CCD的工作原理及其光谱特性.docx

CCD的工作原理及其光谱特性1 CCD的基本工作原理CCD （Charged CoupledDevice，电荷耦合器件）是由一系列排得很紧密的 MOS电容器组成它的突出特点是以电荷作为信号，实现电荷的存储和电荷的转移因此， CCD工作过程的主要问题是信号电荷的产生、存储、传输和检测 [1]以下将分别从这几个方面讨论CCD器件的基本工作原理1.1 MOS电容器CCD是一种固态检测器，由多个光敏像元组成，其中每一个光敏像元就是一个 MOS （金属一氧化物一半导体）电容器但工作原理与MOS晶体管不同CCD中的MOS电容器的形成方法是这样的[2]:在P型或N型单晶硅的衬底上用氧化的办法生成一层厚度约为100 150nm的SiO2绝缘层，再在SiO2表面按一定层次蒸镀一金属电极或多晶硅电极，在衬底和电极间加上一个偏置电压（栅 极电压），即形成了一个MOS电容器（见图3- 1）1 —桂堰屯拓文寸著图3-1 MOS电容器栅极电压变优肘耗斥层的周乡响图3- 1 MOS电容器栅极电压变化对耗尽层的影响CCD 一般是以P型硅为衬底，在这种P型硅衬底中，多数载流子是空穴，少数载流子是电子在电极施加栅极电压 VG之前，空穴的分布是均匀的，当电极相对于衬底施加正栅压 VG时，在电极下的空穴被排斥，产生耗尽层，当栅压继续增加，耗尽层将进一步向半导体内延伸，这一耗尽层对于带负电荷的电子而言是一个势能特别低的区 域，因此也叫做-势阱llo在耗尽状态时，耗尽区电子和空穴浓度与受主浓度相比是可以忽略不计的，但如正栅压 VG进一步增加，界面上的电子浓度将随着表面势成指数地增长，而表面势又是随耗尽层宽度成平方率增加的。

这样随着表面电势的进一步增 加，在界面上的电子层形成反型层而一旦出现反型层， MOS就认为处于反型状态（如图3 - 1所示）显然，反型层中电子的增加和因栅压的增加的正电荷相平衡，因此耗尽层的宽度几乎不变反型层的电子来自耗尽 层的电子一空穴对的热产生过程对于经过很好处理的半导体材料，这种产生过程是非常缓慢的因此在加有直流电压的 金属板上叠加小的交流信号时，反型层中电子数目不会因叠有交流信号而变化1.2电荷存储当一束光投射到MOS电容器上时，光子透过金属电极和氧化层，进入 Si衬底，衬底每吸收一个光子，就会产生一个电子一空穴对，其中的电子被吸引到电荷反型区存储 从而表明了 CCD存储电荷的功能一个CCD检测像元的电荷存储容量决定于反型区的大小，而反型区的大小又取决于电极的大小、栅极电压、绝缘层的材 料和厚度、半 导体材料的导电性和厚度等一些因素QS （ 10 - 8C/cm2 ）图3-2给定CCD参数时表面势VS与电荷QS的关系P ■R ■r a i■d v Ql1 ym4*r-T -----Q (( XlO-Mcn?)图3-2 给定CCD参数时表面势E与电荷怎的关系图3-2表示了 Si-SiO2的表面电势VS与存储电荷QS的关系。

曲线的直线性好，说明两者之间有良好的反 比例线性 关系，这种线性关系很容易用半导体物理中-势阱I的概念来描述电子所以被加有栅极电压VG的MOS结构吸引到Si- SiO2的交接面处，是因为那里的势能最低在没有反型层电荷时，势阱的 一深度I与电极电压的关系恰如表面势VS与电荷QS的线性关系，如图3-3(a)所示图3—3(b)为反型层电荷填充势阱时， 表面势收缩当反型层电荷足够多，使势阱被填满时，如图 3-3?所示，此时表面势下降到不再束缚多余的电子，电子将产生-溢出I现象UG=5VUG=10VUG=15V 01216j Ug=5V < Ii :Ug=10V:U(j=15V(a)空势阱(b)填充1/3的势阱？全满势阱图3-3势阱1.3电荷转移为了便于理解在CCD中势阱电荷如何从一个位置移到另一个位置，取 CCD中四个彼此靠得很近的电极来观察，见图3—4①②③® ®2V 10V 10V 2VCD②③2V 10V 27 2V存有电葡2¥ 10ITJV2¥㈤①②③0V 2V图3-4三相CCD中电荷的转移过程图3—4三相CCD中电荷的转移过程假定开始时有一些电荷存储在偏压为 10V的第二个电极下面的深势阱里，其他电极上均加有大于域值电压的较低电压（例如2V）。

设图3— 4（ a）为零时刻（初始时刻），过t1时刻后，各电极上的电压变为如图 3— 4（b）所示，第二个电极仍保持为10V，第三个电极上的电压由2V变到10V，因这两个电极靠得很紧（间隔只 有几微米），他们各自的对应势阱将合并在一起原来在第二个电极下的电荷变为这两个电极下的势阱所共有，如图3 — 4 （b）和3— 4（ c）所示若此后电极上的电压变为图3—4（d）所示，第二个电极电压由10V变为2V，第三个电极电 压仍为10V，则共有的电荷转移到第三个电极下面的势阱中，如图 3—4（e）由此可见，深势阱及电荷包向右移动了一个位置通过将一定规则变化的电压加到 CCD各电极上，电极下的电荷包就能沿半导体表面按一定方向移动 通常把CCD电极分为几组，每一组称为一相，并施加同样的时钟脉冲 CCD的内部结构决定了使其正常工作所需的相数图3—4所示的结构需要三相时钟脉冲，其波形图如图 3—4（f）所示，这样的CCD称为三相CCD三相CCD的电荷耦合（传输）方式必须在三相交迭脉冲的作用下才能以一定的方向，逐个单元的转移另外必须强调指出 的是，CCD电极间隙必须很小，电荷才能不受阻碍地自一个电极下转移到相邻电极下。

这对于图3— 4所示的电极结构是一个关键问题如果电极间隙比较大，两相邻电极间的势阱将被势垒隔开，不能合并，电荷也不能从一个 电极向另一个电极转移 CCD便不能在外部时钟脉冲的作用下正常工作1.4电荷的注入和检测CCD中的信号电荷可以通过光注入和电注入两种方式得到光注入就是当光照射 CCD硅片时，在栅极附近的半导体体内产生电子一空穴对，其多数载流子被栅极电压排开，少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷而所谓电 注入，就是CCD通过输入结构对信号电压或电流进行采样，将信号电压或电流转换为信号电荷在此仅讨论与本课题有关 的光注入法CCD利用光电转换功能将投射到CCD上面的光学图像转换为电信号一图像II,即电荷量与当地照度大致成正 比的大小 不等的电荷包空间分布，然后利用移位寄存功能将这些电荷包 -自扫描到同一个输出端，形成幅度不等的实时脉冲序列其中光电转换功能的物理基础是半导体的光吸收当电磁辐射投射到半导体上面时，电磁辐射一部分被 反射，另一部分透射，其余部分被半导体吸收所谓半导体光吸收，就是电子吸收光子并从一个能态跃迁到另一个较高能级 的过程我们这里将要涉及到的是价带电子越过禁带到导带的跃迁，和局域杂质或缺陷周围的束缚电子（或空穴）全得带 （获价带）的跃迁。

他们分别称为本征吸收和非本征吸收 CCD利用处于表面深耗尽状态的一系列MOS电容器（称为感光单元或光敏单元）收集光产生的少数载流子 这些收集势阱是相互隔离的由此可见，光转换成电的过程实际上还包括对空间连续的光强分布进行空间上分离的采样过程另外，衬底每吸收一个光子，反型区中就多一个电子，这种光子数目与存储电荷的定量关系正是 CCD检测器用于对光信号作定量分析的依据转移到CCD输出端的信号电荷在输出电路上实现电荷 /电压（电流）的线性变换，称之为电荷检测从应用角度对电荷检测提出的要求是检测的线性、检测的增益和检测引起的噪声针对不同的使用要求，有几种常用的检测电 路，如栅电容电荷积分器、差动电路积分器以及带浮置栅和分布浮置栅放大器的输出电路这里就不一一叙述了2 CCD的光谱分析特性2.1电荷转移效率（CTE）CCD以电荷作为信号，所以电荷信号的转移效率就成为其最重要的性能之一把一次转移之后，到达下一个势阱中的电荷与原来势阱中的电荷之比称为电荷转移效率好的 CCD具有极高的电荷转移效率，一般可达0.999995 [3]，所以电荷在多次转移过程中的损失可以忽略不计例如，一个有 2048像元的CCD，其信号电荷的总的电荷转移效率为0.9999952048，即0.9898,损失率只有约0.1%。

图3-5常用固态光谱检测器量子效率对比t10（75昼召敛%由0200 40 60 80 100图3-5常南固态光谱检测器辇子戒率对比02.2 量子效率 （QE） [4]图3—5比较了典型的PMT （光电倍增管）、PDA （光电二极管阵列）、CID （电荷注入器件）和CCD的量子效 率可见，CCD的量子效率大大优于PDA和CID，在400 700nm波段优于PMT但是，不同厂商制造 的CCD在几何 尺寸、制造方法、材料上有所不同，结果它们的 QE差别较大如有的CCD只在350 900nm波段的QE达10%以上，有的CCD在200 1000nm波段都有很高的量子效率造成 QE下降的主要原因是CCD结构中的多晶硅电极或绝缘层把光子吸收了， 尤其是对紫外部分的光吸收较多，这部分光子不产生光生电荷许多线阵CCD对紫外光的响应较差就是这个原因采用化学蚀刻将硅片减薄和背部照射方式，可以减少由吸收导致的量子效率损失背部 照射减薄的 CCD在真空紫外区的工作极限可达 1000?2.3暗电流CCD在低温工作时，暗电流非常低，暗电流是由热生电荷载流子引起的，冷却会使热生电荷的生成速率大为降低 [3]但是CCD的冷却温度不能太低， 因为光生电荷从各检测元迁移到放大器的输出节点的能力随温度的下降而降低。

制冷到150° K的CCD暗电流小于0.001个电子/检测元/秒[5]2.4动态范围（3.1）动态范围DR的定义为：其中VSAT为饱和输出电压，VDRK为有效像元的平均暗电流输出电压在正常工作条件下， CCD检测器的所有像元经历同时曝光，式（3.1）表示的是单个检测像元的动态范围，即简单动态范围 CCD的简单动态范围非常大，宽达10个数量级以7500?的红光光子为例，CCD可在1毫秒积分时间内对光强达每秒 5X109个光子的光束响应可以对每秒 7X10-2个光子的光源响应而且在整个动态范围响应内，都能保持线性响应这一特性对光谱的定量分析具有特别的意义但在一些光谱分析中，如AES （原子发射光谱）中，实际的动态范围达不到那么大的值一种扩展 CCD动态范围的方法是根据光的强弱改变每次测量的积分时间 [7, 8]强信号采用短的积分时间，弱信号采用长的积分时间这种方法测量强信号旁的弱信号非常不利，存在 Bloomi ng （溢出）的问题，特别是对于 AES通过改进CCD制作工艺生产出来的性能优秀的 CCD已在不同程度上解决了这个问题。