内存颗粒的型号.doc

内存条可以通过查看内存颗粒的型号来确认其容量大小 下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法三星内存颗粒 目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的 占有率由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂三星内 存颗粒的型号采用一个 16 位数字编码命名的这其中用户更关心的是内存容量 和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义 编码规则：K 4 X X X X X X X - X X X X X 主要含义： 第 1 位——芯片功能 K，代表是内存芯片 第 2 位——芯片类型 4，代表 DRAM 第 3 位——芯片的更进一步的类型说明，S 代表 SDRAM、H 代表 DDR、G 代 表 SGRAM 第 4、5 位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也 会使用不同的编号64、62、63、65、66、67、6A 代表 64Mbit 的容 量； 28、27、2A 代表 128Mbit 的容量；56、55、57、5A 代表 256Mbit 的容量；51 代表 512Mbit 的容量 第 6、7 位——数据线引脚个数，08 代表 8 位数据；16 代表 16 位数据；32 代表 32 位数据；64 代表 64 位数据。

第 11 位——连线“-” 第 14、15 位——芯片的速率，如 60 为 6ns；70 为 7ns；7B 为 7.5ns (CL=3)；7C 为 7.5ns (CL=2) ；80 为 8ns；10 为 10ns (66MHz) 知道了内存颗粒编码主要数位的含义， 拿到一个内存条后就非常容易计算 出它的容量例如一条三星 DDR 内存，使用 18 片 SAMSUNG K4H280838B-TCB0 颗 粒封装颗粒编号第 4、5 位“28”代表该颗粒是 128Mbits，第 6、7 位“08” 代表该颗粒是 8 位数据带宽，这样 我们可以计算出该内存条的容量是 128Mbits（兆数位） × 16 片/8bits=256MB（兆字节） 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为 8 位则计算 时除以 8关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非 ECC 内存，每 8 片 8 位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种 ECC 内存，在 每 64 位数据之后，还增加了 8 位的 ECC 校验码通过校验码，可以检测出内存 数 据中的两位错误，纠正一位错误。

所以在实际计算容量的过程中，不计算校 验位，具有 ECC 功能的 18 片颗粒的内存条实际容量按 16 乘在购买时也可以 据此判 定 18 片或者 9 片内存颗粒贴片的内存条是 ECC 内存 Micron 内存颗粒 Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多下面就以 MT48LC16M8A2TG-75 这个编号来说明美光内存的编码规则 含义： MT——Micron 的厂商名称 48——内存的类型48 代表 SDRAM；46 代表 DDR LC——供电电压LC 代表 3V；C 代表 5V；V 代表 2.5V 16M8——内存颗粒容量为 128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8 位数据 宽度 A2——内存内核版本号 TG——封装方式，TG 即 TSOP 封装 -75——内存工作速率，-75 即 133MHz；-65 即 150MHz 实例：一条 Micron DDR 内存条，采用 18 片编号为 MT46V32M4-75 的颗粒制 造该内存支持 ECC 功能所以每个 Bank 是奇数片内存颗粒 其容量计算为：容量 32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。

西门子内存颗粒 目前国内市场上西门子的子公司 Infineon 生产的内存颗粒只有两种容量： 容量为 128Mbits 的颗粒和容量为 256Mbits 的颗粒编号中详细列 出了其内存 的容量、数据宽度Infineon 的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由 4 个 Bank 组成所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的 HYB39S128400 即 128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位 标识的是该内存数据宽度其它也是如此，如：HYB39S128800 即 128MB/8bits； HYB39S128160 即 128MB/16bits；HYB39S256800 即 256MB/8bits Infineon 内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标 上工作速率 -7.5——表示该内存的工作频率是 133MHz； -8——表示该内存的工作频率是 100MHz 例如： 1 条 Kingston 的内存条，采用 16 片 Infineon 的 HYB39S128400-7.5 的内 存颗粒生产其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16 片/8=256MB（兆字节） 。

1 条 Ramaxel 的内存条，采用 8 片 Infineon 的 HYB39S128800-7.5 的内存 颗粒生产其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）Kingmax 内存颗粒 Kingmax 内存都是采用 TinyBGA 封装（Tiny ball grid array）并且该 封装模式是专利产品，所以我们看到采用 Kingmax 颗粒制作的内存条全是该厂 自己生产Kingmax 内存颗粒有两种容量： 64Mbits 和 128Mbits在此可以将 每种容量系列的内存颗粒型号列表出来 容量备注： KSVA44T4A0A——64Mbits，16M 地址空间 × 4 位数据宽度； KSV884T4A0A——64Mbits，8M 地址空间 × 8 位数据宽度； KSV244T4XXX——128Mbits，32M 地址空间 × 4 位数据宽度； KSV684T4XXX——128Mbits，16M 地址空间 × 8 位数据宽度； KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16 位数据宽度 Kingmax 内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内 存的工作速率： -7A——PC133 /CL=2； -7——PC133 /CL=3； -8A——PC100/ CL=2； -8——PC100 /CL=3。

例如一条 Kingmax 内存条，采用 16 片 KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造， 其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16 片/8=128MB（兆字节） HYUNDAI（现代） 现代的 SDRAM 内存兼容性非常好，支持 DIMM 的主板一般都可以顺利的使用 它，其 SDRAM 芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no 其中 HY 代表 现代的产品；5a 表示芯片类型(57=SDRAM，5D =DDRSDRAM)；b 代表工作电压(空 白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg 代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32 分别代表 4 位、8 位、 16 位和 32 位）；h 代表内存芯片内部由几个 Bank 组成（1、2、 3 分别代表 2 个、4 个和 8 个 Bank，是 2 的幂次关系）；I 代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j 代表内核版本（可以为空白或 A、B、C、D 等字母， 越往后代表内核越新）；k 代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm 代 表封 装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP- II，TG=16mm TSOP-II）；no 代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕， 10p=10ns〔PC-100CL2 或 3〕，10s= 10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕， 12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。

例如 HY57V658010CTC-10s，HY 表示现代的芯片，57 代表 SDRAM，65 是 64Mbit 和 4Krefresh cycles/64ms，8 是 8 位输出，10 是 2 个 Bank，C 是第 4 个版本的内核，TC 是 400mil TSOP-Ⅱ封装，10S 代表 CL=3 的 PC-100LGS 内存颗粒:LGs 早已被 HY 现代纳入麾下，但还是有必要单独介绍下它LG 现有的内存 条编号后缀为 7J、7K、10K、8其中 10K 是非 PC100 规格的，速度极慢7J 和 7K 才是 PC 100 的 SDRAM，7J 和 7K 工作模式的速度参数不同，LGs 7J 编号 在 1073222，LGs 7K 编号是 1072222，两者的主要区别是第三个反应速度的参 数上而 8 才是真正的 8ns PC 100 内存，但国内没有出现现在市面上还有很 多 10K 的 LGs 内存，速度比 7J 和 7K 差很远，但因外型相差不大，所以不少奸 商把 10K 冒充 7J 或 7K 的 来卖而 7J 和 7K 经过测试比较，7K 比 7J 的更优秀， 上 133MHz 时 7K 比 7J 更稳定，但 7K 的市面上不多见。

LGS 的 SDRAM 芯片上的标识为以下格式： GM72V XX XX X 1 X X T XX GM 代表为 LGS 的产品 72 代表 SDRAM 第 1、2 个 X 代表容量，类似现代，16 为 16Mbits，66 为 64Mbits 第 3、4 个 X 表示数据位宽，一般为 4、8、16 等，不补 0 第 5 个 X 代表 Bank，2 对应 2 个 Bank，4 对应 4 个 Bank，和现代的不一样， 属于直接对应 第 6 个 X 表示是第几人版本的内核，现在至少已经排到“E“了 第 7 个 X 如果是字母“L“，就是低功耗，空白则为普通 “T“为常见的 TSOPⅡ封装，现在还有一种 BLP 封装出现，为“I“ 最后的 XX 自然是代表速度： 7.5：7.5ns［133MHz］ 8：8ns［125MHz］ 7K：10ns［PC-100 CL2 或 3］ 7J：10ns［100MHz］ 10K：10ns［100MHz］ 12：12ns［83MHz］ 15：15ns［66MHz］高士达（LGS）SDRAM 内存芯片的识别一、高士达 SDRAM 内存芯片编号识别GM 72 X X XX X X X X X XXX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 现代 SDRAM 的内存芯片上的编号如上所示，其各位编号的意义如 下：1：PREFIX OF LGS（LGS 产品的前缀）MEMORY IC 的前缀2：FAMILY（内存种类）72:SDRAM 3：PROCESS＆POWER SUPPLY(工艺和电压) V:CMOS(3.3V) 4：DENSITY＆REFRESH（内存密度和刷新）16:16M,4K Ref 17:16M,2K Ref 28:128M,4K Ref 55:256M,16K Ref 56:256M,8K Ref 57:256M,4K Ref 64:64M,16K Ref 65:64M,8K Ref 66:64M,4K Ref 5：DATA WIDTH（数据带宽）4:×4 8:×8 16:×16 32:×32 6：BANK（芯片组。