WT2000硅片扫描测量系统操作规程.docx

量扫描结束后记录数据或保存图片，点击卸载样片作业指导书题 目：WT2000硅片扫描测量系统操作规程页号：1/4发布日期：文件号：QI-硅片测量系统-01 版本号：0修订状态：0编制：审核：批准：1. 目的确保WT2000硅片扫描测量系统的正常运行2. 适用范围适用于硅片的少子寿命、电阻率测量，扩散后硅片的方块电阻测量，电池片的LBIC （光 生诱导电流）测量另外，可以测量出硅材料及扩散片衬底的PN型由LBIC的测量结果， 可以给出扩散长度并能计算出少子寿命，结合反射率的测量结果，可得到电池片的内量子效 率也适用于硅锭的少子寿命、电阻率和衬底的PN型测量3. 规范性引用文件无4. 职责电池研发部负责设备的使用、修护、保养5. 术语和定义无6. 测量6・1使用前的准备：6.1.1打开电脑电源开关（两个电脑主机箱上的开关都要打开），打开真空阀打开WT-2000 的顶盖，确认样品台上没有样品双击Wintan32图标打开软件，在Measure菜单的下拉 菜单中点击Initalize进行初始化6.1.2检查/设置合适的探头高度（测试硅片时不需要改动），当测试硅锭及做了碘酒钝化的 硅片时探头高度应另行设置。

注意：不合适的探头高度既会损伤样品及探头（探头处于 较低的位置），也会降低测量精度（探头处于较高的位置）6.2少子寿命的测量：6.2.1在屏幕左上方的测量类型的下拉菜单中选择u-PCD6・2・2点击〜装载样片装片后先点击“Vacuum On”吸住硅片，如果是弯曲片应先压平，然后点击“OK”，程序进行样品边缘的自动确认6.2.3待样品边缘确认后，在弹出的对话框中点击“Autosetting”，待自动设置完毕后可按进行扫描测具体情况在Raster这一项中选择不同的扫描精度之后点击Map/Rasume题 目：WT2000硅片扫描测量系统操作规程文件号：QI-硅片测量系统-01版本号：0 修订状态：0页号：2/4发布日期：6.3电阻率的测量：6.3.1测量类型选择“EDDY” ；在更换为“EDDY”时，系统会提示放下探头5)WINTAU32 7.1G.1file Edit View Mea^6.3.2点击』装载样片，装片后先点击“Vacuum On”吸住硅片，如果是弯曲片应先压平, 然后点击“OK”，程序进行样品边缘的自动确认6.3.3在弹出“Eddy Recoder”对话框中“Sample”项选择测量硅片“Wafer”还是测量硅锭 “Block”，窗口中输入硅片的厚度。

6.3.4在“Functions”的下拉菜单中选择“Load Calibrution File”调用相应厚度硅片或 是硅锭的校正文件，然后点击“Compensate”题 目：WT2000硅片扫描测量系统操作规程文件号：QI-硅片测量系统-01版本号：0 修订状态：0页号：3/4发布日期：6.3.5点击Map/Resume養J进行测量扫描结束后记录数据或保存图片，点击卸载样片,并把探头拨上去6.4方块电阻的测量：©Wintaftg32XlU-1021 re6.4.1测量类型选择“SHR”6.4.2点击4装载样片，装片后先点击“Vacuum On”吸住硅片，如果是弯曲片应先压平, 然后点击“OK”，程序进行样品边缘的自动确认6.4.3 在“SHR Recoder”窗口 中选择 “Autosetting”点击 Map/Resume 吿 进行测量 6.5 LBIC 测试：6.5.1测量类型选择“ LBIC”registeredFie Edt Ve- u 日s1 Mentire Mac6・5・2按程序提示装上金属板，金属板的引线头插在侧面的插孔6・5・3点击=装载样片，放上电池片吸住，装上探针，探针尾部插在上表面的插孔。

调节探针位置，使其与电池上电极点接触（主栅），用胶带压平，注意：弯曲片一定要压平 然后点击“OK”，程序进行样品边缘的自动确认题 目：WT2000硅片扫描测量系统操作规程文件号：QI-硅片测量系统-01版本号：0 修订状态：0页号：4/4发布日期：”眇进行测量6.5.4 在“LBIC Record"中点击 “Autosett ing".点击“ Map/Resume6・5・5在测量完毕后可以得到9张图：分别是扩散长度和电池片在410nm、660nm、853nm和 973nm四个波长处的光生电流分布图和反射率分布图直接点击下拉菜单中的“Quan tum Effieency ”选项可计算出这四个波长处的外量子效率点击 “Lifetime ”就能计算出少子寿命，但之前扩散长度的图就没有了6.6 PN型测试：6.6.1测量类型选择“ PN”；6.6.2点击装载样片，装片后先点击“ Vacuum On”吸住硅片，如果是弯曲片应先压平,然后点击“OK”，程序进行样品边缘的自动确认6・6・3点击Map/Resume霰'|进行测量6.7硅锭的测量6.7.1在测量硅锭的少子寿命、电阻率和PN型时，要把样品台拿下来，把硅锭放在样品架 上。

6.7.2 在 “Option” 中的“ Loading” 窗口中的 “Wafer Holder” 一项中选择 “Block”在 测试过程中相应的选项也都要选择为“ Block”6.7.3注意：根据锭的厚度，调整探头高度，切记在确保探头不会与硅锭相撞后再进行操作 6.8碘钝化硅片的测量6.8.1 在 Option 中的 Height 窗口 中的“Pass Board Used”项选择“Yes”°“Passivation Board Offset视情况而定6.8.2 在“ Loading ”窗口中的“ Wafer Holder” 项选择 “Console”6・8・3注意：做碘钝化时要尽量消除气泡，气泡会影响测量的可靠性，塑料袋要密封好，避 免碘酒渗出，若渗出应立即擦拭7. 关机：关闭软件，退出Windows，关掉dos系统的主机电源8. 支持性文件无9. 附录无无锡尚德太阳能电力有限公司。