模拟集成电路设计复习大纲
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模拟集成电路设计复习大纲一、 概念：1. 密勒定理：如果将图（a）的电路转换成图（b）的电路，则Z1=Z/(1-AV)，Z2=Z/(1-AV-1)，其中AV=VY/VX。这种现象可总结为密勒定理。2. 沟道长度调制效应：当栅与漏之间的电压增大时，实际的反型沟道长度逐渐减小，也就是说，L实际上是VDS的函数，这种效应称为沟道长度调制。3. 等效跨导Gm：对于某种具体的电路结构，定义为电路的等效跨导，来表示输入电压转换成输出电流的能力，跨导的表达式4. N阱：CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，若衬底为P型，则PMOS管要做在一个N型的“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的N型“局部衬底”叫做N阱。5. 亚阈值导电效应：实际上，VGS=VTH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当VGS1/gm，则Gm1/RS，所以漏电流是输入电压的线性函数。所以相对于基本共源极电路，带有源极负反馈的共源极放大电路具有更好的线性。2. 在传输电流为零的情况下，MOS器件也可能导通么？说明理由。答：当时，器件工作在深线性区，此时虽然足够的VGS可以满足器件的导通条件，但是VDS很小，以至于没有传输电流。3. 分析共漏电路的主要功能，如何通过参数设计改善特定功能下的电路性能。答：共漏电路即源跟随器其主要功能是小信号电压跟随，大信号电平移位，可以通过增大gm或减小gd来改善特其电路性能。4. 计算：1. 差动对中，用一个电阻代替电流源来提供1mA尾电流。已知：(W/L)1,2=25/0.5，VTH=0.6V，VDD=3V。（a） RSS上保持0.5V的压降，那么输入共模电平应为多少？ （b） 计算差模增益为5时的RD的值。答：2. 差动电路如图所示，ISS=1mA，VDD=3V，(W/L)1、2=(W/L)3、4=50/0.5。（a）假设=0，求差动电压增益；（b）=0.45 V-1时，如果ISS上的压降至少为0.4V，求最小的允许输入共模电平。解：（a）ID=0.5mA，gmN=3.6610-3，rON=2104，rOP=104，Av=-gmN(rON | rOP)=-24.4（b）VGS1=0.786+0.27=1.056VVin,CM=1.056+0.4=1.456V
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