肖特基二极管 肖特基 二极管.docx

肖特基二极管百科名片 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（ Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管 （SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称SBD不是利用P型半导体与N型半导体接 触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属一半导体结原理制作的 因此，SBD也称为金属一半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二 极管目录［隐藏］简介原理 优点 结构 封装 特点 应用1 2、SiC 高压 SBD1工作原理［编辑本段］简介肖特基二极管是以其发明人肖特基博士二极管Schottky ）命名的，SBD是肖特基势垒肖特基二极管结构原理图（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD ）的简称SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属一半导体结 原理制作的因此，SBD也称为金属一半导体（接触）二极管或表面势垒二极管， 它是一种热载流子二极管 是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电 流却可达到几千毫安。

这些优良特性是 快恢复二极管所无法比拟的中、小功率肖特 基整流二极管大多采用封装形式［编辑本段］原理肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等） A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属 -半导体器件因为 N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度 高的B中向浓度低的A中扩散显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自 A向 B的扩散运动随着电子不断从 B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性 被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为 B—A但在该电场作用之下，A中的电子 也会产生从A-B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场当建立起一 定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达 到相对的平衡，便形成了肖特基势垒IRIm ii肖特基二极管典型的肖特基整流管的内部电路结构是以 N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂 剂的N-外延层阳极使用钼或铝等材料制成阻档层用二氧化硅（ SiO2 ）来消除边 缘区域的电场，提高管子的耐压值 N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。

在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻通过 调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示当在肖特基 势垒两端加上正向偏压邙日极金属接电源正极， N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层 则变宽，其内阻变大 综上所述，肖特基整流管的结构原理与 PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整 流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵 金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性［编辑本段］优点SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围像在 开关电源（SMPS ）和功 率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用 100V以上的 高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V〜1.2kV的高速二极管以及PFC升压用 600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED ）和超快速恢复二极管（UFRD ）目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz〜3MHz的SMPS需要。

即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD 的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使 SMPS体积 和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势 因此，发展100V以上的高压SBD, 一直是人们研究的课题和关注的热点近几年， SBD已取得了突破性的进展，150V 和肖特基二极管200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从 而为其应用注入了新的生机与活力［编辑本段］结构新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的传统SBD是通过金属与 半导体接触而构成金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅（ Si）或砷化镓（GaAs ）由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用 N型 半导体材料作为基片为了减小 SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串 联电阻过大，通常是在 N+衬底上外延一高阻N —薄层其结构示图如图1 （a），图 形符号和等效电路分别如图1 （b）和图1 （c）所示在图1 （c）中，CP是管壳并联 电容，LS是引线电感，RS是包括半导体体电阻和引线电阻在内的串联电阻， Cj和Rj分别为结电容和结电阻（均为偏流、偏压的函数）。

肖特基二极管大家知道，金属导体内部有大量的导电电子当金属与半导体接触（二者距离只有原 子大小的数量级）时，金属的费米能级低于半导体的费米能级在金属内部和半导体 导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度因此，在二者接触后， 电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷由于金属是 理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内 而对于N型半导体来 说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中电子从半导体 向金属扩散运动的结果，形成空间电荷区、自建电场和势垒，并且耗尽层只在 N型半导体一边（势垒区全部落在半导体一侧）势垒区中自建电场方向由N型区指向金属， 随热电子发射自建场增加，与扩散电流方向相反的漂移电流增大，最终达到动态平衡， 在金属与半导体之间形成一个接触势垒，这就是肖特基势垒 在外加电压为零时，电子的扩散电流与反向的漂移电流相等，达到动态平衡在加正向偏压（即金属 加正电压，半导体加负电压）时，自建场削弱，半导体一侧势垒降低，于是形成从金 属到半导体的正向电流当加反向偏压时，自建场增强，势垒高度增加，形成由半导 体到金属的较小反向电流。

因此，SBD与PN结二极管一样，是一种具有单向导电性 的非线性器件肖特基二极管［编辑本段］封装肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式 采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使 用它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式肖特基对管又有共阴（两管的 负极相连）、共阳（两管的正极相连）和 蚩联（一只二极管的正极接另一只二极管的 负极）三种管脚引出方式肖特基二极管采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有 A~19种管脚引出方式［编辑本段］特点SBD的主要优点包括两个方面： 1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比 PN结二极管低（约低0.2V ） 2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题SBD 的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于 PN结二极管的反向恢复时间由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特 别小，尤其适合于高频应用 但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。

由于 SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大肖特基二极管［编辑本段］应用SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常 高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑 电路中用作箝位在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路 的主流，在高速计算机中被广泛采用 除了普通PN结二极管的特性参数之外，用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗（指SBD施加额定本振功率时对指 定中频所呈现的阻抗，一般在200〜6000之间）、电压驻波比（一般＜2）和噪声系 数等［编辑本段］其它1、高压SBD长期以来，在输出12V〜24V的SMPS中，次级边的高频整流器只有选用100V 的SBD或200V的FRE D在输出24V〜48V的SMPS 中,只有选用200V〜400V的FRED设计者迫切需要介于100V〜200V之间的150VSBD和用于48V输出SMPS 用的200VSBD近两年来，美国IR公司和APT公司以及ST公司瞄准高压SBD的巨大商机，先后开发出150V和200V的SBD这种高压SBD比原低压SBD在结构 上增加了 PN结工艺，形成肖特基势垒与 PN结相结合的混合结构，如图2所示。

采 用这种结构的SBD，击穿电压由PN结承受通过调控N —区电阻率、外延层厚度和 P +区的扩散深度，使反偏时的击穿电压突破了 100V这个长期不可逾越的障碍，达到 150V和200V在正向偏置时，高压 SBD的PN结的导通门限电压为0.6V，而肖特 基势垒的结电压仅约0.3V，故正向电流几乎全部由肖特基势垒供给 为解决SBD在高温下易产生由金属一半导体的整流接触变为欧姆接触而失去导电性这一肖特基 势垒的退化问题，APT公司通过退火处理，形成金属一金属硅化物一硅势垒，从而提 高了肖特基势垒的高温性能与可靠性• 4 ■■•■2■ 1專・« tui blJUM■duMA ■U■■■r^nrijiw n■■Ot■nmfrr-4・M Jnufe■二■・IWflIIRwluuMi9W«u■UMUildrlI.M ：4.1■HA肖特基二极管ST公司研制的150VSBD，是专门为在输出12V〜24V的SMPS中替代200V的高频 整流FRED而设计的像额定电流为2x8A的STPS16150CT型SBD，起始电压比业 界居先进水平的200V/2 x8AFRED (如STRR162CT )低0.07V (典型值为0.47V )，导 通电阻RD( 125°C)低6.5mQ(典型值为40mQ),导通损耗低0.18W(典型值为1.14W ) APT 公司推出的 APT100S20B、APT100S20LCT 和 APT2x10IS20 型200VSBD，正 向平均电流IF (AV) =100A，正向压降VF<0.95V，雪崩能量EAS=100mJ。

EAS的 表达式为 EAS=VRRM xIASxtd 在式(1)中，200VSBD 的 VRRM=200V，IAS为雪崩电流，并且IAS~IF=100A，EAS=100mJ在IAS下不会烧毁的维持时间： td=EAS/ (VRRM xIAS ) =1000mJ/(200V x100A)=5 gs也就是说，SBD 在出现雪崩 之后IAS=100A时，可保证在5gs之内不会损坏器件EAS是检验肖特基势垒可靠性 的重要参量200V/100A的SBD在48V输出的通信SMPS中可替代等额定值的FRED， 使整流部分的损耗降低10%〜15%由于SBD的超快软恢复特性及其雪崩能量，提 高了系统工作频率和可靠性，EMI也得到显著的改善 业界人士认为，即使不采用新型半导体材料，通过工艺和设计创。