硅片沾污控制共48页.ppt

第六章第六章 硅片沾污控制硅片沾污控制1沾污的类型沾污的类型沾污的来源与控制沾污的来源与控制硅片的湿法清洗介绍硅片的湿法清洗介绍干法清洗方案介绍干法清洗方案介绍本章内容本章内容26.1 沾污的类型沾污的类型 沾污（沾污（Contamination））是指半导体制造过程中引入半导体硅片的，任何危害芯片成品率及电学性能的，不希望有的物质 沾污经常导致有缺陷的芯片，致命缺陷是导致硅片上的芯片无法通过电学测试的原因 3三道防线三道防线: 1. 净化间（净化间（clean room）） 2. 硅片清洗（硅片清洗（wafer cleaning）） 3. 吸杂（吸杂（gettering））4净化间沾污分为五类净化间沾污分为五类颗粒金属杂质有机物沾污自然氧化层静电释放（ESD）5颗粒颗粒：：所有可以落在硅片表面的都称作颗粒所有可以落在硅片表面的都称作颗粒颗粒来源颗粒来源：：ü空气空气ü人体人体ü设备设备ü化学品化学品超级净化空气超级净化空气风淋吹扫、无尘服、面罩、风淋吹扫、无尘服、面罩、手套等手套等特殊设计及材料特殊设计及材料定期清洗定期清洗超纯化学品超纯化学品，去离子水，去离子水 后果后果：电路开路或短路，薄膜针眼或开裂，引起后续沾污。

电路开路或短路，薄膜针眼或开裂，引起后续沾污一一. .颗粒沾污颗粒沾污6各种可能落在芯片表面的颗粒各种可能落在芯片表面的颗粒7半导体制造中，可以接受的颗粒尺寸的粗略法则是它必须小于最小器件特征尺寸的一半一道工序，引入到硅片中，超过某一关键尺寸的颗粒数，用术语表征为：每步每片上的颗粒数（PWP）在当前生产中应用的颗粒检测装置能检测到的最小颗粒直径约为0.1微米8二二. .金属沾污金属沾污Ø来源：来源：化学试剂，离子注入、反应离子刻蚀等工艺化学试剂，离子注入、反应离子刻蚀等工艺 化学品和化学品和传输传输管道管道及及容器的反应容器的反应v量级：量级：1010原子原子/cm2Ø影响：影响：ü在界面形成缺陷，影响器件性能，成品率下降在界面形成缺陷，影响器件性能，成品率下降ü增加增加p-n结的漏电流，减少少数载流子的寿命结的漏电流，减少少数载流子的寿命Fe, Cu, Ni, Cr, W, Ti…Na, K, Li…9Ø金属杂质沉淀到硅表面的机理n通过金属离子和硅表面终端的氢原子之间的电荷交换，和硅结合难以去除）n氧化时发生：硅在氧化时，杂质会进入Ø去除方法：使金属原子氧化变成可溶性离子 M Mz+ + z e-Ø去除溶液：SC-1, SC-2（H2O2：强氧化剂）还原氧化10 金属离子在半导体材料中是高度活动性的，被称为可可动动离离子子沾沾污污（（MICMIC））。

当MIC引入到硅片中时，在整个硅片中移动，严重损害器件电学性能和长期可靠性 对对于于MIC沾污,能迁移到栅结构中的氧化硅界面，改变开启晶体管所需的阈值电压 由于它们的性质活泼，金属离子可以在电学测试和运输很久以后沿着器件移动，引起器件在使用期间失效11三三. 有机物的沾污有机物的沾污Ø导致的问题导致的问题: 栅氧化层密度降低; 清洁不彻底,容易引起后续沾污Ø来源：来源： •环境中的有机蒸汽, 如清洁剂和溶剂•存储容器•光刻胶的残留物Ø去除方法：去除方法：强氧化强氧化 － 臭氧干法 － Piranha：H2SO4-H2O2 （7:3） － 臭氧注入纯水12四四. . 自然氧化层自然氧化层 Ø来源来源: 在空气、水中迅速生长Ø导致的问题：导致的问题：ü接触电阻增大ü难实现选择性的CVD或外延ü成为金属杂质源ü难以生长金属硅化物Ø清洗工艺：HF＋H2O（ca. 1: 50）五五. 静电释放静电释放 静电释放（ESD）也是一种污染形式，因为它是静电，从一个物体向另一个物体，未经控制的转移，可能会损坏芯片。

ESD产生于，两种不同静电势材料的接触或摩擦 半导体制造中，硅片加工保持在较低的湿度中，典型条件为40％±10％的相相对对湿湿度度（RH，Relative Humidity）增加相对湿度可以减少带电体的电阻率，有助于静电荷的释放，但同时也会，增加侵蚀带来的沾污14静电释放导致金属导线蒸发，氧化层击穿总电量小，但是区域集中，放电时间短，导致高电流）电荷积累吸引，带电颗粒或其他中性颗粒，会引起后续沾污静电释放带来的问题静电释放带来的问题15 半导体器件制造厂房存在7种沾污源：空气、人、厂房、水、工艺用化学品、工艺气体和生产设备一一. . 空气空气 净化间最基本的概念是：对硅片工厂空气中的颗粒控制我们通常所呼吸的空气是不能用于半导体制造的，因为它包含了太多的漂浮沾污6.2 6.2 沾污的源与控制沾污的源与控制16 净化级别，标定了净化间的空气质量的级别，它是由净化室空气中的颗粒尺寸和密度表征的 表表6.2 6.2 美国联邦标准美国联邦标准209E209E中各净化间级别对空气漂浮颗粒的限制中各净化间级别对空气漂浮颗粒的限制近些年来业内已经开始使用0.1级，这时颗粒尺寸缩小到0.02~0.03µm。

17二二. . 人人 人员持续不断地进出净化间，是净化间沾污的最大来源  现代超净服是高技术，膜纺织品或密织的聚酯织物先进的材料对于0.1微米及更大尺寸的颗粒具有99.999%的效率级别超净服的系统目标：1 1））对身体产生的，颗粒和浮质的总体抑制；2 2））系统颗粒零释放；3 3））对ESDESD静电释放静电释放的零静电积累；4 4））无化学和生物残余物的释放19三．厂房三．厂房 为使半导体制造在一个超洁净的环境中进行，有必要采用系统方法来控制净化间区域的输入和输出在净化间布局、气流流动模式、空气过滤系统、温度和湿度的设定、静电释放等方面都要进行完善的设计，同时尽可能减少通过设备、生产器具、人员、净化间供给，引入的颗粒和持续监控净化间的颗粒，定期反馈信息及维护清洁20为实现净化间中的超净环境，气流种类是关键的对于100级或一下的净化间，气流是层流层流状态，没有湍流湍流气流模式垂直层流对于外界气压具有轻微的正压，充当了屏蔽，以减少设备或人到暴露着的产品的横向沾污气流原理气流原理21对于流体流动状态的描述对于流体流动状态的描述—— Re>4000时流体为湍流(onflow)，Re<2300时为层流(laminar flow)，Re介于2300和4000之间是过渡状态。

雷诺数雷诺数其中，U是流体流速，ρ是流体密度，L是管道尺寸，η是流体粘度22 空气进入到天花板内的特效颗粒过滤器，以层流的模式流向地面，进入到空气再循环系统后与补给的空气一道返回空气过滤系统在现代工艺线上，空气每6秒可以周转1次特效颗粒过滤器：特效颗粒过滤器：高效颗粒空气过滤器（HEPA）：用玻璃纤维制成，产生层状气流超低渗透率空气过滤器（ULPA）：指那些具有99.9995%或更高效率过滤直径超过0.12 μ m颗粒的过滤器空气过滤空气过滤23 对硅片加工设备温度和湿度的设定有着特别的规定一个1级0.3μm的净化间温度控制的例子是23±0.5摄氏度 相对湿度（RH）很重要，因为它会助长侵蚀，例如自然氧化层的生长典型的RH设定为40％±10％温度和湿度温度和湿度24 多数静电释放可以通过合理运用设备和规程得到控制主要的ESD控制方法有：防静电的净化间材料ESD接地空气电离静电释放静电释放25 四．水四．水 为了制造半导体，需要大量的高质量、超纯去离子水（（DI DI WaterWater，，De-ionized De-ionized WaterWater））。

我们平时使用的来自于自来水厂的生活用水含有大量的沾污而不能用于硅片生产经过处理之后，DI DI WaterWater中不允许有的沾污是：溶解离子、有机材料、颗粒、细菌、硅土和溶解氧同时在25℃℃下， DI DI WaterWater的电阻率要达到 18MΩ-MΩ-cmcm（兆欧·厘米）26五五. .工艺用化学品工艺用化学品 无论是液态化学品还是气体化学品，都必须不含沾污然而，处理和传送系统有可能引入杂质，所以在靠近使用现场安置过滤器 过滤效率是指停留在过滤器中特定尺寸以上的颗粒的百分比对于ULSIULSI（（超超大大规规模模集集成成电电路路））工艺中使用的液体过滤器，对于 0.2微米以上颗粒的典型效率为99.9999999% %27六六. .生产设备生产设备 用来制造半导体硅片的生产设备是硅片工厂中最大的颗粒来源 在硅片制造过程中，硅片从片架重复地转入设备中，经过多台装置的操作，卸下返回到片架中，又被送至下一工作台这就需要特殊的设计特殊的设计考虑以避免沾污有用输送带系统和升降机来传送硅片、用封闭洁净的片架装硅片、建立一个微环境来加工硅片等等28 硅片表面在经受工艺之前必须是洁净的。

一旦硅片表面被沾污,沾污物必须通过清洗而排除硅片清洗的目标是去除所有表面沾污:颗粒、有机物、金属和自然氧化层在当今ULSI制造工艺中，据估计单个硅片的表面要湿法清洗上百次 6.3 6.3 硅片湿法清洗硅片湿法清洗29 占统治地位的硅片表面清洗方法是湿化学法 工业标准湿法清洗工艺称为RCARCA清洗工艺用在湿法清洗中的典型化学品以及它们去除的沾污列于表6.36.3.1 6.3.1 湿法清洗概况湿法清洗概况30 RCARCA工艺工艺是由美国无线电公司（RCA）于20世纪六十年代提出的，首次采用是在1970年 RCA湿法清洗由一系列有序的，浸入两种不同的化学溶液组成： 1号标准清洗液（SC-1） 2号标准清洗液（SC-2）31SC-1（（APM，，Ammonia Peroxide Mixture）：）： NH4OH(28%):H2O2(30%):DI=1:1:5～～1:2:7 70～～80 C, 10min 碱性（碱性（pH值值>7））ü可以氧化有机膜ü和金属形成络合物ü缓慢溶解原始氧化层，并再氧化——可以去除颗粒üNH4OH对硅有腐蚀作用RCA——标准清洗标准清洗OH－－OH－－OH－－OH－－OH－－OH－－32SC-2: HCl(73%):H2O2(30%):DI=1:1:6~1:2:8 70～～80 C, 10min 酸性（酸性（pH值值<7））ü可以将碱金属离子及可以将碱金属离子及Al3＋＋、、Fe3＋＋和和Mg2＋＋与与SC-1溶液中形溶液中形成的成的不溶的不溶的氢氧化物，反应成溶于水的络合物氢氧化物，反应成溶于水的络合物ü可以进一步去除残留的重金属污染（如可以进一步去除残留的重金属污染（如Au））RCA与超声波振动共同作用，可以有更好的去颗粒作用与超声波振动共同作用，可以有更好的去颗粒作用20～～50kHz 或或 1MHz左右。

左右平行于硅片表面的声压波使粒子浸润，然后溶液扩散入界面，最后粒子完全浸润，并成为悬浮的自由粒子33 表表6.3 6.3 硅片湿法清洗化学品硅片湿法清洗化学品34现代芯片生产中硅片清洗工艺流程现代芯片生产中硅片清洗工艺流程化学溶剂化学溶剂清洗温度清洗温度清除的污染物清除的污染物1H2SO4+H2O2(4:1)120 C,10min有机物和金属有机物和金属2D.I. H2O室温室温洗清洗清3NH4OH+H2O2+H2O(1:1:5) (SC－－1) 80 C,10min微尘微尘4D.I. H2O室温室温洗清洗清5HCl+H2O2+H2O(1:1:6) (SC－－2) 80 C,10min金属金属6D.I. H2O室温室温洗清洗清7HF+H2O (1:50)室温室温氧化层氧化层8D.I. H2O室温室温洗清洗清9干燥干燥35清洗容器和载体清洗容器和载体üSC1/SPM/SC2– 石英（ Quartz ）或 Teflon容器üHF– 优先使用Teflon，其他无色塑料容器ü硅片的载体硅片的载体– 只能用Teflon 或石英片架（不能用于HF清洗中）36常见清洗设备常见清洗设备兆声清洗兆声清洗喷雾清洗喷雾清洗兆声清洗兆声清洗喷雾清洗优点：持续供给新鲜清洗液，高速优点：持续供给新鲜清洗液，高速冲击的液滴和硅片旋转可保证有效冲击的液滴和硅片旋转可保证有效清洗。

清洗缺点：清洗不均匀，中心旋转为缺点：清洗不均匀，中心旋转为零优点：可批处理进行清洗；节省清洗液用量优点：可批处理进行清洗；节省清洗液用量缺点：可能造成清洗损伤缺点：可能造成清洗损伤37洗刷器洗刷器水清洗＋干燥水清洗＋干燥•溢流清洗溢流清洗•排空清洗排空清洗•喷射清洗喷射清洗•加热去离子水清洗加热去离子水清洗•旋转式甩干旋转式甩干•IPA异丙醇蒸气干燥异丙醇蒸气干燥缺点：单片操作，效率缺点：单片操作，效率低，难以实现批处理低，难以实现批处理38硅片甩干硅片甩干：：硅片对水的响应程度称为它的可湿性水可浸润亲水性的洁净硅片上，而在疏水性表面上因为表面张力收缩为水珠，即反浸润这样的水珠在干燥后会在硅片表面形成斑点经过氢氟酸腐蚀的无氧化物表面由于氢终结了表面原子层因而是疏水性的必须彻底干燥硅片表面旋转式甩干机：难以除去孔穴中的水分；高速旋转引起电荷积累吸引颗粒异丙醇蒸气干燥：IPA的纯度级别必须加以控制39（1）微粗糙度（RMS）；（2）自然氧化物清除率；（3）金属沾污、表面颗粒度以及有机物沾污；（4）芯片的破损率；（5）清洗中的再沾污；（6）对环境的污染；（7）经济的可接受性（包括设备与运行成本、 清洗效率）等。

硅片清洗技术评价的主要指标硅片清洗技术评价的主要指标40ü颗粒的产生颗粒的产生ü较难干燥较难干燥ü价格价格ü化学废物的处理化学废物的处理ü和先进集成工艺的不相容和先进集成工艺的不相容湿法清洗的问题湿法清洗的问题41 现在已经研究出几种可以取代RCA清洗的清洗技术,像等离子体干法清洗、使用螯合剂、臭氧、低温喷雾清洗等,但在工业生产上还未大量应用 6.4 RCA6.4 RCA湿法清洗的替代方案湿法清洗的替代方案42干法清洗工艺干法清洗工艺Ø气相化学，通常需激活能在低温下加强化学反应Ø所需加入的能量，可以来自于等离子体，离子束，短波长辐射和加热，这些能量用以清洁表面，但必须避免对硅片的损伤üHF／H2O气相清洗ü紫外一臭氧清洗法（UVOC）üH2／Ar等离子清洗ü热清洗43等离子清洗有物理清洗和化学清洗（表面改性）两种方式前者称为PE方式，后者称为RIE方式将激发到等离子态的活性粒子与表面分子反应，而产物分析进一步解析形成气相残余物而脱离表面目前等离子体技术已经用来除去有机光刻胶（灰化）和有机物沾污，是替代湿法化学方法的一种绿色手段，是被人们十分关注的根本治理污染的技术。

6.4.1 6.4.1 等离子体基干法清洗等离子体基干法清洗44螯合剂用来结合并除去金属离子，加入到清洗液中，能够减少溶液中的金属再淀积典型的螯合剂如乙二胺四乙酸（EDTA）这类螯合剂通常通过配位键与溶液中的金属离子达到非常稳定的结合，以实现金属与硅片表面的隔离6.4.2 6.4.2 螯合剂螯合剂45臭氧处理过的纯水结合紧随其后的SC-2清洗步骤能有效除去诸如铜（Cu）和银（Ag）这类金属，同时能去除有机物沾污6.4.3 6.4.3 臭氧（臭氧（O O3 3））46 原理：充分冷却气体（如氩气Ar），形成固态晶粒，喷射到硅片表面除去颗粒沾污6.4.4 6.4.4 低温喷雾清洗低温喷雾清洗47原理：用高压压缩CO2气体，使之成一种介于液体和气体之间的流体物质，“超临界”状态这种流体与固体接触时，不带任何表面张力，因此能渗透到晶圆内部最深的光刻位置，因而可以剥离更小的颗粒此外，超临界流体的粘度很低，可以清除掉晶圆表面的无用固体采用超临界流体清洗给组合元件图案造成的损伤少并可以抑制对Si基板的侵蚀和不纯物的消费可对注入离子的光敏抗腐蚀剂掩模用无氧工艺进行剥离 6.4.5 6.4.5 超临界清洗技术超临界清洗技术48。