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PIN二极管规格参数 SOT-23.pdf

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  • 卖家[上传人]:ldj****22
  • 文档编号:35441602
  • 上传时间:2018-03-15
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    • 南京南山—领先的片式无源器件整合供应商】WWW.NSCN.COM.CN第 1 页 共 3 页BAP64-04BAP64-04 pin 二极管长电 BAP64-04 贴片 pin 二极管内部为双二极管,外部采用 SOT-23 塑料封装,标记为 4K该器件具有高电压、电流控制能力(持续反向电压 175V ,持续正向电流 100mA) ,正向阻抗较低(阻抗最大 40Ω@notes:2) ,工作频率可达 3GHz,可应用于高频开关及高频衰减器主要性能特性主要性能特性PD(功耗)250mWIF(正向电流)100mAVR(反向电压)175VIR(反向电流)10uACd(容值@0V;1MHz)0.52pFrd(正向阻值@notes:3)1.35ΩMarking(标记)4K|包装信息包装信息包装规格最小订购单位T直径 178±2mm3000pcs|制造与订购信息制造与订购信息品牌长电(CJ)制造商江苏长电科技股份有限公司代理商南京南山半导体有限公司免费样品5~20pcs 或单机数量 2~5 套小批量1pcs 起|注意事项注意事项1. PIN 二极管在直流状态零偏置时实际上是双结二极管,其呈现高阻状态在加正向偏压时,呈低阻状态。

      在加反向偏压时,其阻抗值比零偏时大2. PIN 二极管在交流状态低频时,交流信号的周期较大,在交流信号的正半周,PIN 管呈低阻状态,在交流信号负半周时呈高阻状态,其特性与普通 PN 管相似3. PIN 管在交流状态高频时,特别是在微波频率下,PIN管对于信号正、负半周相应没有显著区别,类似于线性元件外观与内部结构外观与内部结构1 塑封体2 晶片3 金属线4 电镀层5 引线框架Notes:Notes:1.环境温度为 25℃,除非另行说明2.IF=0.5mA, f=100MHz 条件下阻值为 40Ω3.IF=100mA, f=100MHz 条件下阻值为 1.35Ω【南京南山—领先的片式无源器件整合供应商】WWW.NSCN.COM.CN第 2 页 共 3 页BAP64-04 二极管封装与外形尺寸BAP64-04 二极管封装与外形尺寸声明:1、本规格书是由长电授权代理商-南京南山半导体有限公司从长电官方网站下载整理,若有变更,恕不另行通知;2、本规格书仅列明了产品基本规格、参数,更详细的电性能参数、使用说明等,请在订购产品之前与南京南山半导体有限公司确认标记标记公制尺寸公制尺寸(mm)英制尺寸英制尺寸(inches)MinMaxMinMaxA0.9001.1500.0350.045A10.0000.1000.0000.004A20.9001.0500.0350.041b0.3000.5000.0120.020c0.0800.1500.0030.006D2.8003.0000.1100.118E1.2001.4000.0470.055E12.2502.5500.0890.100e0.950TYP0.037TYPe11.8002.0000.0710.079L0.550REF0.022REFL10.3000.5000.0120.020θ0°8°0°8°【南京南山—领先的片式无源器件整合供应商】WWW.NSCN.COM.CN第 1 页 共 3 页BAP64-05BAP64-05 pin 二极管长电 BAP64-05 贴片 pin 二极管内部为双二极管共阴极结构,外部采用 SOT-23 塑料封装,标记为 5K。

      该器件具有高电压、电流控制能力 (持续反向电压 175V , 持续正向电流 100mA) , 正向阻抗较低 (阻抗最大 40Ω@notes:2) , 工作频率可达 3GHz,可应用于高频开关及高频衰减器主要性能特性主要性能特性PD(功耗)250mWIF(正向电流)100mAVR(反向电压)175VIR(反向电流)10uACd(容值@0V;1MHz)0.52pFrd(正向阻值@notes:3)1.35ΩMarking(标记)5K|包装信息包装信息包装规格最小订购单位T直径 178±2mm3000pcs|制造与订购信息制造与订购信息品牌长电(CJ)制造商江苏长电科技股份有限公司代理商南京南山半导体有限公司免费样品5~20pcs 或单机数量 2~5 套小批量1pcs 起|注意事项注意事项1. PIN 二极管在直流状态零偏置时实际上是双结二极管,其呈现高阻状态在加正向偏压时,呈低阻状态在加反向偏压时,其阻抗值比零偏时大2. PIN 二极管在交流状态低频时,交流信号的周期较大,在交流信号的正半周,PIN 管呈低阻状态,在交流信号负半周时呈高阻状态,其特性与普通 PN 管相似3. PIN 管在交流状态高频时,特别是在微波频率下,PIN管对于信号正、负半周相应没有显著区别,类似于线性元件。

      外观与内部结构外观与内部结构1 塑封体2 晶片3 金属线4 电镀层5 引线框架Notes:Notes:1.环境温度为 25℃,除非另行说明2.IF=0.5mA, f=100MHz 条件下阻值为 40Ω3.IF=100mA, f=100MHz 条件下阻值为 1.35Ω【南京南山—领先的片式无源器件整合供应商】WWW.NSCN.COM.CN第 2 页 共 3 页BAP64-05 二极管封装与外形尺寸BAP64-05 二极管封装与外形尺寸声明:1、本规格书是由长电授权代理商-南京南山半导体有限公司从长电官方网站下载整理,若有变更,恕不另行通知;2、本规格书仅列明了产品基本规格、参数,更详细的电性能参数、使用说明等,请在订购产品之前与南京南山半导体有限公司确认标记标记公制尺寸公制尺寸(mm)英制尺寸英制尺寸(inches)MinMaxMinMaxA0.9001.1500.0350.045A10.0000.1000.0000.004A20.9001.0500.0350.041b0.3000.5000.0120.020c0.0800.1500.0030.006D2.8003.0000.1100.118E1.2001.4000.0470.055E12.2502.5500.0890.100e0.950TYP0.037TYPe11.8002.0000.0710.079L0.550REF0.022REFL10.3000.5000.0120.020θ0°8°0°8°【南京南山—领先的片式无源器件整合供应商】WWW.NSCN.COM.CN第 1 页 共 3 页BAP64-06BAP64-06 pin 二极管长电 BAP64-06 贴片 pin 二极管内部为双二极管共阳极结构,外部采用 SOT-23 塑料封装,标记为 6K。

      该器件具有高电压、电流控制能力 (持续反向电压 175V , 持续正向电流 100mA) , 正向阻抗较低 (阻抗最大 40Ω@notes:2) , 工作频率可达 3GHz,可应用于高频开关及高频衰减器主要性能特性主要性能特性PD(功耗)250mWIF(正向电流)100mAVR(反向电压)175VIR(反向电流)10uACd(容值@0V;1MHz)0.52pFrd(正向阻值@notes:3)1.35ΩMarking(标记)6K|包装信息包装信息包装规格最小订购单位T直径 178±2mm3000pcs|制造与订购信息制造与订购信息品牌长电(CJ)制造商江苏长电科技股份有限公司代理商南京南山半导体有限公司免费样品5~20pcs 或单机数量 2~5 套小批量1pcs 起|注意事项注意事项1. PIN 二极管在直流状态零偏置时实际上是双结二极管,其呈现高阻状态在加正向偏压时,呈低阻状态在加反向偏压时,其阻抗值比零偏时大2. PIN 二极管在交流状态低频时,交流信号的周期较大,在交流信号的正半周,PIN 管呈低阻状态,在交流信号负半周时呈高阻状态,其特性与普通 PN 管相似3. PIN 管在交流状态高频时,特别是在微波频率下,PIN管对于信号正、负半周相应没有显著区别,类似于线性元件。

      外观与内部结构外观与内部结构1 塑封体2 晶片3 金属线4 电镀层5 引线框架Notes:Notes:1.环境温度为 25℃,除非另行说明2.IF=0.5mA, f=100MHz 条件下阻值为 40Ω3.IF=100mA, f=100MHz 条件下阻值为 1.35Ω【南京南山—领先的片式无源器件整合供应商】WWW.NSCN.COM.CN第 2 页 共 3 页BAP64-06 二极管封装与外形尺寸BAP64-06 二极管封装与外形尺寸声明:1、本规格书是由长电授权代理商-南京南山半导体有限公司从长电官方网站下载整理,若有变更,恕不另行通知;2、本规格书仅列明了产品基本规格、参数,更详细的电性能参数、使用说明等,请在订购产品之前与南京南山半导体有限公司确认标记标记公制尺寸公制尺寸(mm)英制尺寸英制尺寸(inches)MinMaxMinMaxA0.9001.1500.0350.045A10.0000.1000.0000.004A20.9001.0500.0350.041b0.3000.5000.0120.020c0.0800.1500.0030.006D2.8003.0000.1100.118E1.2001.4000.0470.055E12.2502.5500.0890.100e0.950TYP0.037TYPe11.8002.0000.0710.079L0.550REF0.022REFL10.3000.5000.0120.020θ0°8°0°8°【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】第 1 页 共 1 页南京南山半导体有限公司-样品申请单南京南山半导体有限公司-样品申请单南京南山半导体有限公司-样品申请单南京南山半导体有限公司-样品申请单联系资料:技术支持::电邮:客户基本资料公司名称联系方式::网址:收货地址主要产品联 络 人姓名:职务:□技术□采购□贸易商::邮箱:元器件明细资料元器件名称型号及封装单机用量申请数量备注预计生产情况预计小批量生产时间:规模生产时间:样品申请时间:样品申请流程1、请详细、全面、真实填写上列各项。

      表格不够填写,可自行复制2、请以附件的形式将该文档通过 E-mail 发送,并请客户将此单打印盖章后3、公司将根据客户所填信息并综合相关情况,及时确定该样品申请是否执行及如何执行4、收到样品申请单并经审核通过后,南京公司有现货24小时内发出,如需订货,交期3-4周,非常规品顺延1-2周5、样品免费,运费到付(一般选择顺丰快递);样品数量规定:单个型号5~20pcs, 或按单机数量2~5套6、特别说明:由于体制约束等不确定因素,我们并不保证样品数量和型号完全符合要求,也不承诺一定按期交出回访记录□已联系确认□已建议执行□未发送但已下单□已发送样品□客户已签收日期:日期:日期:日期:日期:邮件至:Service@Service@。

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