Ge/Si复合纳米结构电荷存储特性的模拟研究
21页1、GeSi复合纳米结构电荷存储特性的 模拟研究 电子005二组 组长:田 昕 组员:程松华 方 焯 赖丽香 梁 浩 邵 轲 唐进涛 吴挺华 张再树 Ge/Si复合纳米结构电荷存储特性的模拟研究 回主界面 电子005班二组 Ge/Si复合纳米结构电荷存储特性的模拟研究 回主界面 电子005班二组 l 这一研究工作模拟计算了GeSi复合纳米 结构MOSFET存储器的擦写和存储时性。 l 结果表明:Ge/Si复合纳米结构存储器在低 压下即可实现us和ns置级编程与Si纳米结构 存储器相比,由于Gesi复合势卧的作用, 器件的电荷保留时间提高了35个置级,有 效地解决了快速撩写编程与长久存储之间 的矛 盾,使器件的性能得到明显改善。 Ge/Si复合纳米结构电荷存储特性的模拟研究 回主界面 电子005班二组 u 相关理论 量子力学 Monte Carlo 模拟 Ge/Si复合纳米结构电荷存储特性的模拟研究 回主界面 电子005班二组 l 首先在二氧化硅衬底上生长一层硅薄层,再在硅薄 层上进行锗量子点的自组织生长、然后在真空环境 下高温退火,用10的氨水溶液进行选择性化学腐 蚀、获得GeSi复合纳米
2、晶粒。 l 在器件制作过程中、结构参数的选取对器件的性能 有着决定性的影响。 Si纳米结构存储器的截面示意图和能带 简图 Ge/Si复合纳米结构MOSFET存储器 的截面图 Ge/Si复合纳米结构MOSFET存储器 的结构简图 与图1相比,这里用Ge/Si复合 纳米晶粒代替了Si纳米晶粒。相应地,隧穿 势垒也由图1的单势垒变成了图3的复合势垒 。正是由于这一复合不对称势垒的作用,使 得Ge/Si复合纳米结构MOSFET存储器的保 留时间显著增加。 Ge/Si复合纳米结构电荷存储特性的模拟研究 电子005班二组 回主界面 Ge/Si复合纳米结构电荷存储特性的模拟研究 回主界面 电子005班二组 l 下面我们用多媒体演示了Ge/Si复合纳米 结构MOSFET存储器的写入、保留和擦去 过程中能带结构的变化特征。 演示 Ge/Si复合纳米结构电荷存储特性的模拟研究 回主界面 电子005班二组 模拟过程中的几点假设 根据图1,首先,在不参锗的情下设电子穿越隧道 的几率为q,由于左边的势垒无限高,左边电子不 可能穿越,而处在右边的电子穿越的几率为q,再 把时间离散化,那么单位时间穿出隧道的电子数为
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