半导体专业术语.docx

1.2.3.4.5.6.7.8.9.10.11.12.13.14.15.16.17.18.19.acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) acceptor :受主，如B,掺入Si中需要接受电子Acid：酸Active device：有源器件，如MOS FET (非线性，可以对信号放大)Align mark (key):对位标记AI loy：合金AIumi num: ¥吕Ammon i a:氨水Ammon i um fIuor i de: NH4FAmmoni um hydroxide: NH40HAmorphous s i I i con: a-Si,非晶硅(不是多晶硅)Analog：模拟的Angstrom： A (1E-10m)埃Anisotropic：各向异性(如 POLY ETCH)AQL (Acceptance Qua I ity Level):接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准(不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率)ARC (Anti reflective coat i ng):抗反射层(用于 METAL 等层的光刻)Argon (Ar) MArsen i c (AsM申Arsen i c tr i ox i de (As203)三氧化二五申20.21.22.23.24.25.26.27.28.29.30.31.32.33.34.35.36.Arsine (AsH3)Asher :去胶机Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度' 宽度比）Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）Base line：标准流程Benchmark：基准Bipolar：双极Boat：扩散用（石英）舟CD： （Critical Dimension）临界（关键）尺寸。

在工艺上通常指条宽，例如POLY CD为 多晶条宽Character window：特征窗口用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域Chemi cal-mechanical polish （CMP）：化学机械抛光法一种去掉圆片表面某种物质的方法 Chemical vapor deposition （CVD）:化学汽相淀积一种通过化学反应生成一层薄膜的工 艺Chip：碎片或芯片CIM： computer-i integrated manufactur i ng的缩写用计算机控制和监控制造工艺的一种 综合方式Circuit design :电路设计一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术Cleanroom： 一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域37. Compensation doping：补偿掺杂向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质38. CMOS: comp I ementary meta I ox i de sem i conductor 的缩写一种将 PMOS 和 NMOS 在同— 硅衬底上混合制造的工艺39. Computer-aided design (CAD)：计算机辅助设计。

40. Conductivity type：传导类型，由多数载流子决定在N型材料中多数载流子是电子，在 P型材料中多数载流子是空穴41. Contact：孑L在工艺中通常指孔1,即连接铝和硅的孔42. Control chart：控制图一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表43. Correlation：相关性44. Cp：工艺能力，详见 process capabi I ityo45. Cpk：工艺能力指数，详见 process capabi I ity i ndexo46. Cycle time：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间通常用来衡量流通速度的快慢47. Damage：损伤对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫 做损伤48. Defect density：缺陷密度单位面积内的缺陷数49. Depletion implant：耗尽注入一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺耗尽 晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管)50. Depletion layer :耗尽层可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域51. Depletion width：耗尽宽度。

53中提到的耗尽层这个区域的宽度52. Deposition：淀积一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法53. Depth of focus （DOF）：焦深54. design of experiments （DOE）:为了达到费用最小化' 降低试验错误' 以及保证数据结果 的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划55. develop：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程）56. deve I oper : I ）显影设备；II）显影液57. die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上 的部分划片槽区域58. dielectric： I ）介质，一种绝缘材料；II）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供 电绝缘功能59. di幵used layer :扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形 成与衬底材料反型的杂质离子层60. drive-in：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散61. dry etch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物 理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。

62. e幵ective layer thickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的 硅锭前端的深度63. EM： electromigration,电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散 过程64. epitaxial layer：外延层半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体65.66.67.68.69.70.71.72.73.74.75.76.77.78.79.80.81.82.材料，这一单晶半导体层即为外延层equipment downtime:设备状态异常以及不能完成预定功能的时间etch：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域exposure：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程fab：常指半导体生产的制造工厂feature size：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸f i e I d-e幵ect trans i stor (FET):场效应管包含源' 漏' 栅' 衬四端，由源经栅到漏的 多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质flat：平边f I ow ve I oc i ty ：流速计f I ow vo I ume: 流量计flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数forb i dden energy gap: 禁带four-point probe:四点探针台functi ona 丨 area: 功能区gate oxide：栅氧g I ass t rans i tion temperature： 玻璃态转换温度gown i ng:净化服gray area:灰区graz i ng i nc i dence int erferome ter： 切线入身寸干涉仪hard bake:后烘heteroep i taxy:单晶长在不同材料的衬底上的外延方法high-current implanter ：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产h i gn-eff i c i ency part i cu I ate a i r (HEPA) f i I ter :高效率空气颗粒过滤器，去掉％的大于 的颗粒host:主机hot carriers： 热载流子hydrophi I ic：亲水性hydrophobic:疏水性impur i ty：杂质i nduct i ve coup I ed p I asma (I CP):感应等离子体inert gas：惰性气体initial oxide：—氧i nsu I ator :绝缘i so I ated line：隔离线imp I ant :注入i mpur i ty n :掺杂junction :结83.84.85.86.87.88.89.90.91.92.93.94.95.96.97.98.99.100.101.junction spiking n :铝穿朿I」102.103.104.105.106.107.108.109.110.111.112.113.114.115.116.117.118.119.120.121.kerf :划片槽I and i ng pad n :PADI i thography n 制版mainta i nab i 丨 ity, equ i pment : 设备产能ma i ntenance n :保养majority car r i er n :多数载流子masks, dev i ce ser i es of n : —成套光刻版mat erial n :原料matr i x n 1 :矩阵mean n :平均值measured I eak rate n :测得漏率med i an n :中间值memory n :记忆体meta I n :金属nanometer (nm) n :纟内米nanosecond (ns) n :纟内秒nitride etch n :氮化物刻蚀nitrogen (N2 ) n：氮气，一种双原子气体n-type adj : n 型ohms per square n:欧姆每平方：方块电阻122. orientation n：晶向，一组晶列所指的方向123. over I ap n : 交迭区124. oxidation n :氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应125. phosphorus (P) n ：磷，一种有毒的非金属元素126. photomask n :光刻版，用于光刻的版127. pho to mask, nega tive n: 反刻128. images：去掉图形区域的版129. pho to mask, pos itive n: 正刻130. pilot n :先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子131. plasma n :等离子体，用于去胶' 刻蚀或淀积的电离气体132. p I asma-enhanced chemi ca I va。