电力电子技术试题20套及答案
98页1、考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括_和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。 2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_状态。当器件的工作频率较高时,_损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_,当它为常数时的调制方式称为_调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_分段同步_调制。 4、面积等效原理指的是,_冲量_相等而_形状_不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是_MOSFET_,单管输出功率最大的是_GTO_,应用最为广泛的是_IGBT_。 6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即 ,其承受的最大正向电压为 。 7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为 逆变,如果接到负载,则称为 逆变。8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电
2、流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。(1) 0t1时间段内,电流的通路为_VD1_;(2) t1t2时间段内,电流的通路为_V1_;(3) t2t3时间段内,电流的通路为_VD2_;(4) t3t4时间段内,电流的通路为_V2_;(5) t4t5时间段内,电流的通路为_VD1_;整理为word格式二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是( B )A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是( C )A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶 闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度 3、在三相三线交流调压电路中,
3、输出电压的波形如下图所示,在t1t2时间段内,有( )晶闸管导通。A、1个 B、2个 C、3个 D、4个 4、对于单相交交变频电路如下图,在t1t2时间段内,P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是( )A、P组阻断,N组整流 B、P组阻断,N组逆变C、N组阻断,P组整流 D、N组阻断,P组逆变整理为word格式5、电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是( D )A、30150 B、0120 C、15125 D、0150 6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是( A )A、加快功率晶体管的开通 B、延缓功率晶体管的关断 C、加深功率晶体管的饱和深度 D、保护器件 7、直流斩波电路是一种( C )变换电路。A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D、AC/DC 8、为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用( B )A、du/dt抑制电路 B、抗饱和电路 C、di/dt抑制电路 D、吸收电路 9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流( A )A、减小至维持电流以下 B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下 D、减小至5A
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