刘忠立科技网材料.doc

刘忠立， 1940 年生，武汉市人，1964 年毕业于清华大学无线电电子学系半导体材料及器件专业历任中国科学院半导体研究所微电子研究及发展中心主任、研究员、博士生导师、博士后合作导师、所学术委员会副主任、学位委员会委员、国家传感技术重点实验室副主任，创新重大项目“特种半导体器件及电路”负责人等现任中国科学院微电子研究所特聘研究员，传感技术国家重点实验室学术委员会委员、北京市传感技术实验室学术委员会委员、中国电子学会核辐射电磁脉冲专委会委员、中国国际工程咨询公司项目评估专家等职，微电子学杂志编委会委员，科学出版社“半导体科学与技术丛书” 编委会委员 已在国内外重要刊物上发表论文 120 余篇，撰写专著 4 本，译著 2 本，拥有国家发明专利 8 项，指导已毕业的博士生 12 名，博士后 1 名，指导已毕业的硕士生 12 名 工作经历： 1964 年毕业于清华大学半导材料及器件专业 1964-2010 年在中科院半导体研究所工作， 2011 年起被中科院微电子研究所 聘为教授继续工作 1980-1982 年作为访问学者在联邦德国多特蒙德大学从事新 CMOS 器件研究 1990-1991 年在联邦德国 HMI 研究任客座教授所事 MOS 器件辐射加固物理研究。

学术兼职： 1、传感技术国家重点实验室学术委员会顾问 2、北京市传感技术国家重点实验室学术委员会委员 3、中国电子学会核辐射电磁脉冲专委会专家委员 4、中科院军工项目监理部监理 5、“ 微电子学 ”杂志编委会委员 6、科学出版社半导体技术书籍编委会委员 7、中电集团 SOICMOS 技术研发中心专家委员会专家 研究方向： 主要从事从事半导体器件、电路、微传感器的设计、制造及辐射加固研究，近年来重点研究抗辐射SOICMOS SRAM、抗辐射 SOICMOS FPGA 及宽带隙半导体 SiC 功率器件 承担的科研项目情况： 长期从事辐射加固集成电路、微传感器及半导体功率器件研究，是我国最早研制成功 MOSFET 及JFET 器件的主要研究人员之一 20 世纪 60 年代后期至 70 年代中期，在高质量 SiO2 生长、检测以及MOS 器件稳定性和可靠性方面，做出了很多有意义的开拓性研究成果， 1974 年负责研制成功 CMOS 指针式电子手表电路，荣获北京市科技二等奖1980－1982 年，作为访问学者在德国多特蒙德大学电子系从事新 CMOS 器件研究，首创性地提出并负责研制成功离子注入氮形成隐埋 Si3N4 的 CMOS/SOI 器件，得到国际同行的认可。

1990-1991 年，在德国 HMI 核研究所任客座教授从事 MOS 器件辐射物理研究，取得有意义的成果1982 年-1989 年，负责研制成功“ 抗辐射 CMOS/SOS 集成电路”及“长寿命卫星抗辐射集成电路” ，电路的抗辐射指标达到国际上相应电路的最好水平，分别获 1987 年及 1991 年中科院科技进步二等奖；1992 年获国防科工委光华基金二等奖；1993 年获国家政府特殊津贴及中科院优秀教师称号； 1995负责研制成功重点工程 CMOS/SOS 抗辐射 CMOS/SOS 集成电路，获中科院科技进步三等奖 “八五” 、“九五 ”及“十五” 期间，负责多项国家重大研究课题，均已通过验收，其中同中科院微电子所合作完成的”64K 抗辐射 CMOS/SOI SRAM”院重点创新项目，同中电集团 58 所合作完成的十五预研项目”128K 抗辐射CMOS/SOI SRAM”,开拓了我国抗辐射 CMOS/SOI 辐射加固集成电路的研究领域此外，“九五”至“十五”期间还负责研制成功高反压 SiC 二极管、SiC 肖特基二极管、SiC MOS 管等国内一流的研究成果，十一五责研制成功 5 万门抗辐射 CMOS/SOI FPGA 电路已通过验收，辐射指标达国际先进水平。

科研成果： 1、1974 年负责研制成功我国第一个 CMOS 指针式电子手表电路，获北京市科技二等奖 2、1980 年提出并研制成功的离子注入氮形成隐埋的 Si3N4 层不用处延硅的 CMOS/SOI 器件是国际上开创性的工作 3、负责的“抗辐射 CMOS/SOS 集成电路 ”及“长寿命卫星用抗辐射集成电路 ”研究项目分别获 1987 年及1991 年中科院科技进步二等奖 4、负责的国防重点工程抗辐射加固 CMOS/SOS 集成电路 1995 年获中科院科技进步三等奖 发明专利： 1、集成电路的保护结构， 刘忠立，刘荣环， 和致经， 中国科学院半导体研究所， 1990-01-31 2、一种功率 MOSFET 驱动电路， 高峰， 李春寄，刘忠立，于芳 ，中国科学院半导体研究所， 2007-10-17 3、一种幅度调制隔离反馈控制电路，高峰， 李春寄， 刘忠立，于芳，中国科学院半导体研究所 ，2007-10-17 4 、一种可重构的乘法器， 余洪敏， 陈陵都， 刘忠立，中国科学院半导体研究所， 2010-01-13 5、针对多模式逻辑单元可编程门阵列的工艺映射方法， 张琨，周华兵， 陈陵都， 刘忠立，中国科学院半导体研究所， 2010-02-24。

6、全集成高线性三角波发生器， 李霄鹍， 石寅， 刘忠立， 中国科学院半导体研究所 ，2006-06-21 7、形成于 PD SOI 衬底上的静态随机存储器及其制作方法，赵凯， 刘忠立， 姜凡， 中国科学院半导体研究所， 2007-07-04 8、改进的部分耗尽绝缘体上硅静态随机存储器存储单元， 赵凯， 刘忠立， 于芳， 中国科学院半导体研究所， 2009-05-27 出版专著： 1. 《CMOS 集成电路原理制造及应用》，刘忠立，电子工业出版社，1990 年 2. 《研究生专业参考教程第一卷》，本书共六章，刘忠立著第六章：“ 微电子学中的半导体器件” ，1995 年，中科院半导体所内部发行 3. 《电子器件抗辐射加固技术》，本书共九章，刘忠立著第七章：“CMOS/SOS 及 CMOS/SOI 集成电路的辐射效应及加固技术”，装备部出版 , 2001 年 4. 《特高频射频识别技术及应用》，李全圣，刘忠立，吴里江，国防工业出版社，2010 年 出版译著： 1. 《半导体辐射探测器》，刘忠立译，国防工业出版社， 2004 年 2. 《先进半导体材料及器件的辐射效应》，刘忠立译，国防工业出版社， 2008 年。

3. 《模拟电路中的 ESD 设计》，刘忠立,王东辉, 洪缨 译, 国防工业出版社， 2014 年发表论文： 1. 刘忠立，论 N 沟道增强型 MOS 晶体管，半导体通讯，1973，No.3, pp1-7. 2. 刘忠立，用于钝化钠离子的掺 HCL 氧化方法，全国半导体表面钝化会议，1975，pp126-130. 3. 刘忠立，P 沟 Si 栅 N 沟 Al 栅 CMOS 手表电路，半导体通讯，1976, No.3, pp1-10. 4. 刘忠立，一种简易的监控 Si-SiO2 界面质量的水银探针，物理学报，1977, Vol.26, No.3, pp281-284. 5. 刘忠立，用于 MOS 器件阈值电压设计的诺摸图，无线电技术， 1977, pp44-45. 6. Liu Zhongli, et al, CMOS Devices Buried Silicon Nitride Formed by Nitrogen Implantation, Proceeding of 12th ESSDERC, Sept.1982, pp172. 7. G.Zimmer, Liu Zhongli, et al, Buried Silicon-Nitride Layers Formed by Nitrogen-Ion Implantation and High-Temperature Annealing, Ion Implantation Equipment and Technology (H.Ryssel and H.Glawishs), 1983, pp426-432. 8. Zimmer G, Neubert E, Zetzmann, W, Liu, Z, CMOS-DEVICES ISOLATED BY ION-IMPLANTED BURIED SILICON NITRIDE, Technical Digest - International Electron Devices Meeting, 1982, pp 789-790. 9. G.Zimmer, Liu Zhongli, et al, CMOS Technologie auf Vergrabennen Ziliziumnitrid, MTG-Fachtagung Grossintegration, 1982, pp130-133. 10. 刘忠立等，离子注入氮化硅隔离的 CMOS 器件，半导体学报，1983, Vol.4，No.6，pp601-605. 11. 刘忠立，N 阱全离子注入硅栅 CMOS 工艺中短和窄沟 MOS 晶体管的某些实验特性，第三届全国半导体集成电路和硅材料学术会议论文集，1983, pp282-283. 12. Liu Zhongli, et al, High Performance Radiation Tolerant CMOS/SOS ICs, Institute of Semiconductors, Academy Sinica,Research Progress Report, 1985-1986, Vol.5, pp38-40. 13. 刘忠立等， SOS/CMOS 集成电路的研制及其在存储电路中的应用展望，第五届信息存储技术学会论文集， 1986. 14. 刘忠立等，加固至抗 γ总剂量达 107 Rad(Si)的 SOS/CMOS ICs，抗核加固，1987, Vol.4, No.1. 15. 刘忠立等，高水平抗辐射 SOS/CMOS 集成电路，第五届全国半导体集成电路和硅材料学术会议论文集，pp139-141. 16. 刘忠立等，CMOS/SOS 集成电路输入保护电路设计，“ 抗核辐射电子学会论文集”，1987. 17. Liu Zhongli, et al, An Excellent High Voltage NMOS/SOS Driver, the Proceeding of the Second International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Oct. 1989, pp 449-451. 18. 刘忠立等，一种优良的 NMOS/SOS 驱动器，第六届全国半导体集成电路和硅材料学术会议论文集，1989, pp216-217. 19. 刘忠立等，用于通信卫星上的 CMOS/SOS 集成电路， 抗核加固，1990, No.3. 20. 刘荣寰，刘忠立等，加固的 CMOS/SOS 集成电路抗 γ瞬态辐射的最新结果，抗核加固，1990, No.3. 21. 刘忠立等，多晶硅掺杂方式对 MOS 电容器电离辐射特性的影响，抗核加固技术研究， 1992 年部分成果集，国防预研抗辐射加固项目办公室编，1992, pp 130-132. 22. 和致经，刘忠立等，SOS 结构条形栅 MOS 管岛边效应的加固技术，第五届全国抗辐射电子学学术会议，1993，pp 72-75. 23. 刘忠立，MOS 电容器中电离辐射产生的界面态同 SiO2 内被陷阱俘获的空穴电荷之间的关系， 第五届全国抗辐射电子学学术会议，1993, pp69-71. 24. 刘忠立，军用 CMOS/ SOS 的可靠性及发展动态，军用电子元器件可靠性论文选，国防科工委军用电子元器件可靠性专业组编，1994, pp32-36. 25. Z。