年产xx吨碳化硅器件项目评估报告_范文.docx

泓域咨询/年产xx吨碳化硅器件项目评估报告目录第一章 行业发展分析 7一、 SiC材料：产业链核心环节，国内外厂商积极布局 7二、 直流充电桩：大功率充电占比提升，SiC将加速替代 7三、 工控：SiC模块有望在轨交、智能电网、风电等领域实现全方位渗透 9第二章 项目背景、必要性 10一、 SiC器件与传统产品价差持续收窄，具备经济效益指日可待 10二、 光伏：SiC光伏逆变器性能提升显著，广泛应用未来可期 11三、 衬底：碳化硅产业链最关键环节，技术壁垒较高 11四、 锻造“一个九龙新商圈” 14五、 再造“一个九龙工业” 14第三章 项目概况 16一、 项目名称及建设性质 16二、 项目承办单位 16三、 项目定位及建设理由 17四、 报告编制说明 19五、 项目建设选址 21六、 项目生产规模 22七、 建筑物建设规模 22八、 环境影响 22九、 项目总投资及资金构成 22十、 资金筹措方案 23十一、 项目预期经济效益规划目标 23十二、 项目建设进度规划 24主要经济指标一览表 24第四章 选址可行性分析 27一、 项目选址原则 27二、 建设区基本情况 27三、 努力扩大有效投资 29四、 建造“一座现代新城” 31五、 项目选址综合评价 32第五章 产品方案分析 33一、 建设规模及主要建设内容 33二、 产品规划方案及生产纲领 33产品规划方案一览表 33第六章 发展规划 35一、 公司发展规划 35二、 保障措施 36第七章 运营模式 39一、 公司经营宗旨 39二、 公司的目标、主要职责 39三、 各部门职责及权限 40四、 财务会计制度 43第八章 项目实施进度计划 47一、 项目进度安排 47项目实施进度计划一览表 47二、 项目实施保障措施 48第九章 组织机构管理 49一、 人力资源配置 49劳动定员一览表 49二、 员工技能培训 49第十章 劳动安全生产 52一、 编制依据 52二、 防范措施 55三、 预期效果评价 60第十一章 项目环境影响分析 61一、 编制依据 61二、 环境影响合理性分析 61三、 建设期大气环境影响分析 61四、 建设期水环境影响分析 64五、 建设期固体废弃物环境影响分析 65六、 建设期声环境影响分析 65七、 环境管理分析 65八、 结论及建议 66第十二章 投资估算 68一、 编制说明 68二、 建设投资 68建筑工程投资一览表 69主要设备购置一览表 70建设投资估算表 71三、 建设期利息 72建设期利息估算表 72固定资产投资估算表 73四、 流动资金 74流动资金估算表 75五、 项目总投资 76总投资及构成一览表 76六、 资金筹措与投资计划 77项目投资计划与资金筹措一览表 77第十三章 经济收益分析 79一、 经济评价财务测算 79营业收入、税金及附加和增值税估算表 79综合总成本费用估算表 80固定资产折旧费估算表 81无形资产和其他资产摊销估算表 82利润及利润分配表 84二、 项目盈利能力分析 84项目投资现金流量表 86三、 偿债能力分析 87借款还本付息计划表 88第十四章 项目招标方案 90一、 项目招标依据 90二、 项目招标范围 90三、 招标要求 90四、 招标组织方式 91五、 招标信息发布 93第十五章 总结评价说明 94第十六章 附表附件 96建设投资估算表 96建设期利息估算表 96固定资产投资估算表 97流动资金估算表 98总投资及构成一览表 99项目投资计划与资金筹措一览表 100营业收入、税金及附加和增值税估算表 101综合总成本费用估算表 102固定资产折旧费估算表 103无形资产和其他资产摊销估算表 104利润及利润分配表 104项目投资现金流量表 105第一章 行业发展分析一、 SiC材料：产业链核心环节，国内外厂商积极布局相比于Si，SiC衬底和外延为制造产业链核心环节，合计价值量占比超60%。

在传统硅基器件制造过程中，需要在硅片基础上进行氧化、涂层、曝光、光刻、刻蚀、清洗等多个前道处理步骤，从而产生更高附加值SiC材料则仅用于分立器件制造，其前端工艺难度不大，而衬底和外延需在高温、高压环境中生成，生长速度缓慢，为关键技术难点，占据产业链主要价值量据CASAResearch数据显示，在传统硅基器件中，硅片前道处理附加价值量达到80%，衬底和外延环节仅占11%；而在碳化硅器件的成本构成中，衬底和外延占比分别为50%和25%，合计达到75%，为产业链中价值量最高环节此外，衬底和外延质量对器件性能优劣起至关重要作用，提升其良率为碳化硅器件制备主要攻克目标二、 直流充电桩：大功率充电占比提升，SiC将加速替代大功率直流充电桩需求旺盛，SiC协力实现高效快充政策方面，《2020年政府工作报告》中已将充电基础设施纳入新基建七大产业之一；《2020年能源工作指导意见》中指出要加强充电基础设施建设，提升新能源汽车的充电保障能力直流充电方式相较家用标准交流电充电方式速度大幅提高，一个150kW的直流充电器可以在大约15分钟内为电动汽车增加200公里续航，随电动汽车渗透率进一步提高，直流电充电方案需求将同步提升。

Yole预计2020-2025年，全球200kW及以上的大功率直流充电桩数量将以超过30%的CAGR增长，高于平均的15.6%SiC器件和模块具备耐高温、耐高压以及低损耗等优势，可被广泛应用于电动车直流充电方案中AD-DCPFC、DC-DC以及闸门驱动器等环节中，实现更高效电动车直流充电方案SiCMOSFET可简化直流充电桩AC/DC及DC/DC电路结构，减少器件数量实现充电效率提升根据英飞凌，在DC/DC中，使用4颗1200VSiCMOSFET替代8颗650V硅基MOSFET，在同样功率下，可将原来的两相全桥LLC电路简化为单相全桥LLC电路，所用器件数量减少50%，提升电路整体效率同样在AC/DC中，使用SiCMOSFET可将三相Vienna整流器拓扑电路简化为两相结构，器件数量减少50%实现效率提升同时，SiCMOSFET的整体损耗也更小综上，SiC方案能使得整体充电器体积更小、功率密度更高、充电效率更高，更好的满足快充要求SiC二极管方案可实现效率提升及输出功率增加根据英飞凌，在48kHz下，采用SiC二极管替代Si二极管，可显著降低损耗从而提升0.8%的充电效率，可实现最多80%输出功率的提升。

三、 工控：SiC模块有望在轨交、智能电网、风电等领域实现全方位渗透轨道交通方面，碳化硅器件应用于轨道交通牵引变流器能极大发挥碳化硅器件高温、高频和低损耗特性，提高牵引变流器装置效率，符合轨道交通大容量、轻量化和节能型牵引变流装置的应用需求，从而提升系统的整体效能根据Digitimes，2014年日本小田急电铁新型通勤车辆配备了三菱电机3300V、1500A全碳化硅功率模块逆变器，开关损耗降低55%、体积和重量减少65%、电能损耗降低20%至36%智能电网方面，相比其他电力电子装置，电力系统要求更高的电压、更大的功率容量和更高的可靠性，碳化硅器件突破了硅基功率半导体器件在大电压、高功率和高温度方面的限制所导致的系统局限性，并具有高频、高可靠性、高效率、低损耗等独特优势，在固态变压器、柔性交流输电、柔性直流输电、高压直流输电及配电系统等应用方面推动智能电网的发展和变革此外碳化硅功率器件在风力发电、工业电源、航空航天等领域也已实现成熟应用综上， 2020年全球SiC功率器件市场规模为2.92亿美元，受新能源车、光伏、工控等需求驱动，预计到2025年将增长至38.58亿美元，对应CAGR为67.6%。

2025年新能源车、新能源发电、工控占SiC功率器件市场规模比重分别为77.88/13.71/8.41%第二章 项目背景、必要性一、 SiC器件与传统产品价差持续收窄，具备经济效益指日可待SiC器件价格持续下降，与硅基器件价差已缩小至2-3倍SiCSBD方面，根据Mouser数据显示，公开报价方面，650V的SiCSBD2020年底与Si器件的价差在3.8倍左右；1200V的SiCSBD的平均价与Si器件的差距在4.5倍左右根据CASAResearch，实际成交价低于公开报价2020年，650V的SiCSBD的实际成交价格约0.7元/A；1200V的SiCSBD价格约1.2元/A，较上年下降了20%-30%，实际成交价与Si器件价差已经缩小至2-2.5倍之间SiCMOSFET实际成交价格方面，根据CASAResearch，650V的SiCMOSFET价格0.9元/A；1200V的SiCMOSFET价格1.4元/A，较2019年下降幅度达30%-40%，与Si器件价差也缩小至2.5-3倍之间，基本达到甜蜜点，将加速SiCMOS器件的市场渗透综上，目前SiCMOSFET单价约为IGBT单价的3-4倍，目前主逆变器中的IGBT成本约为1500元，若全部替换为SiCMOSFET，考虑到器件节约，成本将增加3000-4000元左右。

以当前成本来看，根据宁德时代、松下、LG新能源等的电池成本数据，电动车动力电池度电单价约为750元，到2025年有望降至560元；根据特斯拉、小鹏等在售车型的电池容量，当前电动车平均电池容量约为55kwh，在百公里电耗逐步下降及续航里程不变的情况下，到2025年平均电池容量有望降至43kwh，则2022/2025E电池包的价格为41250/24000元根据丰田的实验数据，采用全碳化硅模块可使续航里程提升5-10%，假设这将节约电池成本5-10%根据测算，若仅考虑电池成本节约，当SiCMOSFET成本下降到IGBT器件成本的2倍左右时，将具备经济效益若考虑使用SiC带来的冷却系统节约、外围器件节约、整体空间节约等，当SiCMOSFET成本下降到IGBT成本的2-2.5倍时采用SiC方案就将具备经济效益二、 光伏：SiC光伏逆变器性能提升显著，广泛应用未来可期基于硅基器件的传统逆变器成本约占光伏发电系统10%，却是系统能量损耗的主要来源之一使用SiCMOSFET功率模块的光伏逆变器，其转换效率可从98.8%提升至99%以上，能量损耗降低8%，相同条件下输出功率提升27%，推动发电系统在体积、寿命及成本上实现重要突破。

英飞凌最早于2012年推出CoolSiC系列产品应用于光伏逆变器，2020年以来，西门子、安森美等众多厂商陆续推出相关产品，碳化硅光伏逆变器应用进一步推广据CASA数据，2020年光伏逆变器中碳化硅器件渗透率为10%，预计2025年将增长至50%高效、高功率密度、高可靠和低成本为光伏逆变器未来发展趋势，SiC器件有望迎来广阔增量空间三、 衬底：碳化硅产业链最关键环节，技术壁垒较高碳化硅衬底应用逐步成熟，主要分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底据工信部发布《重点新材料首批次应用示范指导目录（2021年版）》，碳化硅衬底可分为两类，一类是具有高电阻率（电阻率≥105Ω•cm）的半绝缘型碳化硅衬底，经GaN外延生长可制成射频器件半绝缘型碳化硅衬底的制备过程追求“绝对纯净”，去除晶体中的各种杂质对实现碳化硅晶体本征高电阻率十分重要另一类为低电阻率（电阻率15~30mΩ•cm）的导电型碳化硅衬底，经SiC外延生长可进一步制成SiC二极管、SiCMOSFET等功率器件导电型碳化硅衬底以良好导电性为追求目标，在PVT法下，。