散热器温度计算.docx

半导体功率器件的散热计算晨怡热管 2006-12-31 0:58:06【摘要】 本文通过对半导体功率器件发热及传热机理的讨论，导出了半导体功率器件的 散热计算方法关键词】 半导体功率器件 功耗 发热 热阻 散热器 强制冷却一、半导体功率器件的类型和功耗特点一般地说，半导体功率器件是指耗散功率在1 瓦或以上的半导体器件按照半导体功率器件的运用方式，可分为半导体功率放大器件和半导体功率开关器件1、半导体功率放大器件半导体功率放大器又因其放大电路的类型分为甲类放大器、乙类推挽放大器、甲乙类推挽放 大器和丙类放大器甲类放大器的理论效率只有50%，实际运用时则只有30%左右；乙类 推挽放大器的理论效率也只有78.5%，实际运用时则只有60%左右；甲乙类推挽放大器和 丙类放大器的效率介乎甲类放大器和乙类推挽放大器之间也就是说，半导体功率放大器件从电源中取用的功率只有一部分作为有用功率输送到负载上 去，其余的功率则消耗在半导体功率放大器件上，半导体功率放大器在工作时消耗在半导体 功率放大器件上的功率称为半导体功率放大器件的功耗半导体功率放大器件的功耗为其集电极 — 发射极之间的电压降乘以集电极电流：cP D =U ce • I （式 1—1）式中P d为半导体功率放大器件的功耗（单位W）。

U ce为半导体功率放大器件集电极一发射极之间的电压降（单位V ）cI为半导体功率放大器件的集电极电流（单位A）线性调整型直流稳压电源中的调整管是工作在放大状态的半导体功率放大器件，所以 其功耗的计算和半导体功率放大器件的功耗计算是相似的例如一个集成三端稳压器，其功 耗就是：输入端 — 输出端电压差乘以输出电流2、半导体功率开关器件半导体功率开关器件例如晶体闸流管、开关三极管等它们的工作状态只有两个： 关断（截止）或导通（饱和）理想的开关器件在关断（截止）时，其两端的电压较高，但电流为零，所以功耗为 零；导通（饱和）时流过它的电流较大，但其两端的电压降为零，所以功耗也为零也就是 说，理想的开关器件的理论效率为100%（无损耗）但实际的半导体功率开关器件在关断（截止）时，其两端的电压最高，但电流不为零，总有一定的反向穿透电流 IO ，则其关断（截止）时的功耗为：P OFF = U ce ・ 1 O式中：P OFF为半导体功率开关器件在关断时的功耗（单位W）U ce为半导体功率开关器件集电极一发射极之间或阳极一阴极之间的的电压（单 位 V）Io为半导体功率开关器件的反向穿透电流（单位A）由于目前常用的半导体功率开关器件大多数是使用硅材料制造的，其反向穿透电流一 般为微安级，所以半导体功率开关器件在关断时的功耗实际上是很小的，一般为毫瓦级。

实际的半导体功率开关器件在导通（饱和）时，其两端的电压很低，称为导通压降（饱和压降），对于常用的硅器件大约为0.3伏，但由于导通电流一般很大，约为几安到几十安 甚至几百安，所以其导通（饱和）时的功耗一般为几瓦到几十瓦实际的半导体功率开关器件在导通（饱和）时，其功耗为：P on = U s • I S （式 1—3）式中：P on为半导体功率开关器件在导通（饱和）时的功耗（单位W）US为半导体功率开关器件导通压降或饱和压降（单位V）Is为半导体功率开关器件的导通电流或饱和电流（单位A）另外，实际的半导体功率开关器件在导通（饱和）和关断（截止）状态之间转换时必 然要经过一个中间过程，这个过程的电压和电流均较大，如果开关器件的开关特性良好，则 这个过程时间很短，功耗较小；如果开关器件的开关特性较差，则这个过程时间较长，功耗 较大以上三个过程的功耗之和，就是实际的半导体功率开关器件在一个工作周期内的功耗 综上所述，无论是半导体功率放大器件还是半导体功率开关器件在工作时都不可避免 地产生功率损耗，功耗的能量将以热量的形式散发出来，使半导体器件的温度升高二、功耗、热阻和温升 如前所述，半导体功率器件的管耗将会使半导体器件的温度升高。

当半导体器件的温 度升高到一定值时，其内部结构，即PN结将破坏而使器件失效例如，对于锗材料器件， 结温度达到约90°C时PN结将会破坏，而对于硅材料器件，这个温度大约是200°C为了使半导体功率器件能正常工作，锗材料器件的极限工作温度一般规定为80 C，而 硅材料器件的极限工作温度一般规定为150C如果能把半导体功率器件工作时发出的热量及时散发到周围环境中去，则其工作温度 就可能维持在极限工作温度以下，器件就可以处于安全的温度环境之中对于不同散热条件的器件，消耗同样功率时的温升是不同的我们把每单位功耗下器 件系统的温升定义为热阻，一般用符号R 0表示，其单位是W/C器件系统的热阻等于其管芯的热量传递到周围环境的传热途径上所有环节的热阻的总 和，即：R0jA =R 0jC +R 0Cs +R0sA （式2—1）式中：R0jA — 器件外壳的总热阻R0jC — 管芯到外壳的热阻R0Cs— 外壳到器件表面的热阻R0sA — 器件表面到周围环境的热阻 图 2 — 1 为半导体功率器件安装的示意图图 2 — 1 半导体功率器件安装示意图图 2 — 2 为半导体功率器件的传热途径和热阻示意图Tj- TRmc图 2 — 2 半导体功率器件的传热途径和热阻示意图在热传导过程中，功耗温升与热阻之间有以下关系：ATY RP D = 0 （式 2—2）式中：PD —半导体器件的功耗，单位：WAT—芯片与环境的温度差，单位：。

CR0 —在AT的温差下，传热系统各环节热阻的总和， 单位：C/W下面把（式 2—1）中的各项热阻作如下说明：1、R0jA — 器件外壳的总热阻 该项热阻主要由整个器件（包括管芯、底板、管壳）的材料、结构所决定表2 — 1给出了几种不同封装的半导体功率器件的R0A值表2 — 1几种主要外壳封装的半导体功率器件的R0a值封装型号铜质F1铜质F12B — 3DS — 7S — 6R 0jA50 C/W40 C/W210 C/W63 C/W79 C/W2、R0jC — 管芯到外壳的热阻 该项热阻主要与器件的底座的材料和尺寸有关，铜底座和厚板结构者热阻较 小表2 — 2给出了几种不同封装的半导体功率器件的Rj值表2 — 2几种主要外壳封装的半导体功率器件的R0c值封装型号F1F12B — 3DS — 7S — 6R eec3.5 C/W3 C/W15 C/W4 C/W10 C/W3、R0CS — 外壳到器件表面的热阻 该项热阻主要由器件外壳的材质和厚度和封装方式决定铜质厚板的器件热阻 最小，铁质薄板的次之，塑料封装的热阻最大该项热阻也和是否装有散热板以及 管壳与散热板之间的导热介质有关表2 — 3给出了几种不同封装和不同导热介质的半导体功率器件的Recs值。

表2 — 3几种主要外壳封装的半片导体功率器件的R ecs值封装型号F1F12B — 3DS — 7S — 6无散热板3 C/W3 C/W11 C/W3 C/W7.5 C/W散热板 涂硅脂1 C/W1 C/W1 C/W散热板 垫云母片1.8 C/W1.8 C/W1.8 C/W4、散热器的热阻R Tf 该项热阻主要由器件的散热系统的材料和结构有关 铜质的散热器热阻最小，铝质散热器热阻也较小，铁质散热器的热阻较大，而不外加散热器时热阻最大；采用自然空气冷却时的热阻较大，采用强制风冷时的 热阻较小散热器的的表面积，即散热器与空气直接接触的面积是决定散热器热阻的主要参数此外，散热器的安装位置对热阻也有影响例如水平放置的平板散热器的 热阻比垂直放置的要大铝质平板散热器的热阻可参考表 2 — 4铝质平板散热器的热阻也可参考图2—3选取1虹址烝S徑去甲地1悄迟下匪煦瞪图2 — 3 铝质平板散热器的热阻LkU.\\Em、JL.1J? 3mm c t 閉-圧衆搶昨在环农敢曲情况下旳誅血表2 — 4铝质平板散热器的热阻散热器表面积（cm 2）100200300400500600以上热阻R Tf4.5 —3.5 —3 —2.5 —2 —1.5 —6 C/W4.5 C/W3.5 C/W3 C/W2.5 C/W2.5 C/W注：散热器垂直放置时取下限、水平放置时取上限。

三、计算实例现有一只 S — 7 封装的硅功率半导体器件，查器件手册得知其极限运用温度T jM=150°C，现根据其工作条件决定工作环境温度T a=70°C1、 求它在不带散热器时的极限功耗2、 若它在实际工作时的功耗为750mw，极限运用温度T jm为125C，求它在不带散热 器时的极限环境温度3、若要求它的实际功耗为5.5W，允许的最高器件工作温度为100°C，允许最高工作环境 温度为40C问该器件正常工作时是否需要加装散热器？如果要加装平板散热器，又要求 散热器垂直放置，求所需的散热器面积解：1、查表表2 — 1,得S — 7封装的器件的热阻R疋=63 C/W 代入式 2 — 2：AT工R9 =jM9jA■A150 - 70= 63 =1.27(W)也就是 说， S — 7 封装 的硅 功率半导体器 件不带散 热器在 极限运 用温 度为T jM =150°C,工作环境温度T A =70°C时的允许功耗不得超过1.27W仍为150°C，据式2 — 2：2、若它在实际工作时的功耗为750mw，极限运用温度T jMR9jAATP TjM^TAPD= 9 =贝 I」：T A =T jM — R 9A • P D125 — 63X0.75 =77.75C3、若要求它的实际功耗为5.5W，这已经超出了它在不带散热器时的极限功耗，所以 器件必须加装散热器。

加装了散热器之后，总热阻为管芯到外壳的热阻R9c、外壳到器件表面，即到散热器 的热阻Recs及散热器热阻RTf之和，则式2 — 2应改写为：T - T j A 门 R + R + RP D = 9jc 9cS Tf由表 2 — 2、表 2 — 3、分别查得 S —7 封装的器件的 R9jc =4 C/W、R9cS =3 C /W，把 PD=5.5W、 R9jc =4 C/W、 R9cS =3 C/W 代入上式得：散热器热阻 RTf 应为：R Tf = D — R9jc — R9cS100 - 40= 5.5 — 4 — 3=3.9C/W查表2 — 4或图2 — 3均可得铝平板散热器的面积S=200cm2 (厚1.5mm)四、工艺问题 在安装散热器时还应注意以下几点工艺问题:：1、 散热器与器件的接触面应平整，在整个接触面内测量，平面度误差不大于0.1mm2、 在器件与散热器接触面之间最好涂一层硅脂或凡士林，以增加导热性。