肖特基二极管原理和常用参数和检测方法.docx

肖特基二极管原理肖特基势垒二极管SBD （Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近 年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件其反向恢复时间极短（可以小 到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培这些 优良特性是快恢复二极管所无法比拟的中、小功率肖特基整流二极管大多采用 封装形式基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，形成肖 特基势垒来阻挡反向电压肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异其 耐压程度只有40V左右其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短 因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管肖特基二极管（Schottky Barrier Diode）是具有肖特基特性的“金属半导体结” 的二极管其正向起始电压较低其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、 钛等材料其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体这种器件是由多 数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多 由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频响仅为RC时间常数 限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件其工作频率可达100GHzo并且， MIS （金属一绝缘体一半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二 极管。

肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制它的主 要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就 比少子器件有更快的反应速度肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极 的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件 因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电 子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散显然，金属A中没有空穴，也就不存 在空穴自A向B的扩散运动随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面 逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B-A但在该 电场作用之下，A中的电子也会产生从A-B的漂移运动，从而消弱了由于扩散 运动而形成的电场当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运 动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒典型的肖特基整流管的内部电路结构是以 N 型半导体为基片，在上面形成用 砷作掺杂剂的N-外延层阳极（阻档层）金属材料是钼。

二氧化硅（SiO2）用 来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值N型基片具有很小的通态电阻，其 掺杂浓度较N-层要高100%倍在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的 接触电阻通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒， 当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度 Wo变窄加负偏压-E时，势垒宽度就增加综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN 结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来， 采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅 度降低成本，还改善了参数的一致性肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载 流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr—0），使开关特性获得时显改善 其反向恢复时间已能缩短到10ns以内但它的反向耐压值较低，一般不超过10 0V因此适宜在低压、大电流情况下工作利用其低压降这特点，能提高低压、 大电流整流（或续流）电路的效率 肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极 金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N- 外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成，如图4-44所示。

在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒当在肖特基势垒两端加上正向偏压 邙日极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻 变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内 阻变大cl http://hi. baidu. coin/diydz肯特基二接管的箱构 成志电干制作网肖特基二极管封装肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式 采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二 极管或保护二极管使用它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式，如图 4-45 所示肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式，见图 4-46采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式 有9 种管脚引出方式，见图 4-47和图 4-48U)tnG町■)Ha>叢Si掛裝肖特幕二擾暂的9种箭■引出方式P 4 4Ka.山阳药H) (S)恂HI⑶⑵ll>常用的肖特基二极管常用的有引线式肖特基二极管有 D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535 等 型号，各管的主要参数见表 4-43。

«4-45 A##用有引罐武岗特暮二极■的主娶•败、、牟詡砂、走电耗/A睥覘电濫ZA/VJUHdr磨电用/VftJHM/ft*幣站构序式L»n □□«ISzsn0.55TO- ZMM.HK253530Wfl0.71诂0.10.3$DO JJKE572LUir.050.20.37IX)-34常用的表面封装肖特基二极管有FB系列，其主要参数见表4-44X/VK^£剛A/A算值/A星女th 向用障/V最大反/|!4.A1¥・引D]i£K刚 5H 4-H4wQ,3535*WCFD (DPAK)PAK)1klS]hOEr 柏4D1观O.J5inwJ«5MJUtflltH'4D15心岳KOME*D (SOT-«v)FRL^DID409.5J0.5TOSMT) ESC ■阳/SOT - 25)DKH1JU：40150.5100就pd(styr-s9)FRIM?SC2&30x$$?0MPT) (5OT - 89)GK 聲 DO"2o4-53C5铀$M1) CSC - 59/SOT-23)f]MKBUin2&0.550.530SMUr>RM20D25D.l10.451SM[JDRIW2ID20D.lt0.55MSMt)uKH425D20D.I10.553DSMI)ARIM54F250.1I0.45]UMDDRIW5LF20OJ10.5530HMDDRIU73 E20OJ10.5530FMD {SOT-25)ERIJTO1D250,030u20.J7HMD (SC- 59/Sffl -33>Dfillet)i；a .03U-2o.iJ,$ML>A25（i-棉n-20. J?1SMhcRI1TI5F課0.09H-2d.31UMD/小苗KK7I7F0-030-20.^7Li Ml)KHTSlIIO.nS0!・£LMdsm1 JRBW! u25G.OJQ.2D-J7亠imij (wyr - jfr)kBSdOEl250/1D-45IDSMKII5QIII2S0.1^.35IJSMJ肖特基二极管的检测肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），它是一种 低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作 高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信 等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

1．性能比较下表列出了肖特基二极管和超快恢复二极管、快恢复二极管、硅高频整 流二极管、硅高速开关二极管的性能比较由表可见，硅高速开关二极管的 trr 虽极低，但平均整流电流很小，不能作大电流整流用半导体 器件名称典型产品型 号平均瘵 流电流 Zd（A）正向导逋电压员向恢 复时间反向峰值电压典型值 KP（V）最大值肖轉基二极管161CMQ050160o.s<10so超快恢复二极管MUR801OOA30OtS351Q00快恢复二极管D2&-02150.61.0400200硅离频整流管PR300680,61,2JOO800硅高速开关二扱管1N4148oas0.81.04100http：//hi. baidu. cgsi/diydz2．检测方法下面通过一个实例来介绍检测肖特基二极管的方法检测内容包括：① 识别电极；②检查管子的单向导电性；③测正向导压降VF；④测量反向击 穿电压 VBR被测管为B82-004型肖特基管，共有三个管脚，将管脚按照正面（字面 朝向人）从左至右顺序编上序号①、②、③选择500型万用表的RX1档 进行测量，全部数据整理成下表：测试结论：第一， 根据①一②、③一④间均可测出正向电阻，判定被测管为共阴对管，①、③脚为两个阳极，②脚为公共阴极。

第二， 因①一②、③一②之间的正向电阻只几欧姆，而反向电阻为无穷大，故具有单向导电性第三， 内部两只肖特基二极管的正向导通压降分别为0.315V、0.33V,均低于手册中给定的最大允许值VFM(0.55V)另外使用ZC 25-3型兆欧表和500型万用表的250VDC档测出，内部两管的反向击穿电压VBR依次为140V、135V查手册，B82 -004的最高反向工作电压(即反向峰值电压)VBR=40V表明留 有较高的安全系数。