6N37中文详解详解.docx

6N137光耦合器是一款用于单通道的高速光耦合器,其内部有一个850 nm波长AlGaAs LED 和一个集成检测器组成，其检测器由一个光敏二极管、高增益线性运放及一个肖特基钳位的 集电极开路的三极管组成具有温度、电流和电压补偿功能,高的输入输出隔离, LSTTL/TTL 兼容，高速（典型为10MBd）, 5mA的极小输入电流特性：① 转换速率高达 10MBit/s;② 摆率高达 10kV/us;③ 扇出系数为 8;④ 逻辑电平输出;⑤ 集电极开路输出;工作参数：最大输入电流，低电平：250uA最大输入电流，高电平：15mA最大允许低电平电压（输 出高）：0.8v最大允许高电平电压：Vcc最大电源电压、输出：5.5V扇出（TTL负载）：8个 （最多）工作温度范围：-40°C to +85°C典型应用：高速数字开关，马达控制系统和A/D转 换等6N137光耦合器的真值如表1所示:6N137光耦合器的真值表输入使能输出HHLLHHHLHLLHHNCLLNCH需要注意的是，在6N137光耦合器的电源管脚旁应有一个0.1uF的去耦电容在选择电 容类型时，应尽量选择高频特性好的电容器，如陶瓷电容或钽电容，并且尽量靠近 6N137光耦合器的电源管脚；另外，输入使能管脚在芯片内部已有上拉电阻，无需再外接上拉电阻。

6N137光耦合器的使用需要注意两点:第一是6N137光耦合器的第6脚Vo输出电路属于 集电极开路电路，必须上拉一个电阻；第二是6N137光耦合器的第2脚和第3脚之间是一 个LED,必须串接一个限流电阻6n137的内部结构原理如下图所示，信号从脚2和脚3输入，发光二极管发光，经片内光通 道传到光敏二极管，反向偏置的光敏管光照后 导通，经电流-电压转换后送到与门的一个输 入端，与门的另一个输入为使能端，当使能端为高时与门输出高电平，经输出三极管反向后 光电隔离器输出低电平当 输入信号电流小于触发阈值或使能端为低时，输出高电平，但 这个逻辑高是集电极开路的，可针对接收电路加上拉电阻或电压调整电路型号:单通道: 6N137 ， HCPL2601 ， HCPL2611双通道: HCPL2630 ， HCPL2631高速10MBit / s的逻辑门光电引脚图原理如上图所示，若以脚2为输入，脚3接地，则真值表如附表所列，这相当于非门的传输 若希望在传输过程中不改变逻辑状态，则从脚3 输入，脚2接高电平真值表 功能（正逻辑）Input 输入Enable使能Output 输出HHLLHHHLHLLHHNCLLNCH绝对最大额定值（Ta= 25 °C除非另有说明）:SymbolParameter 参数Value数值Units符号单位TSTGStorage Temperature 贮藏温度-55 to +125°CTOPROperating Temperature 操作温度-40 to +85°CTSOLLead Solder Temperature 焊料温度260 for 10 secCEMITTER发送端IFDC/Average Forward直流/平均正向单通道50Input Current输入电流双通道（每通道）30mAVEEnable Input Voltage Not to Exceed VCC by more than 500mV单通道5.5VVRReverse Input Voltage 反向输入电压每个通道5.0VPIPower Dissipation 功耗单通道100双通道（每通道）45mWDETECTOR接收端VCC (1 minute max)Supply Voltage 电源电压7.0VIOOutput Current 输出电流单通道50双通道（每通道）50mAVOOutput Voltage 输出电压每个通道7.0VPOCollector Output集电极输出单通道85Power Dissipation 功耗双通道（每通道）60mW建议操作条件：Symbol符号Parameter 参数最小最大Units单位IFLInput Current Low Level输入电流，低电平0250yAIFHInput Current High Level 输入电流，高电平*6.315mAVCCSupply Voltage Output 供电电压，输出4.55.5VVELEnable Voltage Low Level 使能电压，低电平00.8VVEHEnable Voltage High Level 使能电压，高电平2.0VCCVTA工作温度范围-40+85CNFan Out (TTL load)扇 出期(TTL 负载)8电学特性（Ta=0至70，除非另有规定）单独的组件特征:Symbol符号Parameter 参数测试条件最 小典型最 大单位VFInput Forward Voltage 输入正向电压IF = 10mA1.8VTA=25C1.41.75BVRInput Reverse Breakdown Voltage 输IR = 10yA5.0V入反向击穿电压CINInput Capacitance 输入电容VF = 0 f = 1MHz60pFAVF /ATAInput Diode Temperature Coefficient 输入二极管温度系数IF = 10mA-1.4mV/CDETECTOR接收端ICCHHigh Level Supply Current 高电源电 流VCC = 5.5V IF =0mA VE = 0.5V单通道710〜A双通道1015mAICCLLow Level Supply Current 低电平电 源电流单通道VCC=5.5V IF =10mA913mA双通道VE = 0.5V1421IELLow Level Enable Current 低电平使 能电流VCC = 5.5V VE = 0.5V-0.8-1.6mAIEHHigh Level Enable Current 高电平使 能电流VCC = 5.5V VE = 2.0V-0.6-1.6mAVEHHigh Level Enable Voltage 高电平使 能电压VCC = 5.5V IF = 10mA2.0VVELLow Level Enable Voltage 低电平使 能电压VCC = 5.5V IF = 10mA(3)0.8V开关特性(TA= -40°C to +85°C VCC= 5V IF= 7.5mA 除非另有说明):Symbol符号AC Characteristics 交 流特性测试条件最小典型最 大单 位TPHHPropagation DelayTime to Output HIGH Level传递延迟时间 到高电平输出RL=350QCL=15pF(4)(Fig.l2)TA=25C204575ns100TPHLPropagation DelayTime to Output LOW Level传递延迟时间 到低电平输出TA = 25C(5)254575nsRL = 350Q CL = 15pF (Fig. 12)100|TPHLTPLH|Pulse Width Distortion脉宽失真(RL = 350Q CL = 15pF (Fig. 12)335nstrOutput Rise Time(10-90%)输出上升时 间(10-90 % )RL = 350Q CL = 15pF(6)(Fig. 12)50nstfOutput Rise Time(90-10%)输出上升时 间(90-10 % )RL = 350Q CL = 15pF(7)(Fig. 12)12nstELHEnable PropagationDelay Time to Output HIGH Level允许传播IF = 7.5mA VEH = 3.5V RL = 350Q CL = 15pF(8)(Fig. 13)20ns延迟时间到高电平输 出tEHLEnable PropagationDelay Time to Output LOW Level允许传播 延迟时间到低电平输 出IF = 7.5mA VEH = 3.5V RL = 350Q CL = 15pF(9)(Fig. 13)20nsICMHICommon ModeTransient Immunity (at Output HIGH Level) 共模瞬态抑制比(输 出高电平)TA=25CIVCMI =50V (Peak)IF=0mA VOH (Min.)= 2.0V RL = 350Q(10)(Fig. 14)6n137HCPL263010000V/ysHCPL2601HCPL2631500010000IVCMI = 400VHCPL26111000015000V/ysICMLICommon ModeTransient Immunity (at Output LOW Level) 共模瞬态抑制比(输 出低电平)RL = 350Q IF = 7.5mA VOL (Max.)= 0.8V TA = 25C(11) (Fig. 14)6n137HCPL263010000HCPL2601HCPL2631500010000IVCMI = 400VHCPL26111000015000电气特性（续）转移特性（TA = -40 to +85°C除非另有说明）Symbol符号DC Characteristics 直流特性测试条件最小典型最大Unit单位IOHHIGH Level Output Current 高输出电流VCC = 5.5V VO = 5.5V IF=250yA VE = 2.0V(2)100yAVOLLOW Level Output Current低电平输出电流VCC = 5.5V IF = 5mA VE =2.0V ICL = 13mA(。