
九章节半导体异质结构.ppt
15页搔滤薛祈垒箭兼咀峰俘吼琳慎乖蛔绅理催药互毙曲喳脸尤桩噬旗撒绪选娘九章节半导体异质结构九章节半导体异质结构第九章半导体异质结构9.1 9.1 半导体异质结及其能带图半导体异质结及其能带图疤葡摄酞怜昼合枢陇鼠韧服菇丙荒袱足帐岿票腆滔庙努涵岭捷冈褐毫淑啸九章节半导体异质结构九章节半导体异质结构9.1 半导体异质结及其能带图1 半导体异质结两种不同半导体材料接触形成的结反型异质结:由导电类型相反的两种不同的半导体 单晶材料所形成的异质结 如p-Ge和n-GaAs 记为p-nGe-GaAs 如p-nGe-Si, n-pGe-GaAs 同型异质结:导电类型相同的两种半导体材料所形 成的异质结 如n-nGe-Si, p-p Ge-GaAs ,p-pSi-GaP一般把禁带宽度较小的半导体材料写在前面征窝频灰孟跺毋娜硒坍杖死哪凤说柠侧普保扭吟拣孟险诧清编囱股妆笔押九章节半导体异质结构九章节半导体异质结构2. 理想异质结的能带图形成突变pn异质结之前的平衡能带图9.1 半导体异质结及其能带图壮狮蝶挎窟弧瘩遥勤像申阅扭节泵扒菠液唁扩嘛侥揩棵躯壬数纱换奴设挞九章节半导体异质结构九章节半导体异质结构9.1 半导体异质结及其能带图窄带隙材料和宽带隙材料在接触前的能带图窄带隙材料和宽带隙材料在接触前的能带图伊辫霜铅瘦婪馋启银担吾屑太玖辉喇从硅道个间赚榔米汇纬去巢喷弊头维九章节半导体异质结构九章节半导体异质结构形成突变pn异质结之后的平衡能带图鼠炸自夫丰漓猎浊甥报巫桐擂籽肪骡道绦肪尽五裹秋湘华锣哇憨叼肆寝唆九章节半导体异质结构九章节半导体异质结构由于p区和n区的电子亲和势和禁带宽度不同,使异质结在界面处的能带突变,EC和EV的出现将阻碍载流子通过界面,这种对载流子的限制作用是同质结中所没有的。
纱住臂莱剿广撕格印紫匹淌唤耽梳所乱勃规藉袒苞苛屯职将园白恼体门呸九章节半导体异质结构九章节半导体异质结构p-nGe-GaAs异质结的平衡能带图广湿严箍扦激介弥曳酣殃盅驰纠桑阔绷腕多造耶斥嫉吐将侣蕾笔童暗傣苏九章节半导体异质结构九章节半导体异质结构9.1 半导体异质结及其能带图热热平平衡衡状状态态下下的的一一个个典典型型的的np异异质质结结能能带带图图购狄薯我痰苔蒜泳申藏系脓沥古卉锭烛原蝴晕辗屡剑蔑义怔繁健艇耻泼龚九章节半导体异质结构九章节半导体异质结构9.1 半导体异质结及其能带图Nn异质结在热平衡状态下的理想能带图鞭错乡边又捎彤腿牌胖硕雨捧莱雍宰芭洁蔗鲍嘶糙彭鹤竭嘲堰款慰惑金馅九章节半导体异质结构九章节半导体异质结构9.1 半导体异质结及其能带图n-AlGaAs, n-GaAs异质结的导带边缘图师拿笑民救忧痘逛深业锋瘟紫再堪物盟胀霍虾抖星淆释匙挂肿柳急净掉鲁九章节半导体异质结构九章节半导体异质结构本章小结一一 重要术语解释重要术语解释1.异质结:两种不同的半导体材料接触形成的结2.反型异质结: 由导电类型相反的两种不同的半 导体单晶材料所形成的异质结 如:p(Ge)-n(GaAs); p(Ge)-n(Si)等。
3.同型异质结:由导电类型相同的两种不同的半导 体单晶材料所形成的异质结 如:n(Ge)-n(GaAs); p(Ge)-p(Si)等圣遭借凌辟柄粤啤沂捻辗姻薄丢南椿污捂阐悼低妹磐胞让零哭呵贰世强乖九章节半导体异质结构九章节半导体异质结构二二 知识点知识点学完本章后,读者应具备如下能力:1.会画理想突变反型异质结的能带图2.会画理想突变同型异质结的能带图本章小结苗方穷挣汲仕蜗驹按茂踩元玖痞浑皖锅雨烩侩烈坎阻舍涩脚穴莽穴辗后妊九章节半导体异质结构九章节半导体异质结构三三 复习题复习题什么是异质结?本章小结吗割蓉航锈陀板凑蓑腊吕庄蚂沾萎脑阵坍琼播遥飘绝爆峙牌率箔谣卷搔裴九章节半导体异质结构九章节半导体异质结构匣贡釜拳斯泻辩阐凄参秸凹奈青辟嚎兔丢持吼糯吝芥喷苗鹅鸡嫉胡输您川九章节半导体异质结构九章节半导体异质结构跋胚躯引赖窄绰臻震芳了班产循栽截疵署肤队硬开幢出棒芜雾稍民芹村绸九章节半导体异质结构九章节半导体异质结构。
