结型场效应管介绍
46页1、,4.1 结型场效应管,4.3 金属-氧化物-半导体场效应管,4.4 场效应管放大电路,4.5 各种放大器件电路性能比较,*4.2 砷化镓金属-半导体场效应管,4 场效应管放大电路,场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。 特点:输入电阻高、噪声低、热稳定性能好、抗辐射能力强。 主要用于大规模和超大规模集成电路中。,单极型晶体管 常用于数字集成电路,N沟道,P沟道,增强型,耗尽型,N沟道,P沟道,N沟道,P沟道,(耗尽型),场效应管分类:,4.1 结型场效应管, 结构, 工作原理, 输出特性, 转移特性, 主要参数,4.1.1 JFET的结构和工作原理,4.1.2 JFET的特性曲线及参数,(Junction type Field Effect Transisstor),源极,用S或s表示,N型导电沟道,漏极,用D或d表示,4.1.1 JFET的结构和工作原理,1. 结构,# 符号中的箭头方向表示什么?,2.工作原理(以N沟道为例),vDS=0V时,N,G,S,D,vDS,VGS,iD,PN结反偏,VGS越负,则耗尽区越宽,导电沟道越窄。, VGS对沟道的控制作用,VG
2、S达到一定值时耗尽区碰到一起,DS间的导电沟道被夹断。,当沟道夹断时,对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP ( 或VGS(off) )。,VGS继续减小,对于N沟道的JFET,VP 0。,N,G,S,D,VDS,VGS,iD,VDS=0V时, VDS对沟道的控制作用,当VGS=0时,,VDS,iD ,G、D间PN结的反向电压增加,使靠近漏极处的耗尽层加宽,沟道变窄,从上至下呈楔形分布。,N,G,S,D,VDS,VGS,越靠近漏端,PN结反压越大,iD,当VDS增加到使VGD=VP 时,在紧靠漏极处出现预夹断。,此时VDS ,夹断区延长,沟道电阻,ID基本不变,G,S,D,VDS,VGS,iD,N, VGS和VDS同时作用时,VGS越小耗尽区越宽,沟道越窄,电阻越大。iD 减小。,当VP VGS0 时,,导电沟道更容易夹断,,对于同样的VDS , iD的值比VGS=0时的值要小。,在预夹断处,VGD=VGS-VDS =VP,综上分析可知,沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电, 所以场效应管也称为单极型三极管。,JFET是电压控制电流器件,iD受vGS控制,预夹断前iD与vDS呈近似线性
3、关系;预夹断后, iD趋于饱和。,# 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多?,JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的,因 此iG0,输入电阻很高。,# JFET有正常放大作用时,沟道处于什么状态?,4.1.2 JFET的特性曲线及参数,2. 转移特性,VP,1. 输出特性, 夹断电压VP (或VGS(off):, 饱和漏极电流IDSS:, 低频跨导gm:,或,漏极电流约为零时的VGS值 。,VGS=0时对应的漏极电流。,低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得,单位是mS(毫西门子)。, 输出电阻rd:, 直流输入电阻RGS:,对于结型场效应三极管,反偏时RGS约大于107。, 最大漏极功耗PDM, 最大漏源电压V(BR)DS, 最大栅源电压V(BR)GS,1.N沟道结型场效应管的特性曲线,转移特性曲线,vGS,0,iD,IDSS,VP,夹断电压,饱和漏极电流,小结(JFET管),输出特性曲线,N沟道结型场效应管的特性曲线,-2V,可变电阻区,夹断区,恒流区,予夹断曲线,击穿区,转移特性曲线,饱和漏极电流,夹断电压,2 P沟道结型场效应管,符号,栅源端加正
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