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内存时序详解超频内存的时候有两种，一种是提高内存的主频，这个可以使得内存的读写数据的速度 更快，类似高速公路上的车速，而内存时序是指控制内存数据读写指令的速度，类似收费口， 路上的车速再快最终也是要上下高速公路的，只不过并不是只有一个口，因此内存时序只要 够用就可以了内存频率和时序的超频都有可能导致内存的不稳定，导致无法开机，解决办法就是清 BIOS 恢复 BIOS 的默认设置内存时序一种参数，一般存储在内存条的SPD上2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CASLatency (简称CL值)内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印 在内存条的标签上RAS-to — CAS Delay (tRCD),内存行地址传输到列地址的延迟时间 Row—precharge Delay(tRP),内存行地址选通脉冲预充电时间Row—active Delay(tRAS), 内存行地址选通延迟这是玩家最关注的 4 项时序调节，在大部分主板的 BIOS 中可以设定， 内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率 设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存 性能，幅度在 3 至5 个百分点。

在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是 “CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？ ！〔'下面就这几个参 数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍：一、内存延迟时序“CL-t RCD-tRP-tRAS ”的设置首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAMTiming Selectable”， BIOS 设置中可能出现的其他描述有： Automatic Configuration、 DRAM Auto、 Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”(视 BIOS 的不同可能 的选项有：0n/0ff或Enable/Disable),如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后 会自动出现详细的时序参数列表：Command Per Clock(CPC)可选的设置： Auto， Enable(1T)， Disable(2T)Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、 CMD Rate 等。

由于目前的 DDR 内存的寻址，先要进行 P-Bank 的选择(通过 DIMM上CS片选信号进行)，然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择这个参数的含义就是 指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟 周期显然，也是越短越好但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增 加，过短的命令间隔可能会影响稳定性因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间， 才需要将此参数调长目前的大部分主板都会自动设置这个参数该参数的默认值为Disable(2T),如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为 Enable(1T) CAS Latency Control(tCL)可选的设置： Auto， 1， 1.5， 2， 2.5， 3， 3.5， 4， 4.5一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列 分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”这个3就是第1个参数，即CL参数CAS Latency Control(也被描述为 tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay), CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间” CAS控制从接受一个指令到执 行指令之间的时间。

因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所 以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是 tRAS(Act ivetoPrecharge De lay)， 预充电后，内存才真正开始初始化RAS一旦tRAS激活后，RAS (Row Address Strobe ) 开始进行需要数据的寻址首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访 问所需数据的精确十六进制地址期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟所以CAS是找 到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指 令同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数 这个参数越小，则内存的速度越快必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失 数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了 而且提咼延迟能使内存运行在更咼的频率，所以需要对内存超频时,应该试着提咼CAS延迟该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致 更快的内存读写操作。

CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性 注意， WinbondBH-5/6 芯片可能无法设为 3RAS# to CAS# Delay(tRCD)可选的设置：Auto, 0, 1，2，3，4，5，6，7该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4°RAS# toCAS#Delay(也 被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"， 数值越小，性能越好对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延 迟时钟周期在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能建 议该值设置为 3 或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定该值为4时，系统将 处于最稳定的状态，而该值为 5，则太保守如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值Min RAS# Active Timing(tRAS)可选的设置： Auto， 00， 01， 02， 03， 04， 05， 06， 07， 08， 09， 10， 11， 12， 13， 14， 15。

该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即 8 MinRAS#Active Time (也被描述为： tRAS、 ActivetoPrechargeDelay、 RowActiveTime、 PrechargeWait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效 至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－10之 间这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能降低tRAS周期，则会导 致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够 的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3,则最佳 的tRAS值应该设置为7个时钟周期为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发 生内存错误或系统死机，则应该增大 tRAS 的值。

如果使用DFI的主板，则tRAS值建议使用00,或者5-10之间的值Row PrechargeTiming(tRP)可选的设置： Auto， 0， 1， 2， 3， 4， 5， 6， 7该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4Row Precharge Timing(也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active),表示"内存行地址控制器预充 电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间tRP参数设置太长会导致所有 的行激活延迟过长,设为 2 可以减少预充电时间,从而更快地激活下一行然而,想要把 tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制 器不能顺利地完成读写操作对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周 期，这是最佳的设置如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时 钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能只有在tRP值为2而出现系统不稳 定的情况下，将此值设定为 3 个时钟周期如果使用DFI的主板，则tRP值建议2-5之间的值。

值为2将获取最高的性能，该值 为 4 将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为 5，则太保守大部分内存都无法使用 2 的值，需要超频才可以达到该参数Row Cycle Time(tRC)可选的设置： Auto， 7-22，步幅值 1Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”它是包括行单元预充电到激 活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数其计算公式是： row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少 如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低 性能然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始 化在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设 置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的 tRC的值应当设置为11个时钟周期Row Refresh Cycle Time(tRFC)可选的设置： Auto， 9-24，步幅值 1。

Row Refresh Cycle Time( tRFC、RFC)，表示“ SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元 刷新所需要的时钟周期数该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令 (即: REF指令)之间的时间间隔tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能达到9,而10为最佳设置，17-19是内存超 频建议值建议从17开始依次递减来测试该值大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD)可选的设置： Auto， 0-7，每级以 1 的步幅递增Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示〃行单元到行单元的延 时〃该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的 时间间隔tRRD值越小越好延迟越低，表示下一个 bank 能更快地被激活，进行读写操作然而，由于需要一定量 的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀于桌面计算机来说，推荐tRRD值设定为2个时 钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。

如果比此值低，则会因为每次激活相 邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。