8.基础知识_如何判断高压包是否损坏.pdf

  1 / 4 如何判断高压包是否损坏如何判断高压电容击穿 （ 2009-8-14 如何判断高压包是否损坏 根据高压包损坏部位的不同，其症状略 有不同 1．包内高压电容击穿 ． 这是造成高压包损坏的最常见原因之 一， 大约有四成的高压包损坏与此有关 包 内高压电容的容量约为 2700pF，比显像管 锥体内外两层石墨所形成的电容 1600pF 高 一些，两个电容并联在一起总容量约为 4300pF，可 以 减 少屏幕的呼吸效应由于包 内高压电容的绝缘介质的绝缘强度远不及 显像管的玻璃，而且电极间距小，若高压过 高或工作时间过长就很容易发生击穿注 意，高压电容击穿后， HV 端对地阻值不一 定为零，而是通常出现数千欧到数百千欧的 阻值这是因为电容内的绝缘介质被高压击 穿炭化后仍有一定阻值，将万用表置于 1Kx 10k 或1Kxl00k 挡，测高压帽对地或对 HVC 端的阻值，正常时为无穷大，如出现阻值，可 判断包内高压电容击穿高压电容击穿后使 HV 输出短路，开机则行电流剧增，通常会 保护性停机或出现间歇啸叫，并且很容易烧 毁行输出  2 / 4 管。

另外，由于包内高压电容击穿， 在行输出电路工作瞬间，高压绕组电流剧 增， ABL 端子所外接的电阻通常会过流烧 焦，这是一个判断包内高压电容是否损坏的 明显特征 2．包内高压绕组匝间短路 这也是导致高压包损坏的又一常见原 因由于包内次级线圈短路，造成行电流大 增，轻则锁机保护，重则烧毁行输出管由于 高压绕组匝间短路后功率消耗都在其内部， 因此包体发热严重，甚至出现包体变形如 果保护锁机，可用低压供电使其工作，以便 详细检查 3．包内高压硅堆击穿或漏电 高压硅堆击穿或漏电后，未经整流的交 流高压直接加在高压滤波电容上，由于电容 不能隔离交流电压，其结果相当于将高压短 路， 这种故障与高压电容击穿所造成的故障 现象很接近， 相比之下症状要轻一些 高压硅 堆损坏后，ABL 外接的电阻并不一定烧毁 怎样检测高压硅堆是否击穿或漏电呢 ? 只能使用兆欧表或万用表的 1Kxl00k 挡，将 黑笔接地或 ABL 端 (如果高压包已拆离电 路，就只能黑笔接 ABL 端 )，红笔接高压帽， 正常时会有 10Mr／左右阻值 (高压硅堆导通 的内阻 )，将表笔对掉，测量时表针会摆动一 下后归零 (包内高压电容充放电 )，如果测得 阻值较低 (小于 5MI'1)，并且正反  3 / 4 向均有阻 值，就可以确认包内高压硅堆漏电或击穿。

4．包内初次级绕组短路 此时 B+被直接短路到地，其故障现象 与行管击穿后一样 5．包内聚焦组件老化 这种故障现象很直观，就是聚焦电压或 加速电压不稳，随着开机时间延长，图像聚 焦越来越差在排除了管座、 G2 滤波电容及 机内潮湿漏电后，故障若仍然存在，就可以 肯定聚焦组件损坏了 6．包体绝缘性能下降 这种情况在潮湿天气或较老机型中经 常发生，表现为包体对外放电，轻则产生小 电弧有 “嘶嘶 ’’声，重则产生电弧并有 “啪啪 ” 声；如果包体对内打火，就只听到啪啪声而 没有电弧产生因为高压放电， HV 电压会 瞬间下降，势必造成图像亮度及光栅幅度变 化，甚至锁机或烧毁行输出管等 型号 通脚 脚位功能 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 原型号： BSC24-1438 1-2-4-5-6/7-8-9 VCP D/C NC B+ NC NC ABL AFC GND G1 SFR HVC   4 / 4 代换型号：BSC25-6503/C- FBT-1527 1-2/4-5-6-8-9 VCP B+ NC G1 FB AFC ABL GND G 全 DGND 型号 通脚 脚位功能 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 原型号： BSC24-14381-2-4-5-6/7-8-9 V四 G1‘ B+ FB AFC ， +5V 一 5V ABL NC G扑 D SR 叉 HVC 代换型号：BSC25-6503／ C- FBT 一 1527 1-2/4-5-6-8 NC NC G1 B+ GND -5V +5V ABL NC V四 暇 HVC 。