AM29LV400B芯片中文资料整理.pdf

AM29LV400B4 兆位（ 512 K x8-Bit/256 K× 16 位）CMOS3.0伏特 -只引导扇区闪存特点：●. 单电源操作- 全电压范围：2.7 至 3.6 伏的读取和写入操作电池供电的应用- 稳压电压范围：3.0 至 3.6 伏读和写入操作，并与高性能的3.3 伏的微处理器兼容●0.35 微米工艺技术制造- 兼容 0.5 μ米 Am29LV400设备● 高性能- 全电压范围：尽可能快的访问时间为80 ns 的- 稳压范围：访问时间尽可能快70 纳秒● 超低功耗（典型值5 兆赫）- 200 nA 的自动休眠模式电流- 200 nA 的待机模式电流- 7 mA 的读取电流- 15 毫安编程 /擦除电流● 灵活的部门架构- 一个 16KB ，2 个 8 KB 的，一个32KB ，和 7 个 64 KB 的部门（字节模式）- 一个 8 K 字，两个4 K 字，一个16 K 字，和 7 个 32 K 字部门（字模式）- 支持整片擦除- 扇区保护功能：一个硬件锁定一个区段，以防止对任何区段进行编程或擦除的硬件保护区段可以锁定在系统或通过编程设备中，临时区段撤消功能允许在先前锁定的扇区中的代码更改。

●解锁旁路编程命令-当发出多个程序的命令序列时，降低了整个编程的时间●顶部或底部的引导块配置可用●嵌入式算法- 嵌入式擦除算法自动进行预先编程和擦除整个芯片或指定部门的任何组合- 嵌入式程序算法自动在指定的地址信息进行数据的写入和验证●保证每个区段最低100 万次的写周期●封装选项- 48 球 FBGA - 48 引脚 TSOP - 44 引脚 SO ●符合 JEDEC 标准的兼容性- 管脚和软件兼容的单电源闪存- 高级无心写保护●数据＃轮询和触发位- 提供了一个软件的检测方法●就绪 /忙＃引脚（ RY/ BY ＃）- 提供硬件检测方法编程或擦除周期完成●擦除暂停 /擦除恢复-暂停擦除操作来读取数据，或将数据编程到一个不被擦除的区段，然后恢复擦除操作●硬件复位引脚（RESET ＃）- 器件复位到读阵列数据的硬件方法一般说明AM29LV400B是 4 兆， 3.0 伏闪烁存储器，大小为524,288 字节或 262,144 字节，提供的设备是在48 球 FBGA ，44 引脚 SO 和 48 引脚 TSOP 封装字宽的数据（X16 ）出现在 DQ15- DQ0;字节宽（ X8）的数据显示在DQ7- DQ0。

此设备的设计是在系统编程使用只有一个3.0 伏ccV供应对于写或擦除操作，没有ppV的需要该设备也可以在标准编程，EPROM 编程器此设备是采用AMD 的 0.35 微米工艺技术制造，并提供Am29LV400B所有的功能和势，这是使用0.5 μ米工艺技术制造的此外， AM29LV400B功能解锁绕过编程和在系统部门保护 /解除保护标准设备提供了访问时间，70 ，80，90 和为 120 ns ，允许高速微处理器不需要等待状态就能进行操作为了消除总线争用的设备，拥有独立的芯片使能（CE＃） ，写使能（ WE＃）和输出使能（OE＃）控制该设备要求只有一个3.0 伏的读取和写入功能的电源供应内部产生的稳定电压编程和擦除操作该设备与 JEDEC 单电源闪存标准的命令是完全兼容的命令写入命令寄存器使用标准微处理器写时序 寄存器的内部作为输入到内部状态机控制的擦除和编程电路写周期内部锁存地址和数据的需要编程和擦除操作读设备的数据读取从其他类似闪存或EPROM器件器件编程是通过执行程序命令序列来发生的这将启动嵌入式程序算法的内部算法，它会自动擦除时间和脉冲宽度验证正确电池边缘解锁旁路模式有利于更快的编程时间，要求只有两个写周期程序的数据，而不是四个。

设备擦除时通过执行擦除命令序列这将启动嵌入式擦除算法的内部算法，自动预先计划的数组（如果它尚未编程），因此执行擦除操作在擦除过程中，设备会自动擦除时间和脉冲宽度验证正确电池边缘主机系统可以检测是否有程序或擦除操作完成，通过观察 RY/ BY ＃针， 或通过阅读 DQ7（数据＃轮询）和DQ6 （切换）状态位经过一个编程或擦除周期已经完成，设备已准备就绪读取阵列数据或接受另一个命令扇区擦除架构允许内存部门要擦除和重新编程，而不会影响其他部门的数据内容从出厂时，该设备是完全擦除硬件数据保护措施，包括低ccV探测器，自动抑制电源转换期间写入操作的硬件扇区保护功能禁用编程和擦除操作的存储器部门的任意组合这样就可以实现在系统或通过编程设备擦除挂起功能， 使用户搁置擦除任何一段时间来读取数据，或程序数据， 任何区段不选择擦除操作因此可以实现真实背景擦除硬件复位＃引脚终止进步和复位内部状态机读阵列数据中的任何操作它可能与系统复位电路的 RESET ＃引脚有关系统复位，从而也将复位设备，使系统的微处理器，快闪记忆体读取的开机固件该器件提供两种省电功能当地址已被指定的时间量的稳定，设备进入自动睡眠模式该系统还可以将设备进入待机模式。

这两种模式的功耗大大降低AMD 的闪存技术，结合多年的快闪记忆体制造经验使生产的质量，可靠性和成本效益达到最高水平 该装置的电擦除内所有位部门同时通过福勒诺德海姆隧道使用热电子注入编程的数据产品选择指南系列部件号Am29LV400B 速度选择电压调节范围：ccV=3.0 —3.6 V 70R 全电压范围：ccV=2.7 —3.6V 80 90 120 最大访问时间，ns（ACCt）70 80 90 120 最大 CE# 访问时间， ns（CEt）70 80 90 120 最大 OE#访问时间， ns（OEt）30 30 35 50 注意：见“ AC 特性“全面规范框图接线图间距球栅阵列（ FBGA ）特别精细的处理说明在 FBGA 封装里所需的快闪记忆体产品特殊处理FBGA 封装的快闪记忆体，可损坏暴露于超声波清洗方法如果包体温度150 °C 以上长时间暴露，包和/或数据的完整性可能会受到影响引脚配置A0– A17 = 18根地址线DQ0 –DQ14 = 15根数据输入 / 输出线DQ15/A-1 = DQ15（数据输入 / 输出，文字模式），A-1 (LSB 地址输入，字节模式）BYTE# = 选择 8-bit或 16-bit模式CE# = 芯片使能位OE# = 输出使能位WE# = 写使能位RESET# = 硬件复位引脚，低电平有效RY/BY# = 就绪 / 忙输出＃ccV = 3.0电压只有单电源供电（见加速产品选型指南选项和电源电压公差）ssV = 地线NC = 引脚内部未连接逻辑符号。