电子技术基础电工学Ⅱ 教学课件 ppt 作者 李春茂 第3章 场效应晶体管放大电路
21页1、第3章 场效应管放大电路,Sect,3.1、结型场效应管,3.2、绝缘栅场效应管MOS,3.3 场效应管的主要参数,3.4 场效应管放大电路,场效应管FET与三极管BJT的区别,Sect,1. BJT: 是 电流控制元件; FET: 是电压控制元件。 2. BJT 参与导电的是电子空穴,因此称其为双极型器件; FET 是电压控制元件,参与导电的只有一种载流子,称为单级型器件。 3. BJT 输入电阻较低,一般102104;FET 输入电阻高,可达1091014,场效应管的分类,结型场效应管JFET,MOS型场效应管MOSFET,双极型三极管 场效应三极管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小,可有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成,3.1、结型场效应管,Sect,3.1.1、结构与工作原理,漏极 D 集电极 C 栅极 G 基极 B 源极 S 发射极 E,导通条件: UGS 0 UBE 0 UDS 0 UBC 0,1) 在一定UDS作用下, 栅源极电压 为负, 栅源极勾
2、道通, UGS决定 电流 iD 的大小 2) 沟道中只有一种截流子 单极型晶体管,1、结构,2. JFET工作原理,N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区,P沟道的只能工作在正栅压区, 当UGS=0时, 沟道较宽,在UDS的作用下N沟道内的电子定向运动形成漏极电流ID。 当UGS0时,PN结反偏,PN结加宽,漏源间的沟道将变窄,ID将减小, 当UGS继续向负方向增加,沟道继续变窄,ID继续减小直至为0。 当漏极电流为零时 所对应的栅源电压UGS称为夹断电压UP。,预夹断,UGS=UP 夹断状态 ID=0,Sect,导电沟道,3.1.2 JFET特性曲线,UP,转移特性曲线,输出特性曲线,Sect,UT,3.2、绝缘栅场效应管MOS,Sect,3.2.1. N沟道增强型MOS场效应管,漏极D集电极C,源极S发射极E,栅极G基极B,衬底B,电极金属 绝缘层氧化物 基体半导体 称之为MOS管,类型: N沟道 增强型 P沟道 耗尽型,退出,1. 结构和工作原理,当UGS较小时,虽然在P型衬底表面形成 一层耗尽层,但负离子不能导电。 当UGS=UT时, 在P型衬底表面形成一层 电子层,形成N型
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