路图见图3－2 实验过程电源电压调至零，按图3－2接线，开始按电流表内接法，将电压表＋端接于电流表＋端；变阻器旋到1100后，慢慢增加电源电压，记下电压表对应数据当观察到电流开始增加，并有迅速加快表现时，说明2CW56已开始进入反向击穿过程，这时将电流表改为外接式，按表3－1继续慢慢地将电源电压增加至10V为了继续增加2CW56工作电流，可以逐步地减少变阻器电阻，为了得到整数电流值，可以辅助微调电源电压数据记录2CW56稳压二极管正向伏安特性电流表内接法U(V)00.20.30.40.50.550.60.650.70.750.78内接法I（mA）0000.010.070.170.30.630.911.917.3电流表外接法U(V)00.20.30.40.50.550.60.650.70.750.76外接法I（mA）0000.030.10.30.50.81.516.419.52CW56稳压二极管反向向伏安特性电流表内接法U(V)024677.57.67.77.87.97.95内接法I（mA）0000.010.10.250.481.35.711.216.8电流表外接法U(V)024677.57.67.77.87.9外接法I（mA）0000.020.20.51.25.59.417.9图表六、实验总结当稳压二极管尚未反向击穿时其反向电阻很大，使用电流表内接法，电流表的内阻相对于稳压二极管而言，压降很小，可以忽略。

当稳压二极管反向击穿后其反向电阻很小，使用电流表外接法，电压表相对于稳压二极管而言，分流很小，可以忽略总之，二极管正向导通时电阻值很小，采用电流表外接法测试电路产生的误差较小，二极管反向导通时电阻值很大，采用电流表内接法测试电路产生的误差较小姓名：姚春明 学号：20150679 实验时间：17周周五7、8节。