电子技术 教学课件 ppt 作者 杨敏 第一部分
256页1、第一部分,一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结 一、填空 二、判断题 第一章 二 极 管 第二章 二极管的应用 第一章 晶 体 管 第二章 交流放大电路 第三章 直流放大电路,第四章 集成运算放大器 第五章 正弦波振荡电路 第六章 直流稳压电源,一、本征半导体,1.半导体的敏感特性 2.半导体的掺杂特性,一、本征半导体,图0-1 硅原子核外的电子排列,一、本征半导体,图0-2 硅原子的结构示意图,1.半导体的敏感特性,1)纯净半导体的导电能力随着温度的升高,导电能力也随之增强,称为热敏特性。 2)半导体的导电能力对光照、磁场及其承受的电压也很敏感,称为光敏、磁敏和压敏特性。,2.半导体的掺杂特性,表0-1 常见的半导体材料及应用,2.半导体的掺杂特性,图0-3 硅和锗晶体的原子结构示意图,2.半导体的掺杂特性,图0-4 本征激发和两种载流子,2.半导体的掺杂特性,图0-5 电子电流,2.半导体的掺杂特性,图0-6 空穴电流,二、杂质半导体,1.N型半导体电子型半导体 2.P型半导体-空穴型半导体,1.N型半导体电子型半导体,图0-7 N型半导体电子型半导体,2.P型半导体-空穴型
2、半导体,图0-8 P型半导体空穴型半导体,三、PN结,1.PN结的形成 2.PN结的单向导电性 3.PN结的伏安特性曲线(见图0-13),三、PN结,图0-9 PN结,1.PN结的形成,(1)浓度差引起载流子的扩散运动 因为P区的多子是空穴,N区的多子是自由电子,在两块半导体交界处同类载流子的浓度差别极大,这种差别将产生P区浓度高的空穴向N区扩散,与此同时,N区浓度高的电子也会向P区扩散,如图0-10a所示。 (2)扩散运动形成空间电荷区 扩散运动的结果会使P型半导体的原子在交界处得到电子成为带负电的离子,N型半导体的原子在交界处失去电子成为带正电的离子,从而形成了空间电荷区,如图0-10b所示。,1.PN结的形成,图0-10 PN结 a) 浓度差引起载流子的扩散运动 b) 空间电荷区,(3)内电场中的漂移运动 空间电荷区随着电荷的积累将建立起一个内电场E,该电场对半导体内多数载流子的扩散运动起阻碍的作用,,1.PN结的形成,但对少数载流子的运动却起到促进的作用,少数载流子在内电场作用下的运动称为漂移运动。,2.PN结的单向导电性,(1)外加正向电压 在PN结上外加正向电压时的导电情况
3、,如图0-11所示,在这种连接方式下的PN结称为正向偏置(简称正偏)。,图0-12 PN结的反向偏置的导电情况,2.PN结的单向导电性,图0-12 PN结的反向偏置的导电情况,2.PN结的单向导电性,(2)外加反向电压 在PN结上外加反向电压时的导电情况,如图0-12所示,在这种连接方式下的PN结称为反向偏置(简称反偏)。,3.PN结的伏安特性曲线(见图0-13),图0-13 PN结的伏安特性曲线,一、填空,1.导电能力介于导体和绝缘体之间的一类物质称为。 2.在半导体中,不仅有载流子,还有载流子,这是半导体导电区别于导体导电的重要特征。 3.最常用的半导体材料有和等。 4.P型半导体主要靠导电,N型半导体主要靠导电。 5.所谓PN结的正向偏置,是将电源的正极与区相连接,负极与区相连接。,二、判断题,1.在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体。 2.在硅或锗晶体中掺入三价元素形成N型半导体。 3.PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。 4.PN结正向偏置时导通,反向偏置时截止。 5.PN结反向偏置时,反向电流随反向电压的增大而增大。 6.PN结形成以后,它的最大特点是具单向导电性
4、。,第一章 二 极 管,2.能用万用表识别二极管的类型。 一、二极管的结构 二、二极管的伏安特性曲线 三、二极管的主要参数 四、二极管的分类及其主要特点 五、 二极管的型号和意义 六、二极管极性的简易判别法 七、二极管的等效电路 八、特殊用途的二极管(见表1-1) 九、稳压二极管,一、二极管的结构,图1-1 常用二极管的外形 a)点接触型 b)面接触型 c)符号,二、二极管的伏安特性曲线,1.正向特性,图1-2 在不同温度下的二极管的伏安特性曲线,二、二极管的伏安特性曲线,2.反向特性(P区接低电位,N区接高电位),三、二极管的主要参数,1.最大整流电流IF 2.反向峰值电压URM 3.反向峰值电流IR 4.最高工作频率fM,四、二极管的分类及其主要特点,1.按材料分类 2.按结构分类 3.按用途分类,图1-3 二极管极性的简易判别法,五、 二极管的型号和意义,X2.TIF,六、二极管极性的简易判别法,七、二极管的等效电路,图1-4 二极管的等效电路模型,八、特殊用途的二极管(见表1-1),九、稳压二极管,表1-1 特殊用途的二极管,九、稳压二极管,表1-1 特殊用途的二极管,九、稳压
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