3D NAND Flash技术及厂商介绍.docx

3D NAND Flash技术及厂商随着NAND Flash纳米制程技术不断向下微缩，技术瓶颈越发凸显，3D NAND Flash技术经过多年沉淀，上游芯片厂三星、东芝、海力士、美光等早已在2013年即公布了 3D技术规划的时程表CeEJ C]IMH11-111-Selectlon gateContra [gateSelecttort gate*■ Ceti strtngMemory array..；* BIGS (perpendicular cellIbshibaTCAT (perpendicular cell string)ToshibaP-BICS (perpendicular cell string)SamsungS3 (horizontal cell string)Samsungcell丄缶丄丄丄Cell stringVG-NAND (horizontal cell string) ►Samsung20062007 2008'ifear paper presented2009一、SAMSUNG1、技术方案：TCAT2、量产情况目前已经有两代产品问世，更高技术产品正在规划中第一代：2013年8月首次批量生产3D V-NAND产品，制程35nm,堆叠24层，MLC设计，容量可达128Gb V-NAND，存储密度约为0.93Gb/mm2； 第二代：堆叠 32 层， TLC 设计，存储密度提升为 1.86Gb/mm2； 2015年8月，三星宣布开始正式量产48层256Gb 3D V-NAND，目前正在 研发64层及以上技术。

为了稳固在技术及市场上的领导地位，三星除了大陆西安厂，还投资150亿 美金新建平泽工厂，主要用于2D 10nm工艺和3D技术的发展，预计2017年产 线投入生产二、TOSHIBA&SANDISK1 、技术方案： P-BICSBit LineSourceLineControlGate fPoly-SiPillarLowerSGVertical SONOS FET90nm 6F2 Array(4 CG Layers)Vertical FET2、量产情况东芝/闪迪采用 P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable)技术，计划将在 2015下半年量产48层3D NAND，欲追上三星的步伐除Fab 5二期工厂，还将Fab 2进行改建用于3D NAND量产专用，预计2016 年开始投入生产；三、MICRON&lNTEL1、技术方案（可能是浮栅，具体技术细节不清楚）I ■ dr— BM ■ IlMi ■ ■■■■'■XaiM ・■■■02、量产情况美光3D NAND预计将在2016年初量产出货，采用32层MLC架构容量可 达256Gb，如采用TLC架构可达到384Gb投资40亿美金扩建新加坡的Fab 10x工厂，预估满载月产能在14万片左右, 根据市场需求量，从2016年底开始以平均每年40%-50%的bit成长率增加。

四、SK HYNIX1、技术方案：据报道是VSATGSL ； ； SSL |2、量产情况SK 海力士使用微调 VSAT(Vertical Stacked Array Transistor技术生产 3D NAND Flash, 2015下半年采用36层量产3D NAND，并将在年底规划48 层3D NAND量产五、 XMC TCAT技术1 、技术方案基本上采用与SAMSUNG相同的TCAT方案，存在知识产权问题，目前不 知如何解决；2、量产情况目前在工艺调试和test-chip验证阶段，计划2017年量产，实际可能会延迟 到2018年六、 其他如台湾旺宏，IMEC等单位，也进行了 3D NAND的新结构研发，但是属于 研究和专利布局性质，目前未见量产计划报道虽然各芯片厂都已列出了 3D技术的量产时程表，但目前除了三星已开始量 产外，其他芯片厂预计均在2015下半年或2016年以后量产，目前尚未有产品 问世。